Локализация экситонного возбуждения в планарных структурах Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te/Cd[0. 7]Mg[0. 3]Te [Текст] / В. Ф. Агекян [и др. ]> // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2261-2264. - Библиогр.: с. 2264 (18 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спектры излучения экситона -- люминесценция -- люминесценция локализованных экситонов -- оптические свойства наноструктур -- строение ультратонких слоев -- разбавленные магнитные полупроводники -- наноструктурированные пленки Аннотация: Исследованы спектры излучения экситона в серии периодических структур с ультратонкими узкозонными включениями Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te в матрице Cd[0. 7]Mn[0. 3]Te. Сложная структура спектров люминесценции и их соотношение со спектрами возбуждения свидетельствуют о наличии крупномасштабных флуктуаций толщин узкозонных слоев. Установлено два типа температурной зависимости люминесценции локализованных экситонов: 1) полное подавление излучения выше 80 K; 2) относительное усиление температурно-устойчивой низкоэнергетической полосы, соответствующей локальным утолщениям планарных слоев Cd[0. 9]Mn[0. 1]Te. Доп.точки доступа: Агекян, В. Ф.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г.; Karczewski, G. |
Теплофизические свойства полупроводниковых наноструктур на основе оксида цинка [Текст] / Х. Т. Игамбердиев [и др. ]> // Инженерно-физический журнал. - 2010. - С. 809-813. : 4 рис. - Библиогр.: с. 812-813 (31 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): разбавленные магнитные полупроводники -- оксид цинка -- наноструктура -- теплопроводность -- температуропроводность -- теплоемкость -- контактное тепловое сопротивление Аннотация: Комбинация двух методов - лазерной модуляции и 3омега - была использована для определения теплоемкости, теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка. Обнаружено существенное различие тепловых параметров наноструктур оксида цинка, выращенных различными технологическими методами. Показано, что относительно низкие значения теплопроводности и температуропроводности наноструктур оксида цинка обусловлены как внутренними дефектами, так и сопротивлением контакта между пленкой и ее основанием - подложкой. Доп.точки доступа: Игамбердиев, Х. Т.; Юлдашев, Ш. У.; Курбанов, C. C.; Kang, T. W.; Хабибуллаев, П. К.; Рахимова, Ш. М.; Пеленович, В. О.; Шашков, А. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурное тушение внутрицентровой люминесценции ионов Mn{2+} в разбавленных магнитных полупроводниках [Текст] / В. Ф. Агекян [и др.]> // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С. 558-561 : граф., схема. - Библиогр.: с. 561 (9 назв.). - Доклад, представленный на XVI Международном Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): внутрицентровая люминесценция -- температурное тушение ионов -- ионы марганца -- полупроводники -- магнитные полупроводники -- разбавленные магнитные полупроводники -- спектральные составы -- интенсивности люминесценции -- эпитаксиальные слои -- квантовый выход люминесценции -- магнитные поляроны Аннотация: Исследованы температурные зависимости спектрального состава и интенсивности внутрицентровой люминесценции 3d-оболочки ионов Mn{2+} и температурная зависимость спектров возбуждения люминесценции в эпитаксиальном слое Cd[0. 2]Mn[0. 8]Te при различных уровнях оптического возбуждения. Установлено, что в кристаллах типа II[1-x]Mn[x]VI с высокой концентрацией марганца характеристики внутрицентровой люминесценции Mn{2+} зависят от эффективности миграции возбуждения по ионам марганца. В условиях миграции квантовый выход люминесценции определяется кооперативным эффектом. Доп.точки доступа: Агекян, В. Ф.; Серов, А. Ю.; Философов, Н. Г.; Штром, И. В.; Karczewski, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |