Электрические свойства гибридных структур (ферромагнитный металл) - (слоистый полупроводник) Ni/p-GaSe [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 180-193 : ил. - Библиогр.: с. 192 (59 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гибридные структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- ферромагнитный металл-слоистый полупроводник -- ФМ-ПП -- Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- импедансные спектры -- спиновая инжекция -- экстракция -- спиновая диффузия -- релаксация (физика) -- полупроводниковые подложки -- спин-селективные барьеры -- кулоновская блокада -- отрицательные дифференциальные емкости -- наноразмерные включения Аннотация: После выращивания слоев Ni на поверхности (0001) p-GaSe сформированы двухбарьерные структуры Ni/n-Ga[2]Se[3]/p-GaSe с наноразмерными включениями сплавов Ni, которые образовались в результате протекания реакций на границе раздела "металл-слоистый полупроводник". В температурном диапазоне 220-350 K изучены вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики гибридных структур. Исследована зависимость импедансных спектров от напряжения смещения структур при различных температурах. Частотные зависимости импеданса при высоких частотах (f>10{6} Гц) обсуждаются с точки зрения явлений спиновой инжекции и экстракции в структурах с ультратонким спин-селективным барьером Ni/n-Ga[2]Se[3] и эффектов спиновой диффузии и релаксации в полупроводниковой подложке. При комнатной температуре обнаружены явления кулоновской блокады и отрицательной дифференциальной емкости. Эти явления объясняются на основе анализа транспортных процессов в узкой области вблизи границы раздела "ферромагнитный металл-полупроводник", где расположены наноразмерные включения. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Литвин, О. С. |
Маляр, Иван Владиславович (аспирант). Модификация поверхности полупроводниковой подложки с помощью органических монослойных покрытий и воздействия излучений [Текст] / И. В. Маляр, С. В. Стецюра // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2010. - N 51. - С. 30-35. : ил. - Библиогр.: с. 35 (5назв. )
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): поверхность полупроводниковых подложек -- полупроводниковые подложки -- гетерофазные полупроводники -- монослойные покрытия -- зондовая сканирующая микроскопия -- зарядовые свойства подложки Аннотация: Показаны способы модификации зарядовых свойств подложки и получения микронных и субмикронных электрических неоднородностей на поверхности. Доп.точки доступа: Стецюра, Светлана Викторовна (доцент) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алисултанов, Заур Замирович. Электронная плотность состояний эпитаксиального графена на поверхности полупроводниковой подложки [Текст] = Electronic density of States of epitaxial graphene on the surface of the semiconductor substrate / З. З. Алисултанов, Д. М. Рустамова // Инженерная физика. - 2015. - № 5. - С. 29-36 : схемы, граф. - Библиогр.: с. 35-36 (36 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): графены -- эпитаксиальные графены -- электронная плотность -- полупроводниковые подложки -- функции Грина -- Грина функции -- гамильтонианы -- гамильтониан Андерсона -- Андерсона гамильтониан -- приближение Халдейна-Андерсона -- Халдейна-Андерсона приближение -- суперконденсаторы -- конденсаторы Аннотация: Рассмотрены электронные состояния эпитаксиального графена, сформированного на поверхности полупроводниковой подложки. Используется подход, основанный на модельном гамильтониане Андерсона в приближении Халдейна-Андерсона. Получено аналитическое выражение для плотности состояний эпитаксиального графена. Исследовано поведение плотности состояний эпитаксиального графена при различных значениях параметров задачи.Considered electronic States of epitaxial graphene formed on the surface of the semiconductor substrate. The approach used is based on a model Hamiltonian of the Anderson in the approximation of Haldane-Anderson. An analytical expression for the density of States of epitaxial graphene. The behavior of the density of States of epitaxial graphene for different values of the parameters of the problem. Доп.точки доступа: Рустамова, Джамиля Маликовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |