Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З. |
Арбузова, Т. И. Релаксация радиационных дефектов в CuO [Текст] / Т. И. Арбузова, C. В. Наумов, В. Л. Арбузов // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 89, вып. 8. - С. 478-482
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- поликристаллы -- нанокерамика -- восприимчивость -- ферромагнитные поляроны -- антиферромагнитная матрица Аннотация: Изучена релаксация радиационных дефектов в облученных электронами дозой F=5·10\{18\} см\{-2\} поликристалле CuO и нанокерамике с размером частиц d=15 нм. В облученных образцах наблюдается сильное увеличение восприимчивости при понижении T меньше 150 К, что связано с образованием вблизи дефектов ферромагнитных поляронов в антиферромагнитной матрице. Нарушение структурной симметрии приводит к нестабильному состоянию образцов. Проведено сравнение временных изменений магнитных свойств в образцах CuO, полученных разными методами. Доп.точки доступа: Наумов, C. В.; Арбузов, В. Л. |
Аномальные магнитные свойства облученного электронами антиферромагнитного монооксида меди [Текст] / Т. И. Арбузова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 904-910. - Библиогр.: с. 910 (29 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монооксид меди -- антиферромагнитный монооксид меди -- радиационные дефекты -- электронное облучение -- магнитный момент -- спонтанный магнитный момент Аннотация: Исследовано влияние радиационных дефектов на магнитные свойства поликристалла CuO и плотной нанокерамики с размером кристаллитов d=5 и 15 nm в области T=77-300 K. Электронное облучение флюенсом Ф= 5*10{18} cm{-2} привело к аномальному для 3D-антиферромагнетиков повышению восприимчивости хи около 1/T ниже 150 K. Нелинейня зависимость намагниченности в слабых полях, увеличение магнитного момента при понижении температуры и спонтанный магнитный момент в области T < 150 K объясняются локальными изменениями обменных параметров и образованием кластеров с некомпенсированным магнитным моментом в антиферромагнитной матрице вблизи точечных дефектов. Доп.точки доступа: Арбузова, Т. И.; Наумов, С. В.; Арбузов, В. Л.; Дружков, А. П. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Радиационные эффекты в кристаллах теллурида кадмия-ртути [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 6. - С. 10-17. - Библиогр.: с. 16-17 (35 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия-ртути -- радиационные дефекты -- фотодетектор -- ионная имплантация Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по процессам радиационного дефектообразования в КРТ, выращенном объемными и эпитаксиальными методами. Рассмотрено влияние на электрофизические параметры материала обучения Y-квантами, электронами и ионами. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Надатомная структура радиационных дефектов в синтетическом кварце по данным рассеяния нейтронов [Текст] / В. М. Лебедев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 5. - С. 937-941. - Библиогр.: с. 941 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- синтетический кварц -- рассеяние нейтронов -- метод малоуглового рассеяния нейтронов -- облучение нейтронами Аннотация: Методом малоуглового рассеяния нейтронов исследована наносторуктура образцов синтетического кварца, облученных быстрыми нейтронами реактора с энергией E[n]>0. 1 MeV. Флюенсы составляли от 10{17} до 2x10{20} n/cm{2}. В облученных образцах кварца начиная с флюенса 10{17} n/cm{2} по всему его объему наблюдаются точечные, протяженные (дислокационные петли) и объемные дефекты --- тепловые пики радиусом до 50 nm. Общая доля образовавшихся дефектных областей, где вещество находится в некристаллическом состоянии, при флюенсе 2x10{20} n/cm{2} превышает 10% объема образца. Получены данные об образовании в этом образце кварца метамиктной стеклообразной фазы. Доп.точки доступа: Лебедев, В. М.; Лебедев, В. Т.; Орлов, С. П.; Певзнер, Б. З.; Толстихин, И. Н.; Torok, Gy. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние облучения на характеристики приборов с накоплением заряда [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 7. - С. 32-37. . - Библиогр.: с. 37 (37 назв. )
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- радиационно-стойкие приборы -- приборы с накоплением заряда Аннотация: Проведен обзор имеющихся данных по радиационной стойкости приборов с накоплением заряда. Рассмотрено влияние облучения y-квантами, нейтронами, электронами и протонами на образование радиационных дефектов в различных типах приборов с накоплением заряда и изменение их характеристик. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 807-816. : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2010. - N 9. - С. 48-52. . - Библиогр.: с. 51-52 (27 назв. )
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия-ртути -- радиационные дефекты -- фотодетектор -- матричные фотодетекторы -- одноэлементные фотодетекторы Аннотация: Приведен обзор имеющихся данных по влиянию облучения на характеристики фотодетекторов из HgCdTe. Рассмотрено влияние облучения y-квантами и электронами. Показано, что фотоприемники с пассивацией CdTe имеют высокую радиационную стойкость. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Коханенко, А. П.; Коротаев, А. Г.; Григорьев, Д. В.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
К вопросу однородности свойств CVD-пленок 4H-SiC [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 1002-1006. : ил. - Библиогр.: с. 1006 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CVD-пленки -- электрофизические свойства -- радиационные дефекты -- РД -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- первично выбитые атомы -- ПВА -- глубокие центры -- ГЦ -- облучение электронами -- электронное облучение -- протоны -- ядерная спектрометрия -- проводимость -- компенсация проводимости -- 4H-SiC Аннотация: Для выявления неоднородности электрофизических свойств CVD-пленок 4H-SiC использованы физико-химические реакции, возникающие при введении радиационных дефектов структуры. Первично выбитые из узлов решетки атомы и вакансии активно взаимодействуют с примесями и дефектами исходного материала, формируя конечную систему радиационных центров. Облучение велось электронами с энергией 900 кэВ, протонами с энергией 8 МэВ в области доз, не приводящих к компенсации проводимости (менее 7. 5x10{12} см{-2}), а также дозой 6x10{14} см{-2}, вызывающей глубокую компенсацию. Использование емкостных методов, несмотря на усреднение характеристик по площади, выявило неидентичность характеристик образцов размерами ~3 мм. С применением техники ядерной спектрометрии, позволяющей осуществить микрозондирование образца, обнаружено индивидуальное поведение отдельных участков пленки масштабом до десятков мкм{2}. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Строкан, Н. Б.; Щербов, Н. А.; Лебедев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1017-1020. : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Макин, Р. С. К механизму образования скоплений дефектов в твердых телах [Текст] / Р. С. Макин // Вестник Ульяновского государственного технического университета. - 2010. - N 4. - С. 25-28. . - Библиогр.: с. 28 (11 назв. )
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): дефекты -- диффузия -- кинетические уравнения -- неустойчивость -- радиационные дефекты -- теория упругости -- упругость Аннотация: Предлагается общий механизм неустойчивости однородного поля распределения дефектов большой плотности. Он состоит в возникновении потока дефектов против градиента их концентрации за счет деформации решетки, обусловленной, в свою очередь, скоплением дефектов. Получены кинетические уравнения на основе модели дефектов в линейной теории упругости. Показано, что неустойчивость концентрации дефектов возникает при достижении некоторой критической величины. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рашидова, Ш. Ш. Радиационные дефекты в монокристаллах InP (Sn), облученных гамма-квантами {60}Со [Текст] / Ш. Ш. Рашидова // Инженерно-физический журнал. - 2011. - Т. 84, N 2. - С. 442-444. : 2 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 444 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антиструктурный дефект -- метод радиотермолюминесценции -- энергия активации -- монокристаллы -- радиационные дефекты Аннотация: Методом радиотермолюминесценции исследован процесс образования антиструктурных дефектов в кристаллах легированного оловом InP, подвергнутых облучению гамма-квантами дозой 10-100 кГр. 0бнаружено, что энергия активации уровня 0 26 эВ благоприятствует получению полуизолирующего фосфида индия. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Войцеховский, А. В. Низкотемпературная активация ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-x Te [Текст] / А. В. Войцеховский, Н. Х. Талипов // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 36-49 : рис., табл. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): CdHgTe -- гетероэпитаксиальные слои -- имплантированный азот -- имплантированный бор -- ионная имплантация -- мезафотодиоды -- радиационные дефекты -- спектр подвижности -- электрическая активация атомов -- электрическая активация ионно-имплантированных атомов Аннотация: Исследованы процессы электрической активации ионно-имплантированных атомов бора и азота в гетероэпитаксиальных слоях Cd_xHg_1-x Te (КРТ), выращенных методами молекулярно-лучевой (ГЭС КРТ МЛЭ) и жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ КРТ), а также в объемных кристаллах КРТ, при низкотемпературных отжигах под анодным окислом. Показана возможность использования анодного окисла как эффективного маскирующего покрытия для постимплантационных отжигов ГЭС КРТ МЛЭ р-типа в температурном интервале Т = 200-250 °С без нарушения состава верхнего варизонного слоя и изменения электрофизических свойств структуры. Установлено, что в ГЭС КРТ МЛЭ эффективность активации бора как медленно диффундирующей донорной примеси снижается с ростом дозы ионов B + и увеличивается при термоциклировании от Т = 77 К до комнатной температуры. Имплантированный азот, в отличие от бора, является быстро диффундирующей акцепторной примесью в КРТ, эффективно компенсирующий как радиационные донорные центры, так и активированный бор. Степень электрической активации азота существенно возрастает при термоциклировании. Показано, что «спектр подвижности» является эффективным методом контроля процесса электрической активации бора в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа. Впервые изготовленные меза-фотодиоды на основе активированного бора в ГЭС КРТ МЛЭ р-типа с длинноволновой границей фоточувствительности лямбда с = 11 мкм имели высокое максимальное значение произведения дифференциального сопротивления на площадь фотодиода R_0 A = (6-8) •10 Доп.точки доступа: Талипов, Н. Х. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование воздействия мощного импульсного лазерного ИК-излучения на свойства поверхности гетероэпитаксиальных слоев Cd_x Hg_1-x Te [Текст] / К. О. Болтарь [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 29-36 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35-36 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Cd_x Hg_1-x Te -- гетероэпитаксиальные слои -- деградация поверхностей -- лазерное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Представлены результаты исследования радиационной модификации поверхности гетероэпитаксиальных слоев Cd_x Hg_1-x Te (КРТ), выращенных методами молекулярно-лучевой и жидкофазной эпитаксии (ГЭС КРТ МЛЭ и ЖФЭ КРТ), при воздействии мощного импульсного коротковолнового ИК-излучения. Установлено, что после воздействия мощных импульсов лазерного коротковолнового ИК-излучения поверхность ГЭС КРТ МЛЭ и ЖФЭ КРТ обогащается ртутью. Доп.точки доступа: Болтарь, К. О.; Бурлаков, И. Д.; Войцеховский, А. В.; Сизов, А. Л.; Средин, В. Г.; Талипов, Н. Х.; Шульга, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Влияние жесткой радиации на электронные, оптические и рекомбинационные свойства соединений (Al, Ga, In)-P, (Al, Ga)-As и их твердых растворов [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 8. - С. 37-39 : табл. - Библиогр.: c. 39 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): AlAs -- AlP -- GaAs -- GaP -- InP -- лазерные структуры -- радиационная деградация -- радиационные дефекты -- светодиодные гетероструктуры -- светодиодные структуры -- светодиоды -- свойства полупроводников -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Представлены данные экспериментальных и теоретических исследований электронных, оптических и рекомбинационных свойств AlP, InP, GaP, AlAs, GaAs и их твердых растворов, подвергнутых воздействию жесткой радиации. Проанализировано влияние жесткой радиации на свойства лазерных и светодиодных структур на основе этих материалов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности отжига радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия [Текст] / В. В. Литвинов [и др.] // Перспективные материалы. - 2013. - № 8. - С. 24-28 : 5 рис. - Библиогр.: с. 28 (8 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Атомное ядро Кл.слова (ненормированные): германий -- олово -- энергетические уровни -- радиационные дефекты Аннотация: Исследовано влияние олова на протекание реакций дефектов в ходе изохронного отжига кристаллов Ge n- и р-типа, облученных электронами с энергией 6 МэВ при 80 К. Показано, что после нагрева облученных кристаллов до 300 К доминируют акцепторные комплексы Sn - V с энтальпией ионизации дырок 0, 16 ± 0, 01 эВ и энергией активации для эмиссии дырок 0, 19 эВ. Отжиг при температурах Т ~ 50 - 100 °C центров Sn - V в легированных фосфором кристаллах Ge сопровождается высвобождением вакансий и образованием комплексов вакансия - фосфор (VP). Доп.точки доступа: Литвинов, В. В.; Петух, А. Н.; Покотило, Ю. М.; Маркевич, В. П.; Ластовский, С. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новиков, Л. С. Особенности радиационных воздействий на наноструктированные материалы [Текст] / Л. С. Новиков, Е. Н. Воронина, Н. П. Чирская // Перспективные материалы. - 2013. - № 11. - С. 12-21 : 9 рис. - Библиогр.: с. 20-21 (40 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): космическая радиация -- углеродные наноструктуры -- наноматериалы -- радиационные дефекты -- математическое моделирование Аннотация: Рассмотрены особенности образования и миграции радиационных дефектов в углеродных нанотрубках (УНТ) и наноструктурированных материалах. Описаны основные методы и программные средства, используемые при компьютерном моделировании структуры наноматериалов и процессов воздействия на них корпускулярных излучений космического пространства. Доп.точки доступа: Воронина, Е. Н.; Чирская, Н. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |