Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства пленок бетаин фосфита [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 525-532. - Библиогр.: с. 532 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки бетаин фосфита -- поликристаллические пленки -- бетаин фосфит -- монокристаллические подложки -- подоложки кварца -- подложки ниобата лития -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Поликристаллические пленки бетаин фосфита выращены на монокристаллических подложках кварца и ниобата лития с предварительно нанесенными встречно-штыревыми преобразователями. С помощью поляризационного микроскопа в режиме отражения показано, что пленки состоят из больших (до 1 nm) монокристаллических блоков. Температурные зависимости емкости пленок на частотах 120 Hz - 1MHz демонстрируют сильный максимум при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода. Исследовано смещающегося поля на диэлектрическую проницаемость пленок. Показано, что различия температурного поведения диэлектрической проницаемости в монокристаллах и пленках связаны с влиянием динамических деформаций подложки на пленку и присутствием эффективного деполяризующего поля. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
Фотолюминесценция кремния после осаждения поликристаллических пленок алмаза [Текст] / Д. Ф. Аминев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1199-1203 : ил. - Библиогр.: с. 1203 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- низкотемпературная фотолюминесценция -- кремний -- кремниевая подложка -- подложка кремния -- пленки -- поликристаллические пленки -- алмазные пленки -- алмазы -- поликристаллические алмазы -- осаждение пленок алмаза -- микроволновые плазмы -- излучение -- дислокационное излучение -- дислокации -- химико-механическая полировка -- адгезия -- спектры -- спектры фотолюминесценции Аннотация: Исследована низкотемпературная (5 К) фотолюминесценция в области 0. 8-1. 2 эВ подложек кремния до и после осаждения пленок поликристаллического алмаза. Алмазные пленки осаждались в микроволновой плазме при температуре 750-850°С на чистый (р ~ ЗкОм x см) бездислокационный кремний, подвергнутый механической полировке или более совершенной химико-механической полировке. В спектре фотолюминесценции образцов, в которых кремниевая подложка подвергалась химико-механической полировке, регистрируются линии D[1] и D[2], связанные с дислокационным излучением. Возникновение дислокаций в этих подложках определяется хорошей адгезией алмазной пленки и, как следствие, появлением внутренних напряжений, релаксирующих в виде дислокаций. Полученные спектры практически идентичны спектрам фотолюминесценции, измеренным для кремния (р ~ 100 Ом x см) с плотностью дислокаций ~10{4}см{-2}. Доп.точки доступа: Аминев, Д. Ф.; Багаев, В. С.; Галкина, Т. И.; Клоков, А. Ю.; Кривобок, В. С.; Ральченко, В. Г. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вейс, Александр Николаевич. Особенности энергетического спектра и свойств поликристаллических пленок Pb[1-x]Cd[х]Se, сформированных на подложках из фтористого кальция и стекла [Текст] / А. Н. Вейс, В. И. Ильин, Н. Э. Тропина // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 7-17 : ил., табл. - Библиогр.: с. 17 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): поликристаллические пленки -- подложки -- подложки из фтористого кальция -- стеклянные подложки -- композитные пленки -- оптическое поглощение -- диэлектрические фазы -- кристаллиты -- фотопроводимость -- фотолюминесценция -- высокотемпературная обработка -- селенид свинца -- кислородсодержащая среда -- отжиг -- отжиг в парах йода Аннотация: В результате выполненной работы, установлено, что высокотемпературная обработка пленок на стекле в кислородсодержащей среде создает композитную пленку из основного материала и диэлектрической фазы. Показано, что отжиг в парах йода сопровождается появлением фотопроводимости и резким усилением люминесценции.Hightemperature treatment of films on the glass substrates creates compisite films of main materials and dielectric phase in the oxygen-containing medium. In thiscase the concentration of free holes in the vicinity of the crystallites surface decreases and photoluminescence of films grows up. Annealing in iodide vapor leads to the appearance of photoconductivity and to sharp intensification of photoluminescence of films. The effects are explained by inversion of surface conductivity in PbSe crystallites because of formation of localized states having the donor character. Доп.точки доступа: Ильин, Владимир Иванович (1937-); Тропина, Наталья Эдуардовна Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние состава и структуры металла на электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки [Текст] / И. Г. Пашаев [и др.] // Инженерная физика. - 2012. - № 10. - С. 23-26 : ил., табл. - Библиогр.: с. 26 (11 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аморфные металлы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- пленки сплавов -- металлические пленки -- аморфные пленки -- поликристаллические пленки -- кремниевые диоды -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- диоды -- микроструктуры Аннотация: Исследовано получение диодов Шоттки и изучены электрофизические свойства кремниевых диодов Шоттки, содержащих металлические пленки различного состава. Доп.точки доступа: Пашаев, Ислам Герай оглы; Гараев, Елдар Семед оглы; Назаров, Максуд Сайасад оглы; Абузеров, Исмаил Акбер оглы Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фазовые превращения в системе Mn-Ge и в разбавленных полупроводниках Ge[x]Mn[1-x] [Текст] / В. Г. Мягков [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 96, вып. 1. - С. 42-45
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ферромагнитные разбавленные полупроводники -- фазовые превращения -- Mn -- Ge -- твердофазные реакции -- поликристаллические пленки Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования твердофазных реакций в Ge/Mn поликристаллических пленках 80Ge: 20Mn атомного состава методом рентгеновской дифракции, магнитных и электрических измерений. Показано, что ферромагнитная Mn[5]Ge[3]-фаза формируется первой на Ge/Mn-интерфейсе после отжигов при ~120 градусах C. Дальнейшее увеличение температуры отжига до 300 градусов C приводит к началу синтеза Mn[11]Ge[8]-фазы, которая становится доминирующей при 400 градусах C. На основании анализа приведенных результатов и результатов, полученных ранее при исследовании твердофазных реакций в различных пленочных структурах, предсказано существование новых структурных переходов в Mn-Ge системе в районе ~120 и ~300 градусов C. Обосновывается предположение об общих химических механизмах синтеза Mn[5]Ge[3]- и Mn[11]Ge[8]-фаз при твердофазных реакциях в Ge/Mn-пленках 80Ge: 20Mn атомного состава и при фазовом расслоении в Ge[x]Mn[1-x] (x больше 0. 95) разбавленных полупроводниках. Доп.точки доступа: Мягков, В. Г.; Жигалов, В. С.; Мацынин, А. А.; Быкова, Л. Е.; Бондаренко, Г. В.; Бондаренко, Г. Н.; Патрин, Г. С.; Великанов, Д. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Эллипсометрический метод определения оптических параметров тонкопленочных покрытий со сложной структурой [Текст] / А. А. Тихий [и др.] // Оптика и спектроскопия. - 2015. - Т. 119, № 2. - С. 282-286 : ил., граф. - Библиогр.: с. 286 (7 назв.) . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): Малина-Ведама метод -- метод Малина-Ведама -- однослойные покрытия -- оптические параметры -- поликристаллические пленки -- поляризация света -- сложные пленочные структуры -- тонкопленочные покрытия -- эллипсометрический метод -- эллипсометрия Аннотация: Предложен способ учета сложной структуры однослойного тонкопленочного покрытия, обусловленной влиянием границ пленки с обрамляющими средами, при решении обратной задачи эллипсометрии модифицированным методом Малина-Ведама и описаны особенности его применения. Доп.точки доступа: Тихий, А. А.; Грицких, В. А.; Кара-Мурза, С. В.; Корчикова, Н. В.; Николаенко, Ю. М.; Фарапонов, В. В.; Жихарев, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |