Падеров, Виктор Петрович. Влияние параметров канала полевого транзистора на характеристики интегральной микросхемы истокового повторителя [Текст] / В. П. Падеров, С. В. Никитанов // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 30-35. - Библиогр.: с. 35 (4 назв. )
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы -- транзисторы -- полевые транзисторы -- микросхемы -- интегральные микросхемы -- электрические параметры -- характеристики -- повторители -- истоковые повторители -- микрофоны -- электронные микрофоны Аннотация: Проанализировано влияние параметров канала полевого транзистора с управляющим p-n-переходом на электрические параметры интегральной микросхемы истокового повторителя, работающей в малогабаритном электретном микрофоне. Доп.точки доступа: Никитанов, Сергей Валерьевич |
Ждан, А. Г. Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 705-707
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- кремниевые транзисторы -- ионная поляризация -- спонтанная поляризация -- термополевая обработка -- подвижность электронов Аннотация: В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока I[d]. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (T[r]) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na\{+\}) у границы раздела SiO[2]/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2. 3 раза), крутизны, I[d] и небольшим уменьшением порогового напряжения (Дельта V[th]=0. 58 В). При T=T[r] модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением I[d] и продолжительностью нагрева. Доп.точки доступа: Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В. |
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 478-482
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- псевдоморфные гетероструктуры -- двумерные электроны -- полевые транзисторы -- электрические поля -- СВЧ транзисторы Аннотация: Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al[0. 36]Ga[0. 64]As/In[0. 15]Ga[0. 85]As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In[0. 15]Ga[0. 85]As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. Доп.точки доступа: Мокеров, В. Г.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Юцене, В.; Пашкевич, Ч. |
Масальский, Н. В. Вопросы масштабирования характеристик КМОП СБИС [Текст] = Problems of Scaling of CMOS VLSI Characteristics / Н. В. Масальский // Успехи современной радиоэлектроники. - 2009. - N 7. - С. 3-27 : 19 рис., 6 табл. - Библиогр.: с. 26-27 (50 назв. ). - Аннотация на англ. яз. в конце ст. . - ISSN 2070-0784
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): 100 нм -- КМОП-транзисторы -- линии связи -- масштабирование -- микропроцессоры -- нанотранзисторы -- обобщенное масштабирование -- полевые транзисторы -- правила масштабирования -- СБИС -- схемы функциональные -- ток утечки -- транзисторы -- функциональные схемы Аннотация: Анализируются качественные и количественные закономерности, относящиеся к теории масштабирования характеристик КМОП СБИС. Обсуждаются физические ограничения, связанные с отсутствием масштабирования отдельных параметров и их критического влияния при переходе на топологические нормы менее 100 нм. |
Бахвалова, Светлана Анатольевна. Определение параметров нелинейной модели мощных GaAs MESFET полевых транзисторов [Текст] / С. А. Бахвалова // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 78. - С. 29-33. - Библиогр.: с. 33 (5 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): методики -- нелинейные модели -- параметры -- транзисторы -- полевые транзисторы -- вольтамперные характеристики Аннотация: Предложена методика определения параметров модели Ангелова применительно к мощным GaAs MESFET-транзисторам. Определен минимальный набор параметров модели. |
Орлов, М. Л. Механизмы и особенности детектирования излучения субмиллиметрового диапазона длин волн полевыми транзисторами с коротким двумерным каналом [Текст] / М. Л. Орлов, А. Н. Панин, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 816-824 : ил. - Библиогр.: с. 824 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- полевые транзисторы -- короткоканальные транзисторы -- вольт-ваттная чувствительность -- ВВЧ -- диапазоны -- фоточувствительность -- плазмоны -- двумерные плазмоны -- частотные характеристики Аннотация: Выполнен анализ детектирующих свойств ряда короткоканальных полевых транзисторов с использованием их стационарных выходных характеристик. Вид рассчитанных зависимостей вольт-ваттной чувствительности от прикладываемых напряжений сопоставляется с соответствующими кривыми, полученными из высокочастотных измерений. Показано, что наблюдаемый в диапазоне частот 400-750 ГГц немонотонный вид зависимости фоточувствительности полевых гетеротранзисторов от прикладываемых к затвору напряжений не связан с резонансным возбуждением двумерных плазмонов в подзатворной плазме транзистора, а обусловлен изменением характера распределения стационарных полей внутри структуры и, как следствие, с изменением эффективности проявления нерезонансных механизмов нелинейности в электронной подсистеме транзистора с ростом напряжения между затвором и транспортным каналом. Данный вывод подтверждается исследованиями частотных зависимостей фотоотклика в рассматриваемом диапазоне, не обнаруживающих резонансное поведение на частотах, соответствующих положению наблюдаемых максимумов на кривых, измеренных на фиксированной частоте при разных напряжениях на затворе транзистора. Доп.точки доступа: Панин, А. Н.; Орлов, Л. К. |
InGaP/InGaAs Doped-Channel Direct-Coupled Field-Effect Transistors Logic with Low Supply Voltage [Text] / Jung-HuiTsai [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - P235-239 : ил. - Библиогр.: с. 239 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- логические схемы -- полевые транзисторы -- электрическое напряжение -- двумерный анализ -- режим обеднения -- двумерный электронный газ -- напряжение насыщения -- оптоэлектронные интегральные схемы -- напряжение включения -- крутизна -- перепады напряжений -- затворы -- высокочастотные характеристики -- помехоустойчивость Аннотация: InGaP/InGaAs doped-channel direct-coupled field-effect transistor logic (DCFL) with relatively low supple voltage is demonstrated by two-dimensional analysis. In the integrated enhancement/depletion-mode transistors, subband and two-dimensional electron gas (2DEG) are formed in the InGaAs strain channels, which substantially increase the channel concentration and decrease the drain-to-source saturation voltage. The integrated devices show high turn-on voltage, high transconductance, broad gate voltage swing, and excellent high frequency performance, simultaneously. Furthermore, the integrated devices exhibit large noise margins for DCFL application with low supply voltage of 1. 5 V attributed from the relatively small saturation voltages of the studied integrated devices. Доп.точки доступа: Jung-Hui Tsai; Wen-Shiung Lour; Tzu-Yen Weng; Chien-Ming Li |
Туев, В. И. Расчет нелинейных искажений в пассивных аттенюаторах на полевых транзисторах [Текст] / В. И. Туев // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 310, N 1. - С. 202-205 : ил. - Библиогр.: с. 205 (8 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- пассивные аттенюаторы -- нелинейные искажения -- расчет искажений -- передаточные функции -- регулировочные характеристики -- p-n переходы -- МДП-структуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Предложен метод расчета нелинейных передаточных функций пассивных аттенюаторов на полевых транзисторах. Метод пригоден для расчета регулировочной характеристики и нелинейных искажений аттенюаторов на полевых транзисторах с затвором на основе p-n перехода, МДП-структуры и барьера Шотки. Представлены результаты исследования аттенюаторов с параллельным, последовательным и смешанным соединением регулируемых элементов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Стукач, Олег Владимирович. Моделирование структур аттенюаторов на полевых транзисторах с минимальным изменением фазового сдвига при регулировании ослабления [Текст] / О. В. Стукач // Известия Томского политехнического университета. - 2007. - Т. 311, N 4 : Энергетика. - С. 95-98. : ил. - Библиогр.: с. 98 (3 назв. ).
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Кл.слова (ненормированные): аттенюаторы -- полевые транзисторы -- фазовые сдвиги -- затвор Шоттки -- Шоттки затвор -- вольтамперные характеристики -- фазочастотные характеристики -- моделирование аттенюаторов -- корректирующие цепи Аннотация: Рассмотрены управляемые аттенюаторы поглощающего типа на полевых транзисторах с затвором Шоттки: Т-образная, Т-образная мостовая схемы и аттенюатор на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Проведено моделирование фазочастотных характеристик аттенюаторов. Главное отличие схем от ранее известных заключается в введении корректирующих цепей, что обуславливает широкополосность и больший диапазон вносимых ослаблений с минимумом фазового сдвига при регулировании. Найдены оптимальные параметры корректирующих цепей в аттенюаторах. Показано, что наименьший фазовый сдвиг обеспечивается в аттенюаторе на транзисторе в режиме с управляемой крутизной вольтамперной характеристики. Дана сравнительная оценка рассмотренных базовых структур. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Выращивание высокосовершенных гетероструктур III-N [Текст] / А. Алексеев [и др. ] // Наноиндустрия. - 2011. - N 1. - С. 20-22. : ил.: 1 рис. - Библиогр.: с. 22 (3 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника--Россия--Санкт-Петербург Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): многослойные нитридные гетероструктуры -- сапфиры -- полуизолирующие карбиды -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- СВЧ-транзисторы Аннотация: Выращена многослойная нитридная гетероструктура на подложках сапфира и полуизолирующего карбида. Доп.точки доступа: Алексеев, А.; Красовицкий, Д.; Петров, С.; Чалый, В.; НТО, ЗАО; Светлана-Рост, ЗАО Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Алешин, А. Н. Фоточувствительный полевой транзистор на основе композитной пленки поливинилкарбазола с наночастицами никеля [Текст] / А. Н. Алешин, И. П. Щербаков, Ф. С. Федичкин // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 8. - С. 1586-1590. - Библиогр.: с. 1590 (16 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- транзисторы -- композитные пленки -- пленки поливинилкарбазола Аннотация: Исследованы электронные и оптоэлектронные свойства полевых транзисторных структур с активным слоем на основе композитных пленок полупроводникового полимера - поливинилкарбазола (PVK) - с наночастицами никеля. Показано, что в таких структурах при небольших концентрациях никеля (5-10 wt. %) наблюдаются вольт-амперные характеристики, свидетельствующие об амбиполярном транспорте. Значения подвижности для полевых транзисторных структур на основе пленок PVK : Ni (Ni~ 5 wt. %) составили ~ 1. 3 и ~ 1. 9 cm{2}V·s для электронов и дырок соответственно. Установлено, что фоточувствительность, наблюдаемая в таких структурах, связана с особенностями транспорта в пленке полимер-наночастицы никеля, механизм которого определяется модуляцией проводимости рабочего канала полевого транзистора падающим светом и напряжением на затворе. Доп.точки доступа: Щербаков, И. П.; Федичкин, Ф. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций [Текст] / В. В. Мамаев [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- нитрид галлия -- плотность дислокаций -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- атомно-силовая микроскопия -- СВЧ-транзисторы -- многослойные гетероструктуры Аннотация: Цель работы - выращивание кристаллически совершенных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций и высокой подвижностью электронов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на инородных подложках с использованием аммиака в качестве источника активного азота, а также в снижении стоимости гетероструктур для изготовления сверхвысокочастотных полевых транзисторов.Purpose is to grow perfect crystal gallium nitride layers with low dislocation density and high electron mobility by molecular beam epitaxy on foreign substrates using ammonia as a source of active nitrogen, and also to reduce the cost of manufacturing of microwave heterostructure field effect transistors. Доп.точки доступа: Мамаев, Виктор Викторович; Сидоров, Валерий Георгиевич (1939-); Петров, Станислав Игоревич; Алексеев, Алексей Николаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Михайлович, С. В. Влияние толщины барьерного слоя наногетероструктур и ёмкости затвор-сток на сверхвысокочастотные и шумовые параметры полевых транзисторов с высокой подвижностью электронов НА ALGaN/GaN [Текст] / С. В. Михайлович, Ю. В. Фёдоров // Известия вузов. Радиофизика. - 2016. - Т. 59, № 2. - С. 171-179 : 7 рис. - Библиогр.: с. 178 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Машиностроение Отраслевое машиностроение Кл.слова (ненормированные): барьерный слой -- толщина -- наногетероструктура -- полевые транзисторы Аннотация: В работе проведено расчётно-аналитическое исследование влияния толщины барьерного слоя наногетероструктуры, а также ёмкости между затвором и стоком Cgd на сверхвысокочастотные (предельную частоту усиления по току и максимальную частоту генерации) и шумовые (коэффициент шума) параметры полевого транзистора с высокой подвижностью электронов на AlGaN/GaN. Доп.точки доступа: Фёдоров, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
PSpice-модель мощного высоковольтного индукционного тиристора [Текст] / П. А. Воронин [и др.] // Известия Российской академии наук. Энергетика. - 2017. - № 2. - С. 30-38 : ил. - Библиогр.: с. 38 (5 назв.). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на русском и английском языках . - ISSN 0002-3310
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): PSpice-модель -- p-n-переходы -- МДП-транзисторы -- биполярные транзисторы -- высоковольтные индукционные тиристоры -- индукционные тиристоры -- математические модели -- полевые транзисторы -- схемотехнические модели -- тиристоры -- транзисторы -- униполярные транзисторы -- электростатическое управление Аннотация: Предложена новая схемотехническая модель мощного высоковольтного индукционного тиристора, одного из перспективных приборов для применения в высоковольтной силовой электронике. Модель индукционного тиристора разработана в системе схемотехнического моделирования PSpice. Доп.точки доступа: Воронин, П. А.; Воронин, И. П.; Панфилов, Д. И.; Рашитов, П. А.; Ремизевич, Т. В.; Духнич, Е. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |