Алферов, Жорес Иванович (ученый-физик, лауреат Нобелевской премии). К солнечному веку [Текст] / Ж. И. Алферов ; Н. Метельская // Экология - XXI век: наука и политика. - 2007. - Т. 7, N 6 (45). - С. 75-79
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): интервью -- ученые -- нобелевские лауреаты -- научные исследования -- физические науки -- полупроводниковые гетероструктуры -- полупроводниковые лазеры -- наукоемкие отрасли промышленности -- человеческий потенциал Аннотация: Ответы Ж. И. Алферова на вопросы корреспондента газеты "Завтра" Н. Метельской. Доп.точки доступа: Метельская, Н. \.\ |
Курилюк, В. В. Влияние пьезоэлектрических полей ультразвуковых колебаний на комбинационное рассеяние света в гетероструктурах GaAs/AlGaAs [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 449-455
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые гетероструктуры -- квантовые ямы -- инфракрасное излучение -- солнечные элементы -- фотодетекторы -- электрические поля Аннотация: Представлен теоретический анализ резонансных электроупругих колебаний гибридной структуры GaAs/AlGaAs-LiNbO[3] с границей раздела скользящего типа, а также эффекта перераспределения концентрации двумерного электронного газа в гетероструктуре генерируемыми пьезоэлектрическими полями. Расчеты проведены методом конечных элементов. Экспериментально зарегистрированные спектры комбинационного рассеяния света с временным разрешением обнаруживают особенности поведения LO-фонон-плазмонной моды, соответствующие теоретически рассчитанному перераспределению концентрации. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Фотоэлектрические преобразователи AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs [Текст] / С. А. Блохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 537-541
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- однопереходные преобразователи -- квантовые точки -- фотоэлектрические преобразователи -- солнечные элементы -- полупроводниковые гетероструктуры Аннотация: Исследованы особенности создания методом молекулярно-пучковой эпитаксии однопереходных фотоэлектрических преобразователей AlGaAs/GaAs с массивом квантовых точек InGaAs. Впервые показана принципиальная возможность бездислокационного внедрения вертикально-связанных квантовых точек в структуры фотоэлектрических преобразователей без видимого ухудшения структурного качества p-n-перехода. Благодаря дополнительному поглощению в среде квантовых точек длинноволновой области солнечного спектра и последующему эффективному разделению фотогенерированных носителей заряда впервые в мире продемонстрировано увеличение (~1%) плотности тока короткого замыкания J[sc] в фотоэлектрических преобразователях с квантовыми точками. Максимальное значение кпд реализованных фотоэлектрических преобразователей составило 18. 3% при преобразовании прямого наземного солнечного спектра AM1. 5G. Доп.точки доступа: Блохин, С. А.; Сахаров, А. В.; Надточий, А. М.; Паюсов, А. С.; Максимов, М. В.; Леденцов, Н. Н.; Ковш, А. Р.; Михрин, С. С.; Лантратов, В. М.; Минтаиров, С. А.; Калюжный, Н. А.; Шварц, М. З. |
Никифоров, С. Г. Фотометрический метод исследования полупроводниковых гетероструктур [Текст] / С. Г. Никифоров // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - С. 28-33. - Библиогр.: с. 33 (12 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): фотометрический метод -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- светоизлучающие диоды -- деградация структур -- излучающие гетероструктуры -- деградация гетероструктур -- пространственное распределение силы света -- гониофотометрический метод -- термоультразвуковая приварка -- контактные полупроводники -- светодиоды -- сила света -- измерение светового потока Аннотация: Рассмотрены проблемы диагностики параметров светоизлучающих диодов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Неразрушающая диагностика наногетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN методом температурной спектроскопии адмиттанса [Текст] / О. В. Кучерова [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2010. - Т. 76. N 3. - С. 24-28. - Библиогр.: с. 28 (16 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Спектроскопия Техника Материаловедение Химия Химия твердого тела Кл.слова (ненормированные): неразрушающая диагностика -- наногетероструктуры -- множественные квантовые ямы -- квантовые ямы -- температурная спектроскопия -- спектроскопия адмиттанса -- адмиттансная спектроскопия -- низкотемпературная спектроскопия -- электронные спектры -- полупроводниковые гетероструктуры -- светодиодные гетероструктуры -- аппаратно-программные комплексы -- адмиттансные методы -- измерения адмиттанса Аннотация: На основе разработанного комплекса низкотемпературной спектроскопии адмиттанса приведены исследования электронного спектра полупроводниковых светодиодных гетероструктур с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN. Доп.точки доступа: Кучерова, О. В.; Зубков, В. И.; Цвелев, Е. О.; Яковлев, И. Н.; Соломонов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Абгарян, К. К. Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов [Текст] / К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников // Журнал вычислительной математики и математической физики. - 2016. - Т. 56, № 1. - С. 155-166. - Библиогр.: c. 166 . - ISSN 0044-4669
Рубрики: Математика Вычислительная математика Кл.слова (ненормированные): Пуассона уравнения -- Шрёдингера уравнения -- моделирование полупроводниковых гетероструктур -- наноразмерные полупроводниковые гетероструктуры -- подвижность носителей заряда -- полупроводниковые гетероструктуры -- пьезоэлектрическая поляризация -- распределение носителей заряда -- расчет электронной плотности -- спонтанная поляризация -- уравнения Пуассона -- уравнения Шрёдингера -- численное моделирование -- электронная плотность Аннотация: Представлена трехуровневая схема моделирования наноразмерных полупроводниковых гетероструктур с учетом эффектов спонтанной и пьезоэлектрической поляризации. Схема объединяет квантово-механические расчеты на атомарном уровне для получения плотности зарядов на гетероинтерфейсах, расчет распределения носителей в гетероструктруре на основе решения системы уравнений Шрёдингера и Пуассона, а также расчет подвижности электронов в двумерном электронном газе с учетом различных механизмов рассеяния. С целью ускорения вычислительного процесса при расчете электронной плотности в гетероструктуре применен подход, основанный на аппроксимации нелинейной зависимости электронной плотности от потенциала в сочетании с линеаризацией уравнения Пуассона. Показана эффективность данного подхода в задачах рассматриваемого класса. Доп.точки доступа: Ревизников, Д. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |