Агекян, Санкт-Петербургский гос. ун-т, г. Санкт-Петербург. Экситонная и внутрицентровая излучательная рекомбинация в квантовых ямах ZnMnTe и CdMnTe с оптически активными ионами марганца [Текст] / В. Ф. Агекян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1117-1125. - Библиогр.: с. 1124-1125 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая излучательная рекомбинация -- внутрицентровое излучение -- квантовые ямы -- оптическое возбуждение -- спектры излучения -- экситонная люминесценция -- экситонная рекомбинация -- экситонное излучение Аннотация: Исследованы спектры излучения структур с квантовыми ямами Zn[1-x]Mn[x]Te/Zn[0. 6]Mg[0. 4]Te и Cd[1-x]Mn[x]Te/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям при плотностях мощности возбуждения 10{5} - 10{7} W*cm{-2}. В условиях сильной оптической накачки внутрицентровая люминесценция ионов Mn{2+} деградирует вследствие взаимодействия возбужденных ионов марганца с экситонами высокой плотности. Одновременно происходит сильное уширение полосы излучения экситонов КЯ вследствие экситон-экситонного взаимодействия и насыщения основного состояния экситонов. В CdTe/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te при уровне возбуждения 10{5} W*cm{-2} возникает стимулированное излучение экситонов КЯ. Исследована кинетика люминесценции экситонов КЯ и барьеров с высоким временным разрешением. Определено влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику и форму полосы внутрицентровой люминесценции Mn{2+}, в которой проявляется вклад интефейсных ионов марганца. Доп.точки доступа: Akai, I.; Васильев, Н. Н.; Karasawa, T.; Karczewski, G.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Агекян, Санкт-Петербургский гос. ун-т, г. Санкт-Петербург. Экситонная и внутрицентровая излучательная рекомбинация в квантовых ямах ZnMnTe и CdMnTe с оптически активными ионами марганца [Текст] / В. Ф. Агекян [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 6. - С. 1117-1125. - Библиогр.: с. 1124-1125 (22 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая излучательная рекомбинация -- внутрицентровое излучение -- квантовые ямы -- оптическое возбуждение -- спектры излучения -- экситонная люминесценция -- экситонная рекомбинация -- экситонное излучение Аннотация: Исследованы спектры излучения структур с квантовыми ямами Zn[1-x]Mn[x]Te/Zn[0. 6]Mg[0. 4]Te и Cd[1-x]Mn[x]Te/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te с различной концентрацией марганца и шириной квантовых ям при плотностях мощности возбуждения 10{5} - 10{7} W*cm{-2}. В условиях сильной оптической накачки внутрицентровая люминесценция ионов Mn{2+} деградирует вследствие взаимодействия возбужденных ионов марганца с экситонами высокой плотности. Одновременно происходит сильное уширение полосы излучения экситонов КЯ вследствие экситон-экситонного взаимодействия и насыщения основного состояния экситонов. В CdTe/Cd[0. 5]Mg[0. 5]Te при уровне возбуждения 10{5} W*cm{-2} возникает стимулированное излучение экситонов КЯ. Исследована кинетика люминесценции экситонов КЯ и барьеров с высоким временным разрешением. Определено влияние ширины КЯ и концентрации марганца на кинетику и форму полосы внутрицентровой люминесценции Mn{2+}, в которой проявляется вклад интефейсных ионов марганца. Доп.точки доступа: Akai, I.; Васильев, Н. Н.; Karasawa, T.; Karczewski, G.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |
Гуреев, Д. М. К вопросу о безызлучательной рекомбинации в лазерных диодах Pb[1-х] Sn[х]Se [Текст] / Д. М. Гуреев // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2008. - N 1. - С. 178-179 . - ISSN 1991-8615
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерные диоды -- безызлучательная рекомбинация -- инжекционные лазеры -- оптическая связь -- контроль загрязнения атмосферы -- загрязнение атмосферы Аннотация: На основе анализа экспериментальных температурных зависимостей "сопротивления в нуле" для лазерных диодов выявлены каналы безызлучательной рекомбинации в интервале температур 77-250К. |
Туннельная рекомбинация в полупроводниковых структурах с наноразупорядочением [Текст] / С. В. Булярский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 460-466
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): генерационно-рекомбинационная теория -- полупроводниковые структуры -- туннелирование носителей заряда -- наноразмерные уровни -- легирование полупроводника Аннотация: Предложена модель обобщенной генерационно-рекомбинационной теории применительно к полупроводникам с наноразупорядочением. Установлено, что применение развитой модели рекомбинации открыло возможности определить параметры, характеризующие локализацию электронных состояний в полупроводниках с различными атомным составов и характером позиционного упорядочения. Показано, что пространственные параметры этой локализации принадлежат нанометровому диапазону и по этой причине основным фактором переноса становится туннелирование носителей заряда, наряду с которым важную роль играют также электронные переходы между разрешенными зонами и состояниями внутри щели подвижности. На основании выполненного исследования сделан вывод о том, что только сочетание обоих факторов обеспечивает полное описание электронных процессов в структурах на полупроводниках с наноразупорядочением. Доп.точки доступа: Булярский, С. В.; Рудь, Ю. В.; Вострецова, Л. Н.; Кагарманов, А. С.; Трифонов, О. А. |
Россохатый, А. В. Зависимость кинетики рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от параллельного магнитного поля [Текст] / А. В. Россохатый, И. В. Кукушкин // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 10. - С. 603-606
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): излучательная рекомбинация -- разделенные электрон-дырочные слои -- кинетика рекомбинации -- интенсивность люминесценции -- перекрытие волновых функций -- безызлучательная рекомбинация Аннотация: Исследована зависимость времени излучательной рекомбинации пространственно разделенных электрон-дырочных слоев от магнитного поля, параллельного плоскости широкой квантовой ямы. Обнаружено, что интенсивность люминесценции уменьшается с увеличением параллельного магнитного поля. Установлено, что эта зависимость не согласуется с теоретическими предсказаниями, связывающими падение интенсивности с уменьшением заселенности энергетических уровней, разрешенных для излучательной рекомбинации. Показано, что падение интенсивности связано с экспоненциальным ростом времени излучательной рекомбинации от магнитного поля (вследствие уменьшения перекрытия волновых функций электрона и дырки) и проявлением процессов безызлучательной рекомбинации. Доп.точки доступа: Кукушкин, И. В. |
Александров, И. А. Безызлучательная рекомбинация в квантовых точках GaN, сформированных в матрице AlN [Текст] / И. А. Александров, К. С. Журавлев, В. Г. Мансуров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 797-803 : ил. - Библиогр.: с. 802-803 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- безызлучательные рекомбинации -- матрицы -- AlN -- GaN -- термические тушения Аннотация: Проведено исследование механизмов температурного тушения стационарной фотолюминесценции структур с гексагональными квантовыми точками GaN в матрице AlN, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Исследовались структуры с различным размером квантовых точек, максимум полосы фотолюминесценции которых расположен в диапазоне от 2. 5 до 4 эВ. Обнаружено, что энергия активации термического тушения фотолюминесценции изменяется от 27 до 110 мэВ при уменьшении высоты квантовых точек от 5 до 2 нм. Предложена модель, согласно которой тушение фотолюминесценции происходит через уход носителей заряда с уровней энергии квантовых точек на уровни дефектов матрицы. Доп.точки доступа: Журавлев, К. С.; Мансуров, В. Г. |
Влияние присоединения биомолекул на фотолюминесцентные и структурные характеристики квантовых точек CdSe-ZnS [Текст] / Л. В. Борковская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 804-810 : ил. - Библиогр.: с. 809-810 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесцентные характеристики -- структурные характеристики -- биомолекулы -- биосопряжение -- экситоны -- рекомбинация экситонов -- рентгеновская дифракция -- дефекты -- спектры возбуждения -- СВ -- CdSe-ZnS Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции и ее возбуждения, а также кривые рентгеновской дифракции силанизированных квантовых точек CdSe-ZnS и влияние на них соединения с биомолекулами. В спектрах люминесценции помимо полосы, обусловленной рекомбинацией экситонов в квантовых точках, присутствовало излучение, связанное с дефектами. Установлено, что спектр излучения дефектов содержит, как минимум, две компоненты. Показано, что дефекты расположены преимущественно на точках малого размера, причем дефекты, ответственные за длинноволновую компоненту, расположены преимущественно на точках большего размера, чем дефекты ответственные за коротковолновую компоненту. Обнаружено, что соединение с биомолекулами приводит не только к голубому смещению экситонной полосы, но и к трансформации спектра излучения дефектов, а также к увеличению его вклада в спектр люминесценции. Наблюдающиеся изменения в спектре излучения дефектов объясняются образованием соответствующих центров свечения. Показано, что при присоединении биомолекул в квантовых точках возрастают механические напряжения сжатия. Этим объясняется голубое смещение полосы квантовых точек. Доп.точки доступа: Борковская, Л. В.; Корсунская, Н. Е.; Крыштаб, Т. Г.; Гермаш, Л. П.; Печерская, Е. Ю.; Остапенко, С.; Чернокур, А. |
Фазовый распад и безызлучательная рекомбинация носителей в активных областях светоизлучающих приборов на основе квантовых точек InGaN в матрице GaN или AlGaN [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 836-840 : ил. - Библиогр.: с. 840 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- светоизлучающие приборы -- безызлучательная рекомбинация -- БР -- фазовый распад -- фотолюминесценция -- ФЛ -- квантовые ямы -- остаточные квантовые ямы -- ОКЯ -- матрицы -- матрица GaN -- матрица AlGaN -- нанослои -- InGaN Аннотация: Исследованы структуры, содержащие нанослои InGaN в матрицах GaN и AlGaN, представляющие собой активные области светоизлучающих приборов. Измерены спектры и относительная интенсивность фотолюминесценции в диапазоне температур 20-300 K и зависимость положения пика фотолюминесценции от энергии фотонов возбуждающего света. Показано, что для объяснения температурной зависимости фотолюминесценции требуется, помимо безызлучательной рекомбинации через дефекты в матрице и в остаточной квантовой яме, учитывать дополнительный канал рекомбинации с малой энергией активации, по-видимому, связанный с дефектами, находящимися вблизи квантовых точек. Обнаружено, что структуры с матрицей AlGaN имеют более сильное падение интенсивности фотолюминесценции при увеличении температуры от 50 до ~200 K, чем структуры с матрицей GaN. Анализ температурной зависимости интенсивности фотолюминесценции в модели, рассматривающей 3 указанных канала безызлучательной рекомбинации, показывает, что она связана с уменьшением энергии локализации носителей относительно остаточной квантовой ямы. Такое уменьшение вызвано подавлением фазового распада слоев InGaN, выращенных в матрице AlGaN. Последнее подтверждается измерениями фотолюминесценции при различной энергии возбуждающего фотона и, кроме уменьшения энергии локализации, приводит также к наблюдавшемуся для этих структур уменьшению концентрации центров рекомбинации. Доп.точки доступа: Сизов, В. С.; Гуткин, А. А.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Брунков, П. Н.; Цацульников, А. Ф. |
Петров, П. В. Особенности фононных повторений линии фотолюминесценции экситона, связанного на акцепторе в квантовых ямах GaAs/AlGaAs [Текст] / П. В. Петров, Ю. Л. Иванов, Н. С. Аверкиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1214-1216 : ил. - Библиогр.: с. 1216 (3 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- GaAs/AlGaAs -- акцепторы -- экситоны -- оже-процессы -- фотолюминесценция -- ФЛ -- фононы -- фононновые повторения -- рекомбинация Аннотация: Исследованы фононные повторения линии фотолюминесценции, относящейся к рекомбинации связанного на акцепторе экситона в квантовых ямах структуры GaAs/AIGaAs. Показано, что рекомбинация такого экситона сопровождается оже-процессом, заключающимся в переводе оставшейся на нейтральном акцепторе тяжелой дырки в возбужденное состояние легкой дырки. При этом высвободившийся момент импульса дырки передается фонону. Доп.точки доступа: Иванов, Ю. Л.; Аверкиев, Н. С. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
Видимая фотолюминесценция селективно травленных пористых nc-Si-SiO[x]-структур [Текст] / И. З. Индунтный [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 218-222 : ил. - Библиогр.: с. 221-222 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- селективное травление -- пористые оксидные слои -- спектры излучения -- nc-Si-SiO[x] структуры -- излучательная рекомбинация -- нанокластеры кремния -- кремниевые наночастицы -- температура -- матрицы Аннотация: Представлены результаты первых исследований влияния селективного травления на фотолюминесценцию пористых nc-Si-SiO[x] структур, которые содержат нанокластеры кремния (nc-Si) в матрице SiO[x]. В исходных образцах при комнатной температуре наблюдаются интенсивные полосы фотолюминесценции с максимумами при 840 и 660 нм, обусловленные излучательной рекомбинацией свободных (либо связанных в экситоны) носителей, которые возбуждаются в nc-Si. В результате селективного травления nc-Si-SiO[x]-структур в 1% растворе HF эти полосы значительно сдвигаются в более высокоэнергетическую область спектра. Предполагается, что эволюция спектров вызвана уменьшением размеров кремниевых наночастиц вследствие травления оксида и доокисления nc-Si. Полученные результаты показывают, что с помощью селективного травления оксидной матрицы можно управлять спектрами излучения пористых nc-Si-SiO[x]-структур. Доп.точки доступа: Индунтный, И. З.; Михайловская, Е. В.; Шепелявый, П. Е.; Данько, В. А. |
Высокоэффективные фотоэлементы на основе твердых растворов In[0. 53]Ga[0. 47]As с изовалентным легированием [Текст] / Л. Б. Карлина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 240-245 : ил. - Библиогр.: с. 244-245 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- InGaAs -- изовалентное легирование -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектры фотолюминесценции -- спектры пропускания -- безызлучательная рекомбинация -- солнечные излучения -- фотоэлектрические преобразования -- фосфор -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- жидкофазная эпитаксия -- одностадийная диффузия Аннотация: Влияние изовалентного легирования фосфором на поверхностные и объемные свойства слоев In[0. 53]Ga[0. 47]As (далее InGaAs) оценивалось по изменению спектров фотолюминесценции и спектров пропускания. Установлено, что изовалентное легирование уменьшает скорость безызлучательной рекомбинации в объеме и на поверхности легированных слоев. Использование дополнительного изовалентного легирования позволило улучшить параметры узкозонного солнечного элемента на основе InGaAs, предназначенного для преобразования концентрированного солнечного излучения. Значение максимальной эффективности фотоэлектрического преобразования в спектральном диапазоне 900-1840 нм составило 7. 4-7. 35% при кратности концентрирования солнечного излучения 500-1000 для спектра AM1. 5D Low AOD. Доп.точки доступа: Карлина, Л. Б.; Власов, А. С.; Кулагина, М. М.; Ракова, Е. П.; Тимошина, Н. Х.; Андреев, В. М. |
Мощные светодиоды на основе гетероструктур InAs/InAsSbP для спектроскопии метана (lambda~3. 3 мкм) [Текст] / А. П. Астахова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 278-284 : ил. - Библиогр.: с. 284 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- двойные гетероструктуры -- InAs/InAsSbP -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- подложки -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электролюминесцетные характеристики -- светоизлучающие кристаллы -- чипы -- эпитаксиальные слои -- спектральные характеристики -- инжекция -- квантовая характеристика -- квантовая эффективность -- излучательная рекомбинация -- квантовый выход -- длина волны -- мощные светодиоды -- светоизлучающие структуры -- оптическая мощность -- квазинепрерывный режим Аннотация: Исследованы два типа конструкций светодиодов на основе двойных гетероструктур InAsSbP/InAs/InAsSbP, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений на подложках p- и n-InAs. Изучены вольт-амперные и электролюминесцетные характеристики созданных светодиодов. Показано, что конструкция светодиода со светоизлучающим кристаллом (чипом), смонтированным эпитаксиальным слоем к корпусу прибора и выводом излучения через подложку n-InAs, обеспечивает лучший отвод тепла и, как следствие, устойчивость спектральных характеристик при увеличении тока инжекции и более высокую квантовую эффективность излучательной рекомбинации. Внутренний квантовый выход светоизлучающих структур с длиной волны lambda=3. 3-3. 4 мкм достигал величины 22. 3%. Оптическая мощность излучения светодиодов в квазинепрерывном режиме составляла 140 мкВт при токе 1 А, а в импульсном режиме достигала значения 5. 5 мВт при токе 9 А. Доп.точки доступа: Астахова, А. П.; Головин, А. С.; Ильинская, Н. Д.; Калинина, К. В.; Кижаев, С. С.; Серебренникова, О. Ю.; Стоянов, Н. Д.; Horvath, Zs. J; Яковлев, Ю. П. |
Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 102-105
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1. Доп.точки доступа: Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Александров, И. А. Линейно поляризованная фотолюминесценция ансамбля вюрцитных GaN/AlN квантовых точек [Текст] / И. А. Александров, В. Г. Мансуров, П. Хольтц // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 9. - С. 498-500
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминесценция -- фотолюминесценция -- вюрцитные квантовые точки -- квантовые точки -- фотолюминесценция квантовых точек -- лазерное возбуждение -- поляризация излучения -- безызлучательная рекомбинация -- центры безызлучательной рекомбинации Аннотация: Исследована микрофотолюминесценция GaN/AlN квантовых точек, выращенных методом молекулярнолучевой эпитаксии на сапфировых подложках вдоль оси (0001). Номинальное количество осажденного GaN варьировалось от 1 до 4 монослоев для получения квантовых точек с различным средним размером и плотностью. Плотность квантовых точек составляла около 10\{11\} см\{-2\}, таким образом, около 10\{3\} квантовых точек возбуждалось в экспериментах. Фотолюминесценция квантовых точек линейно поляризована, наибольшая степень поляризации (15 для образца с наименьшим количеством осажденного GaN). Доп.точки доступа: Мансуров, В. Г.; Хольтц, П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шкляев, А. А. Фотолюминесценция в области длин волн 1. 5-1. 6 мкм слоев кремния с высокой концентрацией кристаллических дефектов [Текст] / А. А. Шкляев, А. В. Латышев, М. Ичикава // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 452-457 : ил. - Библиогр.: с. 457 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- длина волны -- кремний -- наноструктурированный кремний -- кристаллические дефекты -- дефекты -- концентрация дефектов -- рекомбинация -- центры рекомбинации -- мощность накачки -- оптические переходы Аннотация: Исследована фотолюминесценция слоев наноструктурированного кремния, который излучает в диапазоне длин волн 1. 5-1. 6 мкм в результате оптических переходов на глубокие уровни центров рекомбинации, созданные кристаллическими дефектами. Показано, что зависимость интенсивности фотолюминесценции от плотности мощности накачки хорошо описывается моделью с глубокими уровнями одного типа. Обнаружен сдвиг пика фотолюминесценции в область коротких волн при увеличении плотности мощности накачки. Сдвиг свидетельствует об изменениях степени заполнения глубоких уровней, которые происходят в условиях переноса носителей между центрами рекомбинации. Доп.точки доступа: Латышев, А. В.; Ичикава, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Морозова, Н. К. Особенности спектров самоактивированной люминесценции CdS (O) с позиций теории непересекающихся зон [Текст] / Н. К. Морозова, Н. Д. Данилевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 458-462 : ил. - Библиогр.: с. 462 (24 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- самоактивированная люминесценция -- спектры самоактивированной люминесценции -- непересекающиеся зоны -- теория непересекающихся зон -- SAL люминесценция -- SA люминесценция -- рекомбинация -- ZnS-ZnSe (O) -- спектральная зависимость -- концентрация кислорода -- кристаллы -- CdS (O) -- свечение -- собственные точечные дефекты -- СТД -- катодолюминесценция -- КЛ -- спектры катодолюминесценции -- SA-свечение -- H-компоненты -- L-компоненты -- поглощение кристаллов Аннотация: На основе теории непересекающихся зон, позволяющей учесть влияние изоэлектронной примеси кислорода на изменение зонной структуры, дана интерпретация природы спектров самоактивированной люминесценции CdS (O). Выявлены полосы самоактивированной SA и SAL люминесценции CdS (O), аналогичные ZnS-ZnSe (O). В присутствии растворенного кислорода OS обнаружено наличие в составе SA-полос дополнительно двух компонент H и L, которые обязаны переходам из E[+]- и E[-]-подзон расщепленной зоны проводимости CdS (O) на уровень рекомбинации E[SA]. Определена их спектральная зависимость от концентрации растворенного кислорода [O[S]]. Показано, что зеленое краевое свечение CdS аналогично SAL, однако в отличие от ZnS-ZnSe (O) не обнаруживает H-компоненту, попадающую в область фундаментального поглощения кристалла. Анализ состава SA- и SAL-центров в кристаллах CdS показал их соответствие ZnS (ZnSe). По экспериментальным данным представлены: положение локализованного уровня кислорода E[0], уменьшение ширины запрещенной зоны E[g] от [O[S]], зонная модель CdS (O). Работа дополняет аналогичные исследования, выполненные ранее для ZnS-ZnSe (O). Доп.точки доступа: Данилевич, Н. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой [Текст] / А. Г. Казанский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 513-516 : ил. - Библиогр.: с. 516 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрированные пленки -- пленки -- кремний -- двухфазные структуры -- фотопроводимость -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- нанокристаллические структуры -- комнатная температура -- нанокристаллы -- время жизни зарядов -- рекомбинация -- поглощение -- дефекты Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в "дефектной" области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда. Доп.точки доступа: Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Kleider, J. P. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дегода, В. Я. Особенности люминесценции и электропроводимости селенида цинка при фото- и рентгеновском возбуждении [Текст] / В. Я. Дегода, А. А. Софиенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 594-599 : ил. - Библиогр.: с. 599 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селенид цинка -- ZnSe -- фотопроводимость -- ФП -- фотолюминесценция -- ФЛ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- рентгенопроводимость -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- релаксация тока -- фосфоресценция -- кинетика фосфоресценции -- спектры люминесценции -- возбуждение -- рекомбинация -- широкозонные полупроводники Аннотация: Проведено сравнение комплексных экспериментальных результатов исследования рентгенолюминесценции и рентгенопроводимости ZnSe с данными по фотолюминесценции и фотопроводимости. Экспериментально установлено различие вольт-амперных характеристик, кинетики фосфоресценции и релаксации тока в зависимости от типа возбуждения. Показано, что внешнее электрическое поле влияет на интенсивность и форму полос в спектрах люминесценции. Установлено, что характер возбуждения является определяющим для кинетики рекомбинации, захвата носителей заряда и проводимости в широкозонных полупроводниках. Доп.точки доступа: Софиенко, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |