Влияние легирования Eu на сенсибилизацию излучения в структурах с квантовыми ямами GaAs/AlGaAs и InGaN/GaN [Текст] / В. В. Криволапчук [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 365-371. - Библиогр.: с. 371 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сенсибилизация излучения -- квантовые ямы -- спектры люминесценции -- люминесценция -- редкоземельные ионы -- деформационная решетка -- квантово-размерные структуры Аннотация: Определена корреляция между спектрами фотолюминесценции и структурными параметрами наноструктур с квантовыми ямами InGaN/GaN и GaAs/AlGaAs, легированных Eu. Показано, что внедрение редкоземельных ионов приводит к появлению деформаций решетки (как правило сжатия). В достаточно совершенных структурах в процессе миграции возбуждения происходит перенос неравновесных носителей на атомные уровни {5}D[2] - {5}D[0] иона Eu. В менее совершенных структурах внедрение редкоземельных ионов приводит к образованию изовалентных ловушек в слоях GaN, которые эффективно захватывают неравновесные носители, в результате чего интенсивность фотолюминесценции структуры возрастает на порядок. Доп.точки доступа: Криволапчук, В. В.; Мездрогина, М. М.; Кузьмин, Р. В.; Даниловский, Э. Ю. |
Переход металл-изолятор в двойных кобальтитах RBaCo[2]O[5. 5] (R = Eu, Gd) : особенности оптических свойств [Текст] / А. А. Махнев [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 493-499. - Библиогр.: с. 499 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): переход металл-изолятор -- двойные кобальтиты -- метод спектроскопической эллипсометрии -- редкоземельные ионы -- фазовые переходы -- спектры оптической проводимости -- оптическая проводимость -- отражательная способность -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Исследована температурная зависимость оптических свойств GdBaCo[2]O[5. 5] при переходе металл-изолятор в спектральной области лямда = 4. 0 - 0. 258 мюm (E = 0. 3 - 4. 8 eV) методом спектроскопической эллипсометрии. Выполнены расчеты электронной структуры методом линеаризованных маффин-тин-орбиталей в рамках приближения локальной плотности с явным учетом одноузельного кулоновского взаимодействия (LDA + U) для кристаллической структуры, соответствующей T = 300 K. Обсуждаются общие тенденции поведения оптических свойств GdBaCo[2]O[5. 5] и EuBaCo[2]O[5. 5]. Показано, что оптический отклик на металлической стороне перехода металл-изолятор формируется за счет перераспределения спектрального веса оптической проводимости от высоких энергий к низким и носит существенно некогерентный характер. Экспериментальная величина оптической щели в фазе изолятора GdBaCo[2]O[5. 5], равная E[g] = 0. 26 eV, близка к теоретической оценке. Анализ температурной зависимости оптических функций для полос поглощения использован для индентификации типа межзонных переходов. Доп.точки доступа: Махнев, А. А.; Номерованная, Л. В.; Стрельцов, С. В.; Анисимов, В. И.; Барило, С. Н.; Ширяев, С. В. |
Аминов, Л. К. О кластерах редкоземельных ионов в примесных кристаллах со структурой флюорита [Текст] / Л. К. Аминов, И. Н. Куркин> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 700-702. - Библиогр.: с. 702 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кластеры -- кластеры редкоземельных ионов -- редкоземельные ионы -- примесные кристаллы -- парамагнитные ионы Аннотация: В кристаллах BaF[2], активированных парамагнитными ионами Yb{3+}, при концентрациях свыше 0. 01 at. % наблюдается линия, отнесенная к линейному кластеру Yb-F-Yb-F, ориентированному вдоль оси третьего порядка. Доп.точки доступа: Куркин, И. Н. |
Мамедов, А. А. Влияние дефектности структуры кристаллов gamma-La[2 (1-x) ]Nd[2x]S[3] на их спектроскопические свойства [Текст] / А. А. Мамедов> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 440-444 : ил. - Библиогр.: с. 444 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- комбинационное рассеяние света -- монокристаллы -- нелегированные монокристаллы -- спектры фотолюминесценции -- спектроскопические свойства -- кристаллы -- дефектность -- халькогениды -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- ионы -- длина волны -- неодим Аннотация: Приводятся результаты исследования фотолюминесценции и комбинационного рассеяния света нелегированных монокристаллов gamma-Ln[2]S[3] (Ln-редкоземельный ион), а также кинетики распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима в этих кристаллах. Дается объяснение искажения кривой распада уровня {4}F[3/2] ионов неодима при возбуждении светом с длиной волны lambda=0. 53 мкм. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрические и люминесцентные свойства кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа [Текст] / В. Б. Шмагин [и др. ]> // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1533-1538. : ил. - Библиогр.: с. 1538 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- редкоземельные ионы -- РЗ ионы -- электрические свойства -- люминесцентные свойства -- светоизлучающие структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- возбуждение ионов эрбия -- ионы эрбия -- туннельно-пролетные светодиоды -- светодиоды -- квантовая эффективность -- мощность излучения -- p-n переходы -- экспериментальные исследования Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований электрофизических и люминесцентных свойств кремниевых диодных светоизлучающих структур p{+}/n{+}/n-Si: Er туннельно-пролетного типа, излучающих при обратном смещении в режиме пробоя p{+}/n{+}-перехода. Определены мощность, излучаемая в диапазоне lambda~1. 5 мкм (~5 мкВт), внешняя квантовая эффективность (~10{-5}) и эффективность возбуждения ионов эрбия (~2 x 10{-20} см{2}с) при комнатной температуре. Показано, что при одной и той же эффективности возбуждения туннельно-пролетные светодиоды превосходят диодные структуры типа p{+}/n-Si: Er по мощности излучения. Проведено сопоставление экспериментальных результатов с модельными представлениями о работе туннельно-пролетного светодиода. Обсуждаются факторы, ограничивающие интенсивность электролюминесценции и эффективность ударного возбуждения ионов эрбия в структурах данного типа. Доп.точки доступа: Шмагин, В. Б.; Кузнецов, В. П.; Кудрявцев, К. Е.; Оболенский, С. В.; Козлов, В. А.; Красильник, З. Ф. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние давления на структуру и динамику решетки эльпасолитов Cs[2]NaRF[6] (R=Y,Yb): ab initio расчет [Текст] / В. А. Чернышев [и др.]> // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 6. - С. 971-974 : схемы, граф., табл. - Библиогр.: с. 974 (22 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кристаллы -- редкоземельные ионы -- эльпасолиты Аннотация: Исследовано влияние гидростатического сжатия на структуру и динамику кристаллической решетки эльпасолитов Cs[2]NaYbF[6] и Cs[2]NaYF[6] (пр. гр. 225) в рамках ab initio подхода. Доп.точки доступа: Чернышев, В. А.; Петров, В. П.; Никифоров, А. Е.; Закирьянов, Д. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алексеев, П. А. Высшие бориды: особенности и детали динамики решетки по данным нейтронной спектроскопии [Текст] / П. А. Алексеев> // Успехи физических наук. - 2015. - Т. 185, № 4. - С. 353-370 : 20 рис. - Библиогр.: с. 369-370 (88 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Спектроскопия Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нейтронная спектроскопия -- фононные спектры -- электрон-фононное взаимодействие -- бориды -- редкоземельные ионы -- каркасно-кластерные решетки -- кристаллические решетки -- динамика кристаллической решетки -- метод неупругого рассеяния -- экспериментальные исследования Аннотация: Обсуждены результаты разносторонних исследований атомной динамики и специфических особенностей электрон-фононного взаимодействия в трехмерных каркасно-кластерных решетках методами неупругого рассеяния нейтронов в сочетании с феноменологическими и первопринципными расчетами. Обнаружено существенное сходство атомно-колебательных спектров этих систем, принципиально обусловленное сильной, специфичной для них иерархией межионных взаимодействий, проявляющееся как в подобии дисперсионных кривых для низкоэнергетических фононов, так и в значении энергии для края колебательного спектра. Детально исследованы проявления сильного электрон-фононного взаимодействия в спектре колебаний боридов, проанализирована их связь с характером и особенностями валентно-нестабильного состояния редкоземельных ионов. Особое внимание уделено эффектам резонансной неадиабатичности и магнито-вибрационного взаимодействия в системах со спиновыми и зарядовыми флуктуациями. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тагиев, Б. Г. Фотолюминесценция поликристаллов CaGa[2]S[4]:Pr [Текст] / Б. Г. Тагиев, С. А. Абушов, О. Г. Тагиев> // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 120, № 3. - С. 422-426 : граф., схемы. - Библиогр.: с. 426 (20 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): тиогаллат кальция -- празеодим -- люминесценция празеодима -- поликристаллы тиогаллата кальция -- синтез поликристаллов -- люминофоры -- спектры возбуждения -- редкоземельные ионы -- активация ионами -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции (ФЛ) и возбуждения ФЛ поликристаллов CaGa[2]S[4], активированных празеодимом в областях активаторного и фундаментального поглощений матрицы. Установлено, что спектр возбуждения ФЛ состоит из двух областей: широкополосной, обусловленной фундаментальным поглощением матрицы и охватывающей 200–380 нм, и узкополосной, обусловленной активаторным поглощением и охватывающей 430–515 нм. В зависимости от возбуждения из различных областей длин волн спектры люминесценции различны, что связано с замещением ионами Pr{3+} двухвалентных катионов, занимающих различные кристаллографические положения в кристаллической решетке матрицы. Доп.точки доступа: Абушов, С. А.; Тагиев, О. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Интенсивность излучения внутрицентровых 4f-переходов редкоземельных ионов в видимой и инфракрасной областях спектра в пленках ZnO, легированных Er, Tm, и дополнительно введенными примесями Ag, Li, N [Текст] / М. М. Мездрогина [и др.]> // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 2. - С. 238-247 : граф. - Библиогр.: с. 246-247 (16 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Кл.слова (ненормированные): редкоземельные ионы -- интенсивность излучения -- внутрицентровые переходы -- спектральные области -- инфракрасные области спектра -- легированные пленки -- примеси -- магнетронное распыление -- соактиваторы -- излучение пленок -- ультрафиолетовое излучение -- оптоэлектроника Аннотация: Исследовано влияние параметров роста пленок ZnO, полученных магнетронным распылением на переменном токе, легированных Er, Tm и соактиваторами Li, N, Ag, Eu на интенсивность излучения внутрицентровых 4f-переходов в видимой и ИК областях спектра, а также исследование влияния редкоземельных ионов на интенсивность излучения пленок ZnO в ультрафиолетовой области спектра. Доп.точки доступа: Мездрогина, Маргарита Михайловна; Виноградов, Андрей Яковлевич; Еременко, Максим Викторович; Левицкий, Владимир Сергеевич; Теруков, Евгений Иванович; Кожанова, Юлия Владимировна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |