Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 5-7 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термолюминесценция -- люминесценция -- монокристаллы -- гамма-кванты -- облученные гамма-кванты -- легированные оловом монокристаллы -- ИК-спектроскопия -- антиструктурные дефекты -- примесные дефекты донорного типа -- облученные кристаллы -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа". Доп.точки доступа: Алиев, М. И.; Рашидова, Ш. Ш.; Гусейнова, М. А.; Гаджиева, Н. Н. |