Электродинамические свойства нанопористого кремния в диапазоне от терагерцового до инфракрасного [Текст] / Е. С. Жукова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2137-2145. - Библиогр.: с. 2144-2145 (43 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диэлектрическая проницаемость -- диэлектрический отклик -- кремниевые наноразмерные включения -- метод инфракрасной спектроскопии -- метод терагерцовой спектроскопии -- нанопористый кремний -- пористый кремний -- проводимость Аннотация: Методами терагерцовой и инфракрасной спектроскопии в диапазоне частот 7-4000 cm{-1} при комнатной температуре выполнены первые измерения спектров диэлектрического отклика (проводимости и диэлектрической проницаемости) серии образцов нанопористого кремния, приготовленных анодированием низкоомного монокристаллического кремния. Полученные спектры проанализированы в рамках теории эффективной среды с размерно-зависимой функцией диэлектрического отклика нановключений и усредненными диэлектрическими характеристиками окружающей среды. Определены геометрические и диэлектрические характеристики кремниевых наноразмерных включений. Обнаружено влияние на диэлектрические свойства включений наноразмерных эффектов - рассеяние носителей на границах кристаллитов и увеличения запрещенной зоны вследствие квантового размерного эффекта. В спектрах образцов, приготовленных с добавлением в электролит иода, на частотах 150-300 cm{-1} обнаружен резонанс, природа которого связана с наличием хемосорбированного иода на поверхности пористого кремния. Рассматриваются механизмы изменения широкодиапазонных спектров проводимости и диэлектрической проницаемости монокристаллического кремния при трансформации его структуры в нанопористую. Доп.точки доступа: Жукова, Е. С.; Прохоров, А. С.; Спектор, И. Е.; Караванский, В. А.; Мельник, Н. Н.; Горшунов, Б. П. |
Влияние этанола на оптические и электрофизические параметры пористого кремния [Текст] / В. В. Болотов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 957-960 : ил., табл. - Библиогр.: с. 960 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- ПК -- инфракрасная спектроскопия -- Ик-спектроскопия -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- этанол -- оптические параметры -- электрофизические параметры Аннотация: Методами комбинационного рассеяния света, инфракрасной спектроскопии и измерением вольт-амперных характеристик проведено исследование влияния адсорбции паров этанола на свойства структур на основе пористого кремния. Обнаружено уменьшение сопротивления слоев пористого кремния и одновременный рост интенсивности полосы инфракрасного поглощения, обусловленной наличием групп (OH) {-}... x (OH) {-} (x=1, 2,... ) при экспозиции в парах этанола и наоборот, рост сопротивления пленки пористого кремния и уменьшение поглощения на группах OH{-} при дегазации. Наблюдаемый эффект объясняется изменением области обеднения в элементах скелетона p-Si за счет электростатического взаимодействия групп (OH) {-} с положительно заряженными поверхностными дефектами. Обсуждается влияние на рост проводимости кремния центров с водородной связью типа Si-OH... OH-C[2]H[5]. Доп.точки доступа: Болотов, В. В.; Стенькин, Ю. А.; Росликов, В. Е.; Кан, В. Е.; Пономарева, И. В.; Несов, С. Н. |
Влияние адсорбции на емкостные свойства нанопористого кремния [Текст] / Д. И. Биленко [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 15-18. - Библиогр.: с. 18 (15 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- пористый кремний -- емкостные свойства -- адсорбция полярных молекул -- частотная зависимость -- сенсор -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Исследованы емкостные свойства диодных структур на основе частично окисленного нанопористого кремния в диапазоне частот 10... 10 6 Гц в нормальных условиях и при адсорбции полярных молекул. Обнаружено, что для образцов с барьером Шоттки в низкочастотном диапазоне рост емкости при адсорбции превышает 10 2 раз. Это указывает на возможность создания емкостных сенсоров на основе окисленного нанопористого кремния. Доп.точки доступа: Биленко, Д. И.; Белобровая, О. Я.; Галушка, В. В.; Жаркова, Э. А.; Мысенко, И. Б.; Хасина, Е. И. |
Рентгеновская дифрактометрия и электронная микроскопия слоев пористого Si на разных стадиях окисления на воздухе [Текст] / В. В. Ратников [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 12. - С. 2289-2295. - Библиогр.: с. 2295 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): рентгеновская дифрактометрия -- электронная микроскопия -- просвечивающая электронная микроскопия -- кремний -- пористый кремний -- окисление -- анодное травление -- старение пористого кремния Аннотация: Методами рентгеновской многокристальной дифрактометрии и просвечивающей электронной микроскопии проведено систематическое исследование полученных в различных режимах анодного травления слоев пористого кремния при их естественном окислении (старении) на воздухе. Использовалась комбинация измерений на двух- и трехкристальном дифрактометрах симметричных 004 и асимметричных 224 отражений в геометрии Брэгга для получения количественной информации о деформациях и кристаллической решетке слоев. Найдено, что старение пористого кремния характеризуется ростом как макро- и микродеформаций, так и микроразориентацией кристаллических фрагментов, приводящим к постепенному разрушению пористых слоев вплоть до их полной аморфизации. Доп.точки доступа: Ратников, В. В.; Сорокин, Л. М.; Соколов, В. И.; Калмыков, А. Е. |
Возможности изучения нанообъектов в пористом кремнии и подложках кремния, облученных протонами, методом позитронной аннигиляционной спектроскопии [Текст] / Р. Бурцл [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - С. 651-655. - Библиогр.: с. 655 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанообъекты -- пористый кремний -- подложки кремния -- метод позитронной аннигиляционной спектроскопии -- пластины кремния, облученные протонами -- аннигиляция -- позитронная аннигиляционная спектроскопия Аннотация: По методу углового распределения аннигиляционных фотонов определены химический состав среды в месте аннигиляции --- на атомах кремния "стенки" поры, размеры и концентрации нанодефектов в пористом кремнии, а также в монокристаллических пластинах кремния, облученных протонами. Доп.точки доступа: Бурцл, Р.; Графутин, В. И.; Илюхина, О. В.; Мясищева, Г. Г.; Тимошенков, С. П.; Фунтиков, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Гасанов, Г. А. Получение пленок (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) на пористом кремнии [Текст] = Deriving of films (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (where X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04) on porous silicon / Г. А. Гасанов // Альтернативная энергетика и экология. - 2010. - N 3 (83). - С. 14-21. : табл., граф., рис. - Библиогр.: с. 17 (5 назв. )
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура акустики Распространение звука Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Химия Физико-химические методы анализа Электрохимия Кл.слова (ненормированные): метод акустической микроскопии -- аморфизированные поверхностные пленки -- пористый кремний -- метод термовакуумного осаждения -- метод ТВО -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод МЛЭ -- кристаллическое строение пленок Аннотация: О методах получения и исследования структуры пленок полупроводников (PbX) [1-x] (Sm[2]X[3]) [x] (где X-S, Se, Te; x=0, 01-0, 04). Подробно описан метод получения буферного пористого слоя. Структурное совершенство пленок анализировалось методами рентгеновской дифрактометрии и акустической микроскопии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Горячев, Д. Н. Свободные люминесцирующие слои пористого кремния [Текст] / Д. Н. Горячев, Л. В. Беляков, О. М. Сресели // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1636-1639. : ил. - Библиогр.: с. 1639 (14 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): свободные слои -- люминесцирующие слои -- пористый кремний -- кремний -- электролиты -- уксусная кислота -- HF -- химическое травление -- выделение газов -- отделение слоев Аннотация: Изготовлены свободные слои пористого кремния толщиной 50-200 мкм с использованием электролита HF-уксусная кислота. Рассмотрены химические аспекты травления, связанные с выделением газов при травлении, способствующих отделению слоев от подложки. Слои обладают устойчивой фотолюминесценцией в видимой области спектра, наблюдаемой с обеих сторон. Доп.точки доступа: Беляков, Л. В.; Сресели, О. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности электронно-энергетического строения поверхностных слоев пористого кремния, сформированного на подложках p-типа [Текст] / Э. П. Домашевская [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2011. - Т. 77, N 1. - С. 42-48. . - Библиогр.: с. 48 (24 назв. )
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): электронно-энергетическое строение -- поверхностные слои -- пористый кремний -- ультрамягкая рентгеновская эмиссионная спектроскопия -- рентгеновская спектроскопия -- эмиссионная спектроскопия -- USXES -- XANES -- спектроскопия -- оксидные слои -- кремний-кислородные тетраэдры -- рентгеновское поглощение Аннотация: Исследовано атомное и электронное строение поверхностных слоев пористого кремния. Доп.точки доступа: Домашевская, Э. П.; Терехов, В. А.; Турищев, С. Ю.; Ховив, Д. А.; Паринова, Е. В.; Скрышевский, В. А.; Гаврильченко, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование процесса карбонизации и окисления пористого кремния методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и ИК-спектроскопии [Текст] / А. В. Васин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 360-364. : ил. - Библиогр.: с. 364 (17 назв. )
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- ПК -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- слои кремния -- электрохимическое травление -- метод электрохимического травления -- спектроскопия поглощения -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- удельное сопротивление -- карбонизация кремния -- окисление кремния -- ацетилены -- плавиковая кислота -- температура -- конденсаты -- фотолюминесценция -- нанокомпозиты Аннотация: Слои пористого кремния были получены методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния с удельным сопротивлением 10 Ом x см в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты. Методами спектроскопии комбинационного рассеяния света и спектроскопии поглощения в инфракрасном диапазоне исследованы процессы взаимодействия пористого кремния с неразбавленным ацетиленом при низкой температуре и окисления карбонизированного пористого кремния парами воды. Установлено, что уже при температуре 550{o}C на поверхности пор образуются кремний-углеродные связи и формируется графитоподобный углеродный конденсат. Показано, что углеродный конденсат препятствует процессу окисления пористого кремния парами воды и способствует гашению белой фотолюминесценции в нанокомпозитном слое окисленного карбонизированного пористого кремния. Доп.точки доступа: Васин, А. В.; Охолин, И. Н.; Веровский, И. Н.; Назаров, А. Н.; Лысенко, В. С.; Холостов, К. И.; Бондаренко, В. П.; Ishikawa, Y. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Конфокальная микроскопия второй гармоники слоистых микроструктур на основе пористого кремния [Текст] / А. И. Майдыковский [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2011. - Т. 94, вып. 6. - С. 486-489.
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): слоистые микроструктуры -- пористый кремний -- оптическая вторая гармоника -- конфокальная микроскопия Аннотация: Методом конфокальной микроскопии оптической второй гармоники исследованы слоистые структуры на основе пористого кремния. Обнаружен линейный рост интенсивности второй гармоники с увеличением пористости слоев. Такой характер зависимости может быть обусловлен пространственными флуктуациями дипольного квадратичного отклика стенок пор. Доп.точки доступа: Майдыковский, А. И.; Нагорский, Н. М.; Мурзина, Т. В.; Никулин, А. А.; Магницкий, С. А.; Акципетров, О. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Динамика формирования мозаичной структуры пористого кремния при длительном анодном травлении в электролитах с внутренним источником тока [Текст] / К. Б. Тыныштыкбаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 8. - С. 1498-1504. . - Библиогр.: с. 1503-1504 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структура -- пористый кремний -- анодное травление -- электролиты -- источники тока Аннотация: При длительном анодном травлении p-Si (100) в электролитах с внутренним источником тока наблюдается спонтанное самоформирование мозаичной структуры пористой поверхности в виде островков окисленных нанокристаллитов por-Si, разделенных кремниевыми выступами. Процесс спонтанного формирования мозаичной структуры por-Si происходит в результате релаксации упругонапряженного слоя пористой поверхности. Самоорганизация мозаичной структуры поверхности por-Si, размеры островков и период их расположения определяются совокупностью ряда факторов, возникающих в сложной гетерофазной системе электролит/por-Si/c-Si/ в процессе травления: пространственно-временным распределением точечных дефектов междоузлий I[Si] и вакансий V[Si] в приповерхностной области c-Si, возникновением капиллярно-флуктуационных сил на границе раздела электролит/por-Si/c-Si/, наличием сил упругой деформации из-за рассогласованности параметров решеток окисленных нанокристаллитов por-Si и c-Si матрицы. Условия проявления этих сил зависят от самосогласованных параметров режимов травления сложной гетерофазной электрохимической системы электролит/por-Si/c-Si/ с внутренним источником тока, включая характеристики электродов и параметры ячейки. Доп.точки доступа: Тыныштыкбаев, К. Б.; Рябикин, Ю. А.; Мить, К. А.; Ракыметов, Б. А.; Айтмукан, Т. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мхитарян, З. О. Температурные зависимости вольт-амперных характеристик и низкочастотных шумов сенсоров водорода [Текст] = Temperature dependences cvc and low-frequency noise of hydrogen sensor / З. О. Мхитарян, В. М. Арутюнян // Альтернативная энергетика и экология. - 2011. - № 12 (104). - С. 10-13. : граф., табл. - Библиогр.: с. 13 (7 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пористый кремний -- сенсор водорода -- наноматериалы -- адсорбция водорода -- водород -- вольт-амперная характеристика пористого кремния -- шумовая характеристика пористого кремния Аннотация: Результаты измерений вольт-амперных и шумовых характеристик структур со слоем пористого кремния в зависимости от температуры воздуха в условиях адсорбции водорода. Доп.точки доступа: Арутюнян, В. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Khrypko, Sergey L.. Creation of porous silicon layers with the use of isopropyl alconol [Text] = Влияние изопропиленового спирта на характеристики слоев пористого кремния / S. L. Khrypko // Инженерная физика. - 2014. - № 4. - С. 44-47 : ил., схема, граф. - Библиогр.: с. 47 (12 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): спирты -- изопропиловые спирты -- анодирование -- кремний -- пористый кремний -- фтористоводородная кислота -- легирование бором Аннотация: Исследовано влияние сопротивления кремния p-типа, плотности тока анодирования и времени анодирования на пористость, толщину и условия формирования пористого кремния. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Морфология и свойства пленок ZnO, полученных методом многократного центрифугирования на подложках пористого кремния [Текст] / В. С. Захвалинский [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2016. - Т. 80, № 9. - С. 1218-1221 : рис. - Библиогр.: c. 1221 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): метод многократного центрифугирования -- многослойные пленки -- пористый кремний -- растровая электронная микроскопия -- рентгеноспектральный энергодисперсионный анализ -- рентгенофазовый анализ Аннотация: Были получены слои пористого кремния (PS), многослойные пленки ZnO и гетероструктуры на их основе. Доп.точки доступа: Захвалинский, В. С.; Голев, И. М.; Борисенко, Л. В.; Прокопова, Т. В.; Хмара, А. Н.; Пилюк, Е. А.; Колесников, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Трегулов, В. В. Механизмы токопрохождения в диодной структуре с n{+}-p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пленки пористого кремния [Текст] / В. В. Трегулов, В. Г. Литвинов, А. В. Ермачихин // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 9. - С. 94-99 : рис. - Библиогр.: c. 99 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): p-n-переход -- антиотражающие пленки -- антиотражающие покрытия -- вольт-амперная характеристика -- кремниевые фотоэлектрические преобразователи -- пленки пористого кремния -- полупроводниковые структуры -- пористый кремний -- термическая диффузия фосфора -- токопрохождление -- фотоэлектрические преобразователи Аннотация: Исследована температурная зависимость вольт-амперных характеристик фотоэлектрического преобразователя с антиотражающей пленкой пористого кремния и n{+}-p-переходом, сформированным термической диффузией фосфора из пористой пленки. Насыщение пленки пористого кремния фосфором производилось в процессе ее роста электрохимическим способом. Показано, что на процессы токопрохождения в исследуемой структуре существенное влияние оказывают ловушки. Доп.точки доступа: Литвинов, В. Г.; Ермачихин, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов с-Si/пористый - Si/CdS [Текст] / Г. М. Мамедов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 9. - С. 96-101 : рис., табл. - Библиогр.: с. 101 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): анодирование -- гетеропереходы -- монокристаллы p-CdS -- пористый кремний -- фотоэлектрическое преобразование -- электрохимические осаждения Аннотация: В зависимости от размеров кристаллитов CdS и пор кремния изучены электрические и фотоэлектрические характеристики гетеропереходов c -Si/пористые - Si/CdS, полученных методами электрохимического осаждения и анодирования соответственно. Определен оптимальный размер пор (10-16 нм), который обеспечивает максимальную эффективность фотоэлектрического преобразования (7. 71 %) гетеропереходов. Доп.точки доступа: Мамедов, Г. М.; Кукевеч, А.; Коня, З.; Кордаш, К.; Шах, С. И.; Мамедов, В. У.; Ахмедова, Х. М.; Мамедова, В. Д.; Рзаев, Р. М.; Шамилова, Ш. А.; Ханмамедова, Э. А.; Агазаде, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |