Артюхова, Майя Александровна (магистр техники и технологии; аспирант).
    Прогнозирование надежности радиоэлектронных систем космических аппаратов при воздействии ионизирующего излучения [Текст] = Reliability Prediction of Radio-Electronic Systems of Spacecrafts at Ionizing Radiation Influence / М. А. Артюхова // Качество. Инновации. Образование. - 2014. - № 2. - С. 46-50 : 4 рис. - Библиогр.: с. 49-50 (7 назв.)
УДК
ББК 32
Рубрики: Радиоэлектроника
   Радиоэлектроника в целом

Кл.слова (ненормированные):
излучения -- интегральные микросхемы -- ионизирующие излучения -- космические аппараты -- микросхемы -- модели интенсивности отказов -- надежность -- низкоинтенсивное излучение -- прогнозирование надежности -- радиоэлектронные космические аппараты -- радиоэлектронные системы
Аннотация: О вопросах расчетной оценки вероятности безотказной работы радиоэлектронных космических аппаратов при воздействии низкоинтенсивного космического пространства. Приводится описание характеристик ионизирующих излучений и методов расчета накопленной дозы. Показаны основные этапы формирования модели интенсивности отказов интегральных микросхем при воздействии низкоинтенсивного излучения.

Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Кузнецов, Г. В.
    Анализ показателей надежности типичного полупроводникового устройства силовой электротехники [Текст] / Г. В. Кузнецов, Е. В. Кравченко, Н. А. Прибатурин // Электротехника. - 2016. - № 4. - С. 60-65 . - ISSN 0013-5860
УДК
ББК 32.852
Рубрики: Радиоэлектроника
   Полупроводниковые приборы

Кл.слова (ненормированные):
силовые полупроводниковые приборы -- прогнозирование надежности -- тепловые состояния -- температурные поля -- нестационарные температурные поля -- неоднородные температурные поля -- неоднородные нестационарные температурные поля -- интенсивность отказов -- модели Аррениуса -- Аррениуса модели -- теплоотводы -- мультипликативные модели -- силовые диодные модули -- силовая электротехника
Аннотация: Предложен новый подход к прогнозированию показателей надежности на основе численного анализа неоднородных температурных полей силовых полупроводниковых приборов (СПП). Анализ теплового режима работы проводился в двумерной постановке на основе типичного для силовой электротехники прибора - силового диодного модуля с температурой перехода Тпер=125 °С. Для решения дифференциального уравнения теплопроводности применялся метод конечных разностей. В ходе численных экспериментов изменялась температура окружающей среды (25-45 °С) и пространственная ориентация (расположение) диодного модуля. Установлено, что перепады температур составляют более 100°С. Для анализа показателей надежности диодного модуля выбраны две математические модели - Аррениуса и мультипликативная (статистическая) модель. Повышение температуры окружающей среды с 25 до 45 °С приводит к снижению показателей надежности силового диодного модуля приблизительно в два раза. Вертикальная установка модуля снижает теплоотвод в условиях естественной конвекции и вызывает увеличение интенсивности отказов на 10% для Токр=25 °С. При расположении диодного модуля теплоотводящей поверхностью вниз показатели надежности снижаются на 18% при прочих равных условиях. Наибольшие различия в оценках показателя надежности СПП наблюдаются при расположении диодной сборки теплоотводящей поверхностью вниз. Так, при температуре окружающей среды 45 °С интенсивность отказов по модели Аррениуса была в 325 раз выше, чем у мультипликативной модели. Показана необходимость учета реальных нестационарных температурных полей для повышения достоверности прогноза рабочего ресурса СПП.


Доп.точки доступа:
Кравченко, Е. В.; Прибатурин, Н. А.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)