Mantsevich, V. N. Spatial effects of Fano resonance in local tunneling conductivity in vicinity of impurity on semiconductor surface [Text] / V. N. Mantsevich, N. S. Maslova> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 3. - С. 150-153
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): резонанс Фано -- Фано резонанс -- поверхность полупроводника -- туннельная проводимость -- резонансное туннелирование Доп.точки доступа: Maslova, N. S. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вдовин, Е. Е. Наблюдение аномальной температурной зависимости резонансного туннелирования через нульмерные состояния в квантовой яме в условиях динамического кулоновского взаимодействия между туннельными каналами [Текст] / Е. Е. Вдовин, Ю. Н. Ханин, М. Хенини> // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 8. - С. 581-587
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): резонансное туннелирование -- магнитотуннелирование -- квантовые ямы -- туннельные каналы -- кулоновское взаимодействие -- резонансно-туннельные диоды Аннотация: Исследовано магнитотуннелирование через нульмерные состояния в слаболегированной кремнием GaAs квантовой яме резонансно-туннельного диода, залегающие глубже уровней изолированных мелких доноров. Обнаружена аномальная температурная зависимость резонансов туннелирования через некоторые из таких состояний, которая не может быть объяснена с точки зрения традиционных представлений о туннелировании через невзаимодействующие каналы. Предложена модель, предполагающая наличие динамического кулоновского взаимодействия основного резонансно-туннельного канала с параллельным неупругим каналом, дающая качественное описание полученной в эксперименте аномальной зависимости. Приложение слабого магнитного поля разрушает режим динамической блокады канала туннелирования. Доп.точки доступа: Ханин, Ю. Н.; Хенини, М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Асимптотика и численное исследование резонансного туннелирования в двумерных квантовых волноводах переменного сечения [Текст] / Л. М. Баскин [и др.]> // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2013. - Т. 53, № 11. - С. 1835-1855. - Библиогр.: c. 1855 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Гельмгольца уравнение -- Гельмгольца уравнение для задачи Дирихле -- Дирихле задача -- асимптотические исследования -- асимптотические формулы -- волноводы -- двумерные квантовые волноводы -- задача Дирихле -- резонансное туннелирование -- уравнение Гельмгольца Аннотация: Рассматривается волновод, совпадающий с полосой, имеющей два сужения ширины ипсилон. Волновая функция электрона удовлетворяет задаче Дирихле для уравнения Гельмгольца. Часть волновода между сужениями играет роль резонатора, и могут возникнуть условия для резонансного туннелирования электрона. Это явление состоит в том, что для электрона с энергией E вероятность T (E) пройти из одной части волновода в другую сквозь “резонатор” имеет резкий пик при E = Eres, где Eres – “резонансное” значение энергии. Для анализа работы электронных устройств, основанных на резонансном туннелировании, важно знать значение энергии Eres и поведение T (E) при E, близких к Eres. Выводятся асимптотические формулы для резонансной энергии и коэффициентов прохождения и отражения при ипсилон --> 0. Такие формулы зависят от предельной формы сужений. Предполагается, что предельный волновод в окрестности каждого сужения совпадает с парой вертикальных углов. Асимтотические результаты сравниваются с численными, полученными приближенным вычислением волноводной матрицы рассеяния. Это сравнение позволяет установить диапазон параметра ипсилон, в котором согласуются асимптотический и численный подходы. Предложенные методы применимы к значительно более сложным моделям, чем рассмотренная в статье. В частности, такой же подход можно использовать для асимптотического и численного анализа туннелирования в трехмерных квантовых волноводах переменного сечения. Доп.точки доступа: Баскин, Л. М.; Кабардов, М.; Нейттаанмяки, П.; Пламеневский, Б. А.; Сарафанов, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурно-зависимое резонансное туннелирование в неупорядоченных квазиодномерных N-I-N-контактах [Текст] / В. Я. Кирпиченков [и др.]> // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 11. - С. 1493-1495. - Библиогр.: c. 1495 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые резонансно-перколяционные траектории -- модель слабого структурного беспорядка -- резонансное туннелирование -- Ферми энергия -- энергия Ферми Аннотация: Рассмотрен неупорядоченный N-I-N-контакт при T>0 в рамках модели слабого структурного беспорядка. Доп.точки доступа: Кирпиченков, В. Я.; Кирпиченкова, Н. В.; Лозин, О. И.; Постников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |