Исследование краевых магнитоплазменных возбуждений в двумерных электронных системах с различным профилем краевого обеднения [Текст] / Д. В. Сметнев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 2. - С. 141-145.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): двумерные электронные системы -- краевые магнитоплазменные возбуждения -- магнитоплазмоны -- резонансное микроволновое поглощение Аннотация: С помощью копланарной и полосковой методик проведены измерения резонансного микроволнового поглощения системой двумерных электронов. Исследовано влияние края электронной системы на дисперсию краевых магнитоплазмонов. Установлено, что ширину края двумерной системы можно варьировать в широких пределах (почти на два порядка), изменяя глубину, на которую осуществляется поверхностное травление кристалла. Показано, что при травлении через квантовую яму ширина края электронной системы оказывается около 0. 2 мкм, в то время как в случае неглубокого травления (например, до слоя доноров) край становится плавным и его ширина может быть увеличена до 12 мкм. Исследовано влияние логарифмического множителя, зависящего от ширины края электронной системы, на дисперсию краевых магнитоплазменных возбуждений. Доп.точки доступа: Сметнев, Д. В.; Муравьев, В. М.; Андреев, И. В.; Кукушкин, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |