Алисултанов, Заур Замирович. Электронная плотность состояний эпитаксиального графена на поверхности полупроводниковой подложки [Текст] = Electronic density of States of epitaxial graphene on the surface of the semiconductor substrate / З. З. Алисултанов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2015. - № 5. - С. 29-36 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 35-36 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- электронная плотность -- полупроводниковые подложки -- функции Грина -- Грина функции -- гамильтонианы -- гамильтониан Андерсона -- Андерсона гамильтониан -- приближение Халдейна-Андерсона -- Халдейна-Андерсона приближение -- суперконденсаторы -- конденсаторы Аннотация: Рассмотрены электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводниковой подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона в приближении Халдейна-Андерсона. Получено аналитическое выражение для плотности состояний эпитаксиального графена. Исследовано поведение плотности состояний эпитаксиального графена при различных значениях параметров задачи.Considered electronic States of epitaxial graphene formed on the surface of the semiconductor substrate. The approach used is based on a model Hamiltonian of the Anderson in the approximation of Haldane-Anderson. An analytical expression for the density of States of epitaxial graphene. The behavior of the density of States of epitaxial graphene for different values of the parameters of the problem. Доп.точки доступа: Рустамова, Джамиля Маликовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |