Волнянский, М. Д.
    Диэлектрическая релаксация парных центров Cr{3+} -Li{+} в кристаллах Li[2]Ge[7]O[15] [Текст] / М. Д. Волнянский, М. П. Трубицын, Яхья А. Х. Обайдат // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1385-1388. - Библиогр.: с. 1388 (6 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика--Физика твердого тела
Кл.слова (ненормированные):
гептагерманат лития -- диэлектрическая проницаемость -- диэлектрическая релаксация -- модель дебаевского релаксатора -- примесные центры
Аннотация: Исследованы температурно-частотные зависимости диэлектрической проницаемости кристаллов гептагерманата лития Li[2]Ge[7]O[15], активированных ионами Cr{3+}. Обнаружен диэлектрический отклик, обусловленный переориентацией дипольных моментов примесных центров хрома. Аномалии диэлектрической проницаемости описаны моделью дебаевского релаксатора.


Доп.точки доступа:
Трубицын, М. П.; Яхья А. Х. Обайдат
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Михеев, В. М.
    Подвижность двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов [Текст] / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1770-1779. - Библиогр.: с. 1779 (13 назв. )
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела

Кл.слова (ненормированные):
двумерные электроны -- корреляционные эффекты -- модель твердых шаров -- подвижность электронов -- примесные центры -- пространственные корреляции -- рассеяние электронов
Аннотация: Модель твердых сфер прилагается к описанию корреляционных эффектов в подвижности двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов. Теория развита для случая частично ионизированных примесных центров, когда корреляции в распределении примесных ионов ослаблены вследствие дефицита свободных мест для примесных дырок. Вычисления выполнены для случая гетероструктур с широким спейсером, когда преобладает рассеяние электронов на малые углы.





   
    Примесная терагерцовая люминесценция при межзонном фотовозбуждении полупроводников [Текст] / А. В. Андрианов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 2. - С. 102-105
УДК
ББК 22.379
Рубрики: Физика
   Физика полупроводников и диэлектриков

Кл.слова (ненормированные):
межзонное фотовозбуждение -- фотовозбуждение полупроводников -- фотовозбуждение -- терагерцовая фотолюминесценция -- излучательные переходы -- захват неравновесных носителей -- ионизованные примесные центры -- примесные центры -- электронно-дырочная рекомбинация
Аннотация: Сообщается об обнаружении интенсивного терагерцового излучения при межзонном фотовозбуждении полупроводников (n-GaAs и p-Ge) при низких температурах. Терагерцовая фотолюминесценция обусловлена излучательными переходами, имеющими место в процессе захвата неравновесных носителей на ионизованные примесные центры, которые в свою очередь создаются в кристалле в результате электронно-дырочной рекомбинации с участием примесей. Внешний квантовый выход излучения составляет до 0. 1.


Доп.точки доступа:
Андрианов, А. В.; Захарьин, А. О.; Иванов, Ю. Л.; Кипа, М. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




   
    Юрий Васильевич Шмарцев [Текст] : (к 80-летию со дня рождения) // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1673. : портр.
УДК
ББК 31.233
Рубрики: Энергетика
   Полупроводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
юбилеи -- юбиляры -- полупроводниковые приборы -- ученые -- примесные центры
Аннотация: Юрию Васильевичу Шмарцеву исполнилось бы 80 лет со дня рождения. Юрий Васильевич являлся крупным специалистом в области примесных центров в полупроводниковых материалах.


Доп.точки доступа:
Шмарцев, Ю. В. (российский ученый-физик ; 1930-2010)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Набиуллина, Лилия Ансафовна (магистр физики; аспирант).
    Магниторезонансные свойства монокристаллов BI12SIO20:FE [Текст] = Magnetic resonance properties of single crystals BI12SIO20: FE / Л. А. Набиуллина, Е. Б. Щадрин // Известия Российского государственного педагогического университета им. А.И. Герцена. - 2012. - № 147. - С. 63-72 : 4 рис. - Библиогр.: с. 71-72 (11 назв. ) . - ISSN 1992-6464
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
силлениты -- парамагнитный резонанс -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- оптическая перезарядка -- примесные центры -- монокристаллы -- кристаллы
Аннотация: Исследован электронный парамагнитный резонанс монокристаллов BSO, легированных ионами Fe. Установлено, что интенсивность сигнала электронного парамагнитнго резонанса (ЭПР) линейно растет при увеличении степени легирования. Показано, что финальным состоянием иона Fe3+ при его оптической перезарядке является двухвалентное (Fe2+), а не четырехвалентное (Fe4+) состояние. Предложена непротиворечивая качественная квантовомеханическая модель процессов, протекающих в монокристаллах BSO: Fe при оптической перезарядке примесных центров.


Доп.точки доступа:
Щадрин, Евгений Борисович (доктор физико-математических наук; профессор; заведующий лабораторией)
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Чернышев, В. А.
    Электронная структура примесных центров Sm{3+} во флюорите [Текст] / В. А. Чернышев, А. Е. Никифоров, Г. С. Слепухин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 7. - С. 1361-1365. - Библиогр.: с. 1365 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
электронные структуры -- примесные центры -- флюорит -- кристаллические решетки -- релаксация решетки
Аннотация: В оболочечной модели рассчитана релаксация кристаллической решетки в кубическом и тетрагональном центрах Sm{3+} в CaF[2]. Координаты ионов, полученные с учетом релаксации, использованы для расчета кристаллического поля и электронной структуры центров.


Доп.точки доступа:
Никифоров, А. Е.; Слепухин, Г. С.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)




    Камилов, И. К.
    О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении [Текст] / И. К. Камилов, М. И. Даунов, С. Ф. Габибов // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 12. - С. 184-185 : рис. - Библиогр.: c. 185 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
УДК
ББК 31.232
Рубрики: Энергетика
   Проводниковые материалы и изделия

Кл.слова (ненормированные):
Холла коэффициент -- гидростатическое давление -- диарсенид кадмия-олова -- зоны проводимости -- коэффициент Холла -- примесные центры -- удельное сопротивление -- узкозонные проводники -- энергетические подзоны
Аннотация: О глубоком донорном центре в n-CdSnAs_2 по данным исследования электронного транспорта при гидростатическом давлении.


Доп.точки доступа:
Даунов, М. И.; Габибов, С. Ф.
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)