Свойства наноструктур Al[2]O[3]: nc-Si, сформированных путем ионной имплантации кремния в сапфир и аморфные пленки оксида алюминия [Текст] / Д. И. Тительбаум [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 385-392. - Библиогр.: с. 391-392 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
наноструктуры -- ионная имплантация -- ионная имплантация кремния в сапфир -- аморфные пленки -- аморфные пленки оксида алюминия -- фотолюминесценция -- инфракрасная Фурье-спектроскопия -- Фурье-спектрскопия инфоракрасная -- рамановское рассеяние -- оксид алюминия
Аннотация: Методами фотолюминесценции, инфракрасной Фурье-спектроскопии, рамановского рассеяния, просвечивающей электронной микроскопии и дифракции электронов исследованы люминесцентные, оптические и структурные свойства слоев оксида алюминия (сапфира и нанесенных на кремний пленок Al[2]O[3]), подвергнутых ионной имплантации Si{+} с целью создания нанокристаллов кремния. Установлено, что при высокотемпературном отжиге имплантированных большими дозами образцов в обоих случаях формируются нанористаллы кремния, однако их люминесцентные свойства существенным образом зависят от типа исходной матрицы - в пленках Al[2]O[3] нанокристаллы излучают в типичной для квантовых точек Si области (700-850 nm), а в сапфире такая люминесценция отсутствует. Выявленное различие интерпретируется как следствие локальных механических напряжений, возникающих в системе нанокристалл/сапфир и приводящих к разрыву химических связей на границе этих фаз, тогда как в пленках Al[2]O[3]механические напряжения релаксируют.


Доп.точки доступа:
Тетельбаум, Д. И.; Михайлов, А. Н.; Белов, А. И.; Ершов, А. В.; Питиримова, Е. А.; Планкина, С. М.; Смирнов, В. Н.; Ковалев, А. И.; Turan, R.; Yerci, S.; Finstad, T. G.; Foss, S.




   
    Исследование оптических свойств аморфного углерода, модифицированного платиной [Текст] / А. Д. Ременюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 947-952 : ил. - Библиогр.: с. 951 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
аморфный углерод -- магнетронное распыление -- оптические свойства -- эллипсометрия -- инфракрасное поглощение -- рамановское рассеяние -- кластеры платины
Аннотация: Исследованы пленки аморфного углерода (alpha) -C и пленки модифицированного платиной композита на его основе (alpha) -C-Pt, полученные методом магнетронного распыления в широком диапазоне толщин и концентраций модифицирующей платины, изготовленные при сохранении оптимального для каталитической активности (alpha) -C-Pt режима. Для исследования использованы методы эллипсометрии, инфракрасной и рамановской спектроскопии. На основании анализа спектров показано, что кластеры платины встраиваются в систему графеновых плоскостей аморфного углерода без существенной перестройки самой углеродной структуры, а увеличение количества модифицирующей платины в составе пленки (alpha) -C-Pt приводит к уменьшению размеров графеновых кластеров.


Доп.точки доступа:
Ременюк, А. Д.; Звонарева, Т. К.; Захарова, И. Б.; Толмачев, В. А.; Беляков, Л. В.; Перова, Т. С.




   
    Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 194-199 : ил. - Библиогр.: с. 198-199 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
УДК
ББК 22.37 + 22.345
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

   Люминесценция

Кл.слова (ненормированные):
гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы -- эпитаксиальные твердые растворы -- рамановское рассеяние -- фотолюминесценция -- спектроскопия -- фотолюминесцентная спектроскопия -- люминесценция -- кристаллические решетки -- дефекты -- нанокластеры -- акцепторы -- углеродные акцепторы
Аннотация: Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов AlGaAs. Показано, что полученные в ходе работы экспериментальные данные коррелируют с результатами структурных и оптических исследований, проведенных в предыдущей работе. Подтверждено предположение о том, что при высоких концентрациях углеродного акцептора атомы последнего концентрируются на дефектах кристаллической решетки твердого раствора AlGaAs с образованием нанокластеров углерода.


Доп.точки доступа:
Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Тарасов, И. С.; Журбина, И. А.




   
    Анализ структурно-группового состава трансформаторного масла марки ГК по данным ИК, Рамановского рассеяния и ЯМР спектроскопии [Текст] / О. Е. Куракина [и др.] // Известия вузов. Проблемы энергетики. - 2011. - № 11/12. - С. 92-97. : граф. - Библиогр.: с. 96-97 (11 назв.). - Примеч.: с. 97
УДК
ББК 31.261.8 + 22.344 + 24.23
Рубрики: Энергетика
   Трансформаторы

   Физика

   Спектроскопия

   Химия

   Органические соединения

Кл.слова (ненормированные):
трансформаторное масло -- ГК -- структурно-групповой состав масла -- Рамановское рассеяние -- рассеяние Рамановское -- спектры ИК -- ЯМР спектроскопия -- ароматические соединения
Аннотация: Анализ структурно-группового состава трансформаторного масла марки ГК в модельных условиях при комнатной температуре.


Доп.точки доступа:
Куракина, Ольга Евгеньевна (ассистент); Туранова, Ольга Алексеевна (кандидат химических наук; старший научный сотрудник); Козлов, Владимир Константинович (доктор физико-математических наук; профессор); Туранов, Александр Николаевич (кандидат физико-математических наук; старший научный сотрудник)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)