Солнечная фотовольтаика: современное состояние и тенденции развития [Текст] / В. А. Миличко [и др.]> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 8. - С. 801-852 : 39 рис. - Библиогр.: с. 849-852 (296 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физическая оптика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): солнечная энергия -- преобразование солнечной энергии -- фотоэлектрическое преобразование света -- фотовольтаика -- солнечная фотовольтаика -- солнечные элементы -- классификация солнечных элементов -- солнечные батареи -- коммерческая фотовольтаика -- перовскиты -- просветляющие покрытия -- светоулавливающие структуры Аннотация: Представлен обзор основных аспектов современной солнечной фотовольтаики от недавно разработанных и уже внедренных на рынок солнечных элементов первого поколения до перспективных элементов, пока еще не вышедших на уровень промышленного производства, а также материалов, на основе которых, возможно, удастся построить солнечные батареи будущего. Акцент в обзоре сделан на физические принципы работы различных солнечных элементов, которые разделены на несколько групп. Также представлены технологические аспекты и экономический анализ солнечной фотовольтаики. Отдельная глава посвящена просветляющим покрытиям и светоулавливающим структурам. Доп.точки доступа: Миличко, В. А.; Шалин, А. С.; Мухин, И. С.; Ковров, А. Э.; Красилин, А. А.; Виноградов, А. В.; Белов, П. А.; Симовский, К. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Комбинационное рассеяние света пленок CuIn[0.95]Ga[0.05]Se[2], полученных методом селенизации [Текст] / Гаджиев Т. М., Билалов Б. А., Алиев М. А. [и др.]> // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 123-126. - Библиогр.: с. 126 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): колебательные моды -- комбинационное рассеяние -- медно-индий-галлиевые пленки -- преобразование солнечной энергии -- преобразователи солнечного излучения -- селенизация -- солнечные элементы -- тонкие пленки CuInGaSe -- фоточувствительность Аннотация: Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы пленки CuIn[0. 95]Ga[0. 05]Se[2] толщиной 0. 6-1. 5 мкм, полученные при температурах селенизации от 300 до 550 ? С. Выявлена оптимальная температурная область селенизации 500 °С ? Т[sel] ? 550 °С и необходимая толщина металлического слоя d > 1 мкм, для формирования качественной тонкой пленки CuIn[0. 95]Ga[0. 05]Se[2]. Показано, что пленки CuIn[0. 95]Ga[0. 05]Se[2], полученные по предложенной нами технологии, приемлемы для использования в качестве активного фоточувствительного слоя высокоэффективных преобразователей солнечного излучения. Доп.точки доступа: Гаджиев, Т. М.; Билалов, Б. А.; Алиев, М. А.; Гаджиева, Р. М.; Алиев, Г. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |