Акасаки, И. (Исаму). Увлекательные приключения в поисках синего цвета [Текст] / И. Акасаки ; пер. с англ. А. Л. Чехова> // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 504-517 : 20 рис. - Библиогр.: с. 516-517 (67 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- исследования -- белый свет -- источники света -- светодиоды -- синие светодиоды -- ультрафиолетовые светодиоды -- лазерные диоды -- монокристаллы -- полупроводниковые монокристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN Аннотация: Создание высококачественных полупроводниковых монокристаллов нитрида галлия (GaN) и соответствующих соединений. История синих светодиодов и разработка лазерных диодов на основе нитридов, которые позволили создать яркие и энергоэффективные белые источники света. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Филиппов, В. В. Измерение компонент тензора удельной электропроводности анизотропных полупроводниковых пластин модифицированным методом Ван дер Пау [Текст] / В. В. Филиппов, А. А. Заворотний, В. П. Тигров> // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 1. - С. 92-99 : рис., табл. - Библиогр.: с. 99 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): Ван дер Пау метод -- анизотропные полупроводники -- задачи электродинамики -- метод Ван дер Пау -- полупроводниковые монокристаллы -- удельная электропроводность -- электродинамика -- электропроводность анизотропных полупроводниковых пластин Аннотация: На основе решения краевых задач электродинамики предлагается оригинальная методика измерения контактным методом компонент тензора удельной электропроводности анизотропных полупроводниковых пластин квадратной формы. Омические токовые и измерительные контакты располагаются на периметре образца согласно наиболее часто используемым в практике схемам Ван дер Пау. Полученные выражения представлены в виде полиномиальных зависимостей от параметра анизотропии исследуемого образца. Проведена экспериментальная проверка на полупроводниковых монокристаллах CdSb и CdAs[2]. Доп.точки доступа: Заворотний, А. А.; Тигров, В. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |