Взаимодействие электронов с локализованными в квантовой яме оптическими фононами [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1634-1640 : ил. - Библиогр.: с. 1639 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- рассеяние электронов -- скорость рассеяния электронов -- СР электронов -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- фононные ямы -- ФЯ -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электрон-фононное взаимодействие -- гетероструктуры -- In[x]Al[1-x]As -- In[y]Ga[1-y]As -- электрические поля -- сильные электрические поля -- насыщение электронов -- скорость насыщения Аннотация: Рассматривается скорость рассеяния электронов в квантовой яме на локализованных полярных оптических и интерфейсных фононах. Определена зависимость силы электрон-фононного взаимодействия от частоты оптических фононов в материалах гетероструктуры, образующих электронную и фононные квантовые ямы. Показано, что путем изменения состава полупроводников, образующих квантовую яму и ее барьеры, можно изменять скорости рассеяния электронов на оптических фононах в несколько раз. Вычислены скорости рассеяния электронов на полярных оптических фононах в зависимости от долей In[x] и In[y] в составе полупроводников, образующих квантовые ямы In[x]Al[1-x]As/In[y]Ga[1-y]As. Экспериментально определены зависимости подвижности и дрейфовой скорости насыщения электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах In[y]Ga[1-y]As от состава введенных в квантовые ямы In[x]Al[1-x]As-барьеров. Подвижность электронов растет, а дрейфовая скорость насыщения уменьшается с увеличением доли In[x] в составе барьеров. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Школьник, А. С.; Михрин, С. С.; Михрин, В. С. |
Транспорт электронов в квантовой яме In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях [Текст] / И. С. Васильевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 928-933. : ил. - Библиогр.: с. 933 (17 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- сильные электрические поля -- легирование Si -- тонкие барьеры -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электронная проводимость -- дрейфовая скорость электронов -- двумерные каналы Аннотация: Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In[0. 53]Ga[0. 47]As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов n[s] с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In[0. 53]Ga[0. 47]As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In[0. 52]Al[0. 48]As. Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Матвеев, Ю. А.; Климов, Е. А.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Пашкевич, Ч.; Юцене, В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фигарова, С. Р. Г. Анизотропия эффекта Нернста - Эттингсгаузена в сверхрешетках при рассеянии на фононах [Текст] / С. Р. Г. Фигарова, Г. И. Гусейнов, В. Р. Фигаров // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 11. - С. 74-79 : рис. - Библиогр.: c. 79 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): Нернста - Эттингсгаузена эффект -- акустические оптические фононы -- квазидвумерный электронный газ -- полярные оптические фононы -- рассеяние на фононах -- сверхрешетка -- эффект Нернста - Эттингсгаузена Аннотация: Изучается анизотропия поперечного эффекта Нернста - Эттингсгаузена в сверхрешетках в зависимости от степени заполнения мини-зоны и направления магнитного поля при рассеянии на акустических и полярных оптических фононах. Показано, что при рассеянии на полярных оптических фононах наблюдается существенная анизотропия и в зависимости от направления магнитного поля коэффициент Нернста - Эттингсгаузена может менять знак. Доп.точки доступа: Гусейнов, Г. И.; Фигаров, В. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |