Розанов, Н. Н. Диссипативные солитоны бозе-эйнштейновского конденсата экситонов [Текст] / Н. Н. Розанов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 85, N 9. - С. . 524-526
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): диссипативные солитоны -- солитоны -- бозе-эйнштейновская конденсация -- экситоны -- лазерное излучение -- полупроводниковые пленки Аннотация: Предложена безрезонаторная схема формирования диссипативных солитонов, состоящая из тонкого слоя нелинейной среды, возбуждаемого когерентным лазерным излучением. Численно продемонстрировано наличие устойчивых темных диссипативных солитонов бозе-эйнштейновского конденсата экситонов в такой полупроводниковой пленке. Размеры экситонного солитона и требуемый уровень интенсивности лазерного излучения на два и более порядка меньше, чем в случае оптических диссипативных солитонов. Доп.точки доступа: Федоров, С. В.; Хаджи, П. И.; Белоусов, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оценка качества однокомпонентных нанокомпозитных полупроводниковых пленок на примере Ge [Текст] / Д. В. Сурнин [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 2. - С. 27-30. - Библиогр.: с. 30 (8 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): однокомпонентные полупроводниковые пленки -- полупроводниковые пленки -- нанокомпозитные полупроводниковые пленки -- пленки -- гелий -- оценка качества полупроводниковых пленок -- рентгеноспектральный структурный анализ -- структурный анализ -- EXAFS-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- спектроскопия -- рентгеновская дифрактометрия -- дифрактометрия -- атомная силовая микроскопия -- микроскопия -- нанокомпозиты -- комплексные методы оценки качества -- нанокомпозитные пленки германия -- пленки германия Аннотация: Предложен комплексный метод оценки качества однокомпонентных нанокомпозитных пленок. Доп.точки доступа: Сурнин, Д. В.; Валеев, Р. Г.; Ветошкин, В. М.; Карбань, О. В.; Гильмутдинов, Ф. З.; Деев, А. Н. |
Агеев, В. Н. Электронно-стимулированная десорбция атомов натрия в результате реверсивного движения [Текст] / В. Н. Агеев, Ю. А. Кузнецов, Н. Д. Потехина // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 393-396. - Библиогр.: с. 396 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронно-стимулированная десорбция -- десорбция атомов натрия -- натрий -- энергораспределения атомов -- пленки золота -- выход атомов -- полупроводниковые пленки -- оже-нейтрализация ионов Аннотация: Впервые измерены выход и электрораспределения атомов натрия при электронно-стимулированной десорбции из слоев натрия, адсорбированных на вольфраме, покрытом пленкой золота, при T = 160 K. Выход атомов Na имеет резонансный характер с порогом появления 30 eV, что может быть объяснено возбуждением экситона на уровне Na 2p. Выход атомов натрия связан с образованием полупроводниковой пленки Na[x]Au[y], которая формируется при T около 300 K и степенях покрытия натрия и золота более монослоя. Десорбция атомов Na происходит в результате Оже-нейтрализации ионов Na{2+} при их реверсивном движении к поверхности и лимитируется резонансной ионизацией атомов Na при прохождении через адсорбированный слой ионов Na{+}. Энергораспределения атомов Na имеют колоколообразную форму с максимумом около 0. 56 eV. Доп.точки доступа: Кузнецов, Ю. А.; Потехина, Н. Д. |
Набиев, Г. А. Определение механизмов генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках с помощью спектральных зависимостей коэффициента поглощения и фотонапряжения [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 924-925 : ил. - Библиогр.: с. 925 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): механизмы генерации фотонапряжения -- фотодиффузионный эффект -- эффект Дембера -- Дембера эффект -- коэффициент поглощения -- p-n переходы -- полупроводниковые пленки -- спектральные зависимости -- спектральные характеристики -- коэффициент фотонапряжения Аннотация: Предложен метод определения механизма генерации фотонапряжения в полупроводниковых пленках: разделение носителей на p-n-переходе или фотодиффузия носителей. Метод основан на спектральных характеристиках коэффициента поглощения и фотонапряжения. |
Прилуцкий, А. А. Сканирующая отражательная антенна с импедансным цилиндрическим рефлектором в виде слоистой структуры полупроводник-диэлектрик-металл с оптронным управлением [Текст] = The scanning reflective antenna with an impedance cylindrical reflector in the form of laminated structure the semiconductor-dielectric-metal with photonic control / А. А. Прилуцкий // Успехи современной радиоэлектроники. - 2011. - N 4. - С. 53-59. : 9 рис. - Библиогр.: с. 59 (22 назв. ). - (ОАО "НПК "НИИДАР" - 50 лет)
Рубрики: Радиоэлектроника Антенны Кл.слова (ненормированные): антенны -- диаграммы направленности -- конформные антенны -- моделирование антенн -- оптронное управление -- отражательные антенны -- полупроводниковые пленки -- сканирующие отражательные антенны -- фотопроводимость Аннотация: Исследована возможность создания конформной сканирующей отражательной антенны с оптронным управлением. Рефлектор антенны выполнен в виде многослойной среды, состоящей из чередующихся полупроводниковых пленок и диэлектрических слоев на металлической подложке. Поверхностный импеданс рефлектора изменяется под воздействием оптического облучения. В зависимости от состояния полупроводниковых пленок на поверхности рефлектора отражательной антенны цилиндрический фронт падающей волны трансформируется в плоский фронт отраженной. Получена математическая модель отражательной антенны в приближении Кирхгофа. Приведены диаграммы направленности антенны при сканировании в широком секторе углов. Рассмотрен вариант конструктивного исполнения антенны. Доп.точки доступа: ОАО "НПК "НИИДАР"; НПК "НИИДАР"; Научно-производственный комплекс "Научно-исследовательский институт дальней радиосвязи"; Научно-исследовательский институт дальней радиосвязи Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Поляков, Н. Н. Измерение и контроль свойств металлических контактов к полупроводниковым пластинам и пленкам [Текст] / Н. Н. Поляков, А. А. Заворотний // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 9. - С. 36-40. - Библиогр.: с. 40 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): измерение свойств контактов -- контроль свойств контактов -- металлические контакты -- металл - полупроводник -- полупроводниковые пластины -- полупроводниковые пленки -- сопротивление растекания -- удельная электропроводность -- метод Фурье -- Фурье метод -- краевые условия -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент Аннотация: Разработан способ измерения сопротивления контактов металл - полупроводник. Построена математическая модель, адекватная условиям физического эксперимента. На основе математической модели предложена методика измерения сопротивления контактов. Доп.точки доступа: Заворотний, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Хасанов, Т. Х. Значения показателей преломления объемного кварца [Текст] / Т. Х. Хасанов // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 118, № 4. - С. 684-692 : граф., ил., табл., схема, диагр. - Библиогр.: с. 691-692 (40 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Геометрическая оптика. Оптические приборы Кл.слова (ненормированные): диэлектрические пленки -- кварц -- металлические пленки -- объемный кварц -- оптические константы -- поверхностные слои -- показатели преломления -- полупроводниковые пленки -- преломление кварца -- эллипсометрические измерения Аннотация: Рассмотрен метод определения показателя преломления с целью выявления степени влияния поверхностного слоя на результаты измерений. Этот метод позволяет более корректно определять значения показателей преломления объемного материала. Доказана эффективность использования кварца в качестве подложки при эллипсометрических измерениях для определения оптических констант металлических, полупроводниковых и диэлектрических пленок. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение и свойства полупроводниковых пленок поли-5,10,15,20-тетракис(4'-аминофенил)порфирина [Текст] / С. А. Чуловская [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 5. - С. 33-40 : 7 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 38-40 (34 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Химия Электрохимия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): порфирины -- электрополимеризация -- органические полупроводники -- морфология поверхности -- импеданс -- фрактальная размерность -- полупроводниковые пленки -- аминофенил Аннотация: Получены пленки поли-5, 10, 15, 20-тетракис (4'-аминофенил) порфирина (поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P) электрохимической полимеризацией при активации процесса синтезируемым электрохимически супероксид анион-радикалом из растворов диметилсульфоксида. Методом атомно-силовой микроскопии показано, что поверхность полученной пленки поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P имеет малую шероховатость и сформирована из однородных по химическому составу округлых глобул со средним размером около 40 нм. Согласно измерениям фотоэлектрического отклика обнаружено, что полученная поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P пленка является полупроводниковым материалом с проводимостью р-типа. Кинетика формирования пленки поли-H[2]T (p-NH[2]Ph) P на Pt электроде в диметилсульфоксиде охарактеризована методом спектроскопии электродного импеданса. Доп.точки доступа: Чуловская, С. А.; Кузьмин, С. М.; Шилов, А. Н.; Парфенюк, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |