Действие излучения на схемы памяти с фазовым изменением на халькогенидных стеклах [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 40-47. - Библиогр.: с. 46-47 (43 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): память с фазовым переходом -- халькогенидные стекла -- GST -- радиационная стойкость Аннотация: Рассмотрены и проанализированы данные по действию облучения на элементы памяти с фазовым переходом. Рассмотрены параметры материала Ge2Sb2Te5 (GST) и ячеек памяти на его основе. Проведены оценки радиационных повреждений в GST. Полученные результаты сравниваются с имеющимися опубликованными экспериментальными данными по радиационной стойкости ячеек памяти и интегральных схем, создаваемых на основе халькогенидных материалов с различным составом. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Баранова, Е. К.; Баранова, И. В.; Бударагин, В. В.; Литвинов, В. Л. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Муратов, Олег Энверович (кандидат технических наук). Иммобилизация радиоактивных и токсичных отходов в магнезиально-минеральных матрицах [Текст] = Immobilization of radioactive and toxic waste in magnesite mineral matrix / О. Э. Муратов, С. М. Царева // Экология промышленного производства. - 2012. - № 4. - С. 43-55 : 5 рис., 3 табл. . - ISSN 2073-2589
Рубрики: Экология Экологические основы жизнедеятельности населения Кл.слова (ненормированные): магнезиально-минерально-солевые композиции -- ММСК -- радиоактивные отходы -- радионуклиды -- иммобилизация -- радиационная стойкость Аннотация: Для эффективного обезвреживания отходов предлагается их иммобилизация - перевод радиоактивных и токсичных вредных веществ в экологически безопасное состояние с помощью новых материалов, в частности, магнезиально-минерально-солевой композиции (ММСК). Доп.точки доступа: Царева, Светлана Михайловна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационная стойкость конструкционных материалов атомных реакторов при облучении высокоэнергетичными ионами водорода и гелия [Текст] / Ф. Ф. Комаров [и др.] // Инженерно-физический журнал. - 2013. - Т. 86, № 6. - С. 1393-1396 : 5 рис. - Библиогр.: с. 1396 (4 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Энергетика Ядерные реакторы Кл.слова (ненормированные): конструкционные материалы -- высокоэнергетические ионы -- радиационная стойкость -- внедрение ионов Аннотация: Изложены базовые принципы определения радиационной стойкости конструкционных материалов атомных реакторов с использованием имплантации высокоэнергетичных ионов водорода и гелия. Проведен расчет параметров процесса имплантации легких ионов. Доп.точки доступа: Комаров, Ф. Ф.; Комаров, А. Ф.; Пилько, Вл. В.; Пилько, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Михайлов, М. М. Изменение спектров диффузного отражения после облучения в вакууме ультрафиолетом и электронами покрытия на основе модифицированного наночастицами фотолюминофора для светодиодов видимого диапазона [Текст] / М. М. Михайлов // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 10. - С. 133-134 : рис. - Библиогр.: c. 134 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Оптические свойства твердых тел Физика Кл.слова (ненормированные): модифицирование наночастицами диоксида циркония -- модифицирование наночастицами оксида алюминия -- радиационная стойкость -- релаксация дефектов -- светодиоды -- спектры диффузного отражения -- фотолюминофоры Аннотация: В статье рассмотрено изменение спектров диффузного отражения после облучения в вакууме ультрафиолетом и электронами покрытия на основе модифицированного наночастицами фотолюминофора для светодиодов видимого диапазона. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ястребинский, Р. Н. Радиационная стойкость конструкционного радиационно-защитного композиционного материала на основе магнетитовой матрицы [Текст] / Р. Н. Ястребинский, Г. Г. Бондаренко, В. И. Павленко // Перспективные материалы. - 2016. - № 6. - С. 23-29 : 4 табл., 7 рис. - Библиогр.: с. 27-28 (6 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Химическая технология Высокомолекулярные соединения в целом Кл.слова (ненормированные): магнетитовые концентраты -- этилсиликаты -- радиационно-защитные композиты -- электронное излучение -- поглощенная доза -- радиационная стойкость Аннотация: Теоретически и экспериментально исследовано воздействие быстрых электронов с энергией 0, 5 - 6, 2 МэВ при флюенсе 10{18} электронов/см{2} и гамма-источников {60}Со (Е = 1, 25 МэВ) при поглощенной дозе 0, 1 - 25 МГр на радиационно-защитные композиты на основе магнетитовой матрицы, используемые для биологической защиты атомного реактора. Исследована глубина проникновения электронного пучка и характер распределения поглощенной дозы быстрых электронов по толщине защитного композита. Установлены процессы, способствующие изменению валентно-координационного состояния атомов железа, структурно-фазового и магнитного состояний в композите при воздействии быстрых электронов и гамма-излучения. Доп.точки доступа: Бондаренко, Г. Г.; Павленко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Роль границ раздела в многослойном TiN/SiN[x]-нанокомпозите при облучении [Текст] / В. В. Углов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 127-137 : рис. - Библиогр.: c. 137 (29 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Математическая физика Ядерная физика в целом Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфно-кристаллические композиты -- границы раздела -- дисклинации -- кинетика радиационных дефектов -- межфазные границы -- многослойные нанокомпозиты -- поля напряжений -- радиационная стойкость Аннотация: Исследуется кинетика радиационных точечных дефектов с учетом процессов их генерации, диффузионной рекомбинации и действия стоков, которыми являются межфазные границы, в многослойном TiN/SiN[x]-нанокомпозите. Для описания кинетики в нанокристаллической TiN- и аморфной SiN[x]-фазах численно решались системы балансных кинетических уравнений для абсолютных концентраций дефектов, зависящих от пространственных координат и времени, методом конечных разностей. С использованием дисклинационно-дислокационной модели структуры межфазной границы рассмотрен процесс осаждения радиационных дефектов на границы в создаваемых ими полях напряжений. Показано, что межфазные границы эффективно поглощают радиационные дефекты в составляющих фазах TiN/SiN[x]-нанокомпозита, уменьшая их количество в пространстве между ними. Подобное поведение радиационных дефектов частично раскрывает механизм радиационной стойкости в рассматриваемом классе нанокомпозитов. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Сафронов, И. В.; Квасов, Н. Т.; Ремнев, Г. Е.; Шиманский, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности радиационных изменений электрических свойств InAlN/GaN HEMT [Текст] / Афонин А. Г., Брудный В. Н., Брудный П. А., Великовский Л. Э. // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 106-112. - Библиогр.: с. 112 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): InAlN/GaN-транзистор -- высокоэнергетическая радиация -- нитрид галлия -- облучение гамма-лучами -- облучение протонами -- облучение электронами -- радиационная стойкость -- радиационные ловушки -- уровень зарядовой нейтральности -- электрические свойства InAlN/GaN HEMT Аннотация: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев. Доп.точки доступа: Афонин, А. Г.; Брудный, В. Н.; Брудный, П. А.; Великовский, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Михайлов, М. М. Оптические свойства и радиационная стойкость порошка SiO[2] * nH[2]O, модифицированного наночастицами ZrO[2] [Текст] / М. М. Михайлов, С. А. Юрьев, А. Н. Лапин // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 187-188. - Библиогр.: с. 188 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): модифицирование порошков наночастицами -- оксиды металлов -- радиационная стойкость -- терморегуляция покрытий -- ускоренные электроны Аннотация: Целью работы является исследование влияния пригрева и модифицирования наночастицами SiO[2] на спектры диффузного отражения и их изменение после облучения электронами порошка SiO[2]* nH[2]O, являющегося кремниевой кислотой. Доп.точки доступа: Юрьев, С. А.; Лапин, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |