Алимова, Лилия Баторгалиевна (канд. ист. наук, доц.). Екатеринбургская гранильная фабрика как придворная художественная мануфактура второй половины XVIII - начала XX века [Текст] / Л. Б. Алимова // Вестник Челябинского государственного университета. - 2007. - N 3. - С. . 47-57. - 0; Екатеринбургская гранильная фабрика как придворная художественная мануфактура второй половины 18 - начала 20 века. - 0; Екатеринбургская гранильная фабрика как придворная художественная мануфактура второй половины восемнадцатого - начала двадцатого века
Рубрики: История--История России, 18 в. Искусство--История искусства--Декоративно-прикладное искусство Россия Урал Екатеринбург Кл.слова (ненормированные): фабрики -- история фабрик -- гранильные фабрики -- мануфактуры -- художественные мануфактуры -- художественная промышленность -- гранильное искусство -- камнерезное искусство -- обработка камней -- технология обработки камней -- шлифовка -- полировка -- заводы -- мраморные заводы -- императрицы -- экспедиции -- глиптика -- художники -- камнерезы -- изделия из камня Аннотация: История фабрики, созданной по инициативе правительства, которая служила хранителем царских прерогатив на каменные богатства страны. Доп.точки доступа: Татищев \в. Н.\; Реф, Христиан \х.\; Бахирев, Никита \н.\; Коковин, Василий \в.\; Бецкий \и. И.\; Екатерина II (императрица российская); Екатеринбургская гранильная фабрика; Горнощитский мраморный завод Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}. Доп.точки доступа: Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г. |
Структурные и электрические свойства подложек SiGe-на-изоляторе, сформированных методом прямого сращивания [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1135-1139. : ил. - Библиогр.: с. 1139 (23 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структурные свойства -- электрические свойства -- прямое сращивание -- метод прямого сращивания -- подложки SiGe-на-изоляторе -- термически окисленные пластины -- кристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- химико-техническая полировка -- термическое окисление -- кремниевые пластины Аннотация: Предложен новый способ изготовления подложек SiGe-на-изоляторе- прямое сращивание термически окисленных пластин Si с пластинами Si[1-x]Ge[x] из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Формирование слоев Si[1-x]Ge[x] толщиной не более 10 мкм в композициях SiGe/SiO[2]/Si осуществлялось химико-механической полировкой. Для увеличения содержания Ge в слое Si[1-x]Ge[x] использовалось термическое окисление. Показано, что увеличение концентрации Ge и процедура термообработок при 1250{o}C не сопровождаются ухудшением структурных и электрических характеристик слоев Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Аргунова, Т. С.; Белякова, Е. И.; Рожков, А. В.; Шмидт, Н. М.; Юсупова, Ш. А.; Je, J. H. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сухинина, Надежда Сергеевна (инженер-исследователь). Коллоидные частицы диоксида кремния для финишной полировки полупроводниковых материалов [Текст] / Н. С. Сухинина, В. М. Масалов // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2010. - N 51. - С. 39-43. : ил. - Библиогр.: с. 43 (3 назв. )
Рубрики: Физика Прохождение частиц через вещество Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- полировка полупроводниковых материалов -- полупроводниковые материалы -- монодисперсность -- гетерогенный гидролиз -- гидролиз тетраэтоксисилана -- тетраэтоксисилан -- аминокислоты -- метод Штобера -- Штобера метод -- частицы SiO2 -- SiO2 -- получение затравок -- доращивание затравок Аннотация: Представлены исследования условий синтеза частиц диоксида кремния с высокой степенью монодисперсности. Показано, что сочетание метода гетерогенного гидролиза тетраэтоксисилана в присутствии аминокислоты для получения затравок и дальнейшего их доращивания методом Штобера, позволяет получать частицы SiO2 с узким распределением их по размеру. Доп.точки доступа: Масалов, Владимир Михайлович (кандидат технических наук) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Булыгин, Олег. Полировка алмазными падами, или Как придать полу бриллиантовый блеск [Текст] / О. Булыгин // Гостиница и ресторан: бизнес и управление. - 2011. - N 4. - С. 40.
Рубрики: Экономика Экономика гостиничного хозяйства Кл.слова (ненормированные): полы отелей -- освежение каменных полов -- применение пада -- полировка полов -- реставрация полов -- технология применения пада -- алмазные пады Аннотация: Технология применения падов в отелях. Значение постоянно сверкающих полов для классности отеля. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Петрова, Мария. Столовые приборы [Текст] / М. Петрова // Гостиница и ресторан: бизнес и управление. - 2011. - № 8. - С. 36-45. : 8 фото
Рубрики: Экономика Экономика общественного питания Кл.слова (ненормированные): столовые приборы -- выбор столовых приборов -- эксплуатация столовых приборов -- ассортимент -- сочетание столовых приборов -- столовая посуда -- бренды -- правила подачи столовых приборов -- сервировка стола -- полировка столовых приборов -- декорирование -- уход за столовыми приборами Аннотация: Ассортимент столовых приборов. Основные правила сочетания столовых приборов и посуды. Критерий выбора материала для их изготовления. Декорирование столовых приборов. Уход за столовыми приборами. Универсальность столовых приборов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Шаронов, Г. В. Суперфинишная полировка алмазных подложек для эпитаксиальных технологий [Текст] / Г. В. Шаронов, С. А. Петров // Инженерно-физический журнал. - 2011. - Т. 84, № 5. - С. 1100-1103. - Библиогр.: с. 1103 (10 назв. ) . - ISSN 0021-0285
Рубрики: Энергетика Электротехника в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллическая синтетическая алмазная подложка -- шлифовка -- суперфинишная вибрационная полировка -- эпитаксиальная технология -- шероховатость -- совершенство кристаллической структуры -- угол дифракции рентгеновских лучей -- асимметрия кривой отражения рентгеновских лучей -- полуширина Аннотация: Проведена оптимизация режимов суперфинишной виброполировки монокристаллических синтетических алмазных подложек. Установлено, что после их полировки в течение 100 ч шероховатость поверхности составила 0. 43 нм. Предложена и обоснована методика контроля структурного совершенства приповерхностного слоя алмазных подложек после их шлифовки и полировки. Доп.точки доступа: Петров, С. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |