Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 5-7 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термолюминесценция -- люминесценция -- монокристаллы -- гамма-кванты -- облученные гамма-кванты -- легированные оловом монокристаллы -- ИК-спектроскопия -- антиструктурные дефекты -- примесные дефекты донорного типа -- облученные кристаллы -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа". Доп.точки доступа: Алиев, М. И.; Рашидова, Ш. Ш.; Гусейнова, М. А.; Гаджиева, Н. Н. |
Механизм стабилизации металлической модификации Sm[1-x]Gd[x]S при фазовом переходе полупроводник-металл под давлением [Текст] / Н. В. Шаренкова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1604-1606. - Библиогр.: с. 1606 (8 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- механизмы стабилизации модификаций -- монокристаллы -- стабилизаця металлических фаз -- степени дефектности материалов -- полупроводниковые соединения -- когерентное рассеяние -- области когерентного рассеяния Аннотация: На основании сравнительного анализа структурных особенностей и электрических параметров монокристаллов Sm[0. 85]Gd[0. 15]S в полупроводниковой и стабильной при атмосферном давлении металлической фазах сделан вывод, что в материалах с составом Sm[1-x]Gd[x]S стабилизация металлической фазы после ее получения под высоким гидростатическим давлением происходит за счет увеличения степени дефектности материала. Последнее находит свое отражение в уменьшении размеров областей когерентного рассеяния рентгеновского излучения. Аналогичным образом сохраняется металлическая фаза SmS, возникающая в приповерхностном слое после полировки поверхности образца. Доп.точки доступа: Шаренкова, Н. В.; Каминский, В. В.; Степанов, Н. Н.; Романова, М. В.; Голубков, А. В. |
Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структура и магнетизм кристаллов полупроводниковых соединений (Ga[1-x]Mn[x]) [2]Se[3] (x = 0 - 0. 04) [Текст] / С. Ф. Дубинин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52. вып. 5. - С. 1034-1037. - Библиогр.: с. 1037 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнетизм -- намагниченность -- магнитная восприимчивость -- метод дифракции тепловых нейтронов -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом нейтронной дифракции и магнитных измерений исследовалось влияние легирования ионами Mn{3+} на тонкую структуру кристалла моноклинного соединения Ga[2]Se[3]. Установлено, что даже при относительно низких уровнях легирования (x = 0. 04) структурное состояние кристаллов изменяется. Приведены аргументы, что локальные ян-теллеровские искажения являются источниками формирования тонкой структуры и магнетизма в соединениях данного класса. Доп.точки доступа: Дубинин, С. Ф.; Соколов, В. И.; Максимов, В. И.; Пархоменко, В. Д.; Колесников, Н. Н.; Королев, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Поверхностная энергия и кристаллическая структура нитевидных нанокристаллов полупроводниковых соединений III-V [Текст] / Н. В. Сибирев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып. 7. - С. 1428-1434. . - Библиогр.: с. 1434 (31 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поверхностная энергия -- кристаллические структуры -- нанокристаллы -- полупроводниковые соединения -- нитевидные нанокристаллы Аннотация: Предложена теоретическая модель расчета поверхностной энергии кристаллов в приближении ближайших соседей. Рассчитана поверхностная энергия для различных граней кристаллов полупроводников III-V с кубической и гексагональной структурами. На основе полученных данных рассмотрен эффект образования гексагональной вюрцитной фазы в нитевидных нанокристаллах полупроводниковых соединений III-V. Приведены оценки для критического радиуса фазового перехода в нитевидных нанокристаллах III-V. Доп.точки доступа: Сибирев, Н. В.; Тимофеева, М. А.; Большаков, А. Д.; Назаренко, М. В.; Дубровский, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бакулин, А. В. Использование метода гибридного функционала для расчета электронной структуры полупроводниковых соединений A [Текст] / Бакулин А. В., Кулькова С. Е. // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 7. - С. 122-124 : табл. - Библиогр.: c. 124 (18 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Математика Вычислительная математика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): бинарные полупроводники -- гибридный функционал -- метод гибридного функционала -- полупроводниковые соединения -- расчет электронной структуры -- теория функционала плотности -- электронная структура Аннотация: В статье рассмотрено использование метода гибридного функционала для расчета электронной структуры полупроводниковых соединений A_3B_5. Метод позволил более корректно воспроизвести ширину запрещенной Применение метода существенно увеличивает вычислительные затраты, что препятствует его широкому применению. Доп.точки доступа: Кулькова, С. Е. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование однородности распределения электронных поверхностных состояний на плоскости (0001) монокристаллов PbBi[4]Te[7] и PbSb[2]Te[4] методом компьютерной фотометрии [Текст] / В. С. Земсков [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 4. - С. 68-77 : 8 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 74-76 (18 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физическая оптика Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): компьютерная фотометрия -- кристаллографическая грань -- монокристаллы -- отраженный свет -- поверхностные состояния -- полупроводниковые соединения -- топологические изоляторы -- яркость отражения Аннотация: Выполнен анализ спектров яркости отражения от фотографических изображений, полученных в условиях зеркального отражения света от плоскости (0001) монокристаллов полупроводниковых соединений PbBi[4]Te[7] и PbSb[2]Te[4]. Показано, что компьютерная фотометрия спектра яркости отражения света от плоскости (0001) позволяет воспроизвести на экране монитора ее цветное изображение, позволяющее судить не только об однородности распределения поверхностных электронных состояний по плоскости, но и об однородности состава монокристаллов. Доп.точки доступа: Земсков, В. С.; Ермишкин, В. А.; Нихезина, И. Ю.; Шелимова, Л. Е.; Аладьев, Н. А.; Кретова, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Bn, AlN, GaN, InN: уровень зарядовой нейтральности, поверхность, границы раздела, легирование [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 12. - С. 178-181 : табл. - Библиогр.: c. 181 (30 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): AlN -- Bn -- GaN -- InN -- дефектные полупроводники -- зарядовая нейтральность -- легирование химическими примесями -- металл/III-N -- полупроводниковые соединения -- собственный уровень зарядовой нейтральности -- электронные свойства Аннотация: Анализ экспериментальных и расчетных данных, выполненный на основе концепции зарядовой нейтральности, позволяет численно оценить электронные свойства сильно дефектных полупроводников, высоту барьера для структур металл/III-N и разрывы зон в гетеропарах на основе нитридных соединений, а также поверхностную работу выхода и пределы уровня легирования данных соединений изоморфными примесями. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, В. Н. Дисперсия числа носителей заряда в приближении Лэкса при корпускулярно-полевых воздействиях на полупроводник [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Харитонов, Н. Э. Лугина // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 1. - С. 86-92 : рис. - Библиогр.: c. 91-92 (20 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоаппаратура Кл.слова (ненормированные): Лэкса теорема -- дисперсия числа носителей заряда -- излучатели -- полупроводниковые соединения -- примесно-дефектные состояния -- теорема Лэкса -- фотоприемные устройства -- фоторезисторы Аннотация: В рамках ступенчатого распределения спектральной плотности примесно-дефектных состояний по запрещенной зоне полупроводника по теореме Лэкса вычислена дисперсия числа носителей заряда при действии электрического поля и фоновой засветки. Взамен концепции квазиуровней Ферми предложен подход к описанию состояния полупроводника при фоновой засветке, основанный на "нагреве" полупроводника засветкой, что позволило корректно определить энергию уровня Ферми в широком диапазоне мощностей засветки. Показано, что зависимость дисперсии от напряжения носит монотонно нарастающий характер с насыщением, а засветка смещает эту зависимость в сторону меньших значений напряжения. Сделан вывод о невозможности объяснения минимума шума фоторезистора из n-CdSe при действии засветки и напряжения только предположением о немонотонном распределении концентрации центров перезарядки по запрещенной зоне полупроводника. Доп.точки доступа: Харитонов, С. В.; Лугина, Н. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новый метод получения п-р-структуры на основе дефектного полупроводника AgIn[5]S[8] [Текст] / А. Г. Гусейнов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 10. - С. 88-91 : рис. - Библиогр.: c. 91 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): n-p-структура -- гомопереход -- дефектный полупроводник -- ионная имплантация -- лазерное излучения -- полупроводниковые соединения -- трехэлементный полупроводник -- электрическая проводимость кристалла Аннотация: Воздействием мощного лазерного излучения на полупроводниковые соединения с дефектной кристаллической структурой типа А{1}В{3}[5]С{6}[8] изменен тип электрической проводимости кристалла. Показано, что при определенной мощности и длине волны лазерного излучения, воздействующего на монокристаллический n-AgIn[5]S[8], в области облучения кристалла образуется участок с р-типом проводимости. Сняты вольт-амперные характеристики созданных гомопереходов на основе n-AgIn[5]S[8]. Доп.точки доступа: Гусейнов, А. Г.; Салманов, В. М.; Мамедов, Р. М.; Джабраилова, Р.; Магомедов, А. З. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование процесса оптического пробоя кристаллов ZnGeP[2] посредством цифровой голографии [Текст] / А. И. Грибенюков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 11. - С. 89-98 : рис. - Библиогр.: с. 98 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): цифровая голография -- кристаллы ZnGeP -- лазерное излучение -- монокристаллы -- оптический пробой кристаллов -- полупроводниковые соединения Аннотация: Предложен способ визуализации процесса оптического пробоя монокристалла ZnGeP[2] с использованием метода цифровой голографии. Исследован механизм пробоя монокристалла ZnGeP[2] при плотности энергии ~ 0. 3-0. 6 Дж/см{2}. Проведена оценка температуры в канале пробоя при его формировании. Совокупность полученных данных позволяет сделать вывод о тепловой природе пробоя кристаллов ZnGeP[2] при облучении лазерным излучением с длиной волны ~ 2. 1 мкм. Доп.точки доступа: Грибенюков, А. И.; Дёмин, В. В.; Ольшуков, А. С.; Подзывалов, С. Н.; Половцев, И. Г.; Юдин, Н. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |