Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |