Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 102-109 : рис. - Библиогр.: c. 108-109 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- дифференциальное сопротивление -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- область пространственного заряда -- полная проводимость -- проводимость МДП-структур Аннотация: Полная проводимость МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследована в диапазоне температур 8-150 К при частотах переменного тестового сигнала 2 кГц - 2 МГц. Установлено, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структур с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe значительно увеличивается при снижении температуры от 77 до 8 К, а для структур без варизонного слоя изменения дифференциального сопротивления области пространственного заряда немонотонны и относительно невелики. Полученные результаты можно объяснить тем, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структуры без варизонного слоя ограничено при 8-77 К процессами туннелирования через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - процессами генерации Шокли - Рида. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |