Варнаков, С. Н. Размерные эффекты и намагниченность многослойных пленочных наноструктур (Fe/Si) [n] [Текст] / С. Н. Варнаков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1401-1405. - Библиогр.: с. 1405 (26 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод термического испарения -- многослойные пленочные наноструктуры -- монокристаллический кремний -- намагниченность -- наноструктуры -- подложки монокристаллического кремния -- слоистые наноструктуры Аннотация: Приводятся результаты исследований температурной зависимости намагниченности многослойных пленок (Fe/Si) [n] со слоями нанометровых толщин. Пленки получены методом термического испарения в сверхвысоком вакууме на подложках монокристаллического кремния Si (100) и Si (111). Обнаружена зависимость величины намагниченности и ее температурного хода в пленках (Fe/Si) [n] от толщины индивидуального слоя Fe. Показано, что эта зависимость является следствием образования химического интерфейса на границах раздела Fe-Si. Оценены характеристики интерфейса в пленках (Fe/Si) [n]. Доп.точки доступа: Bartolome, J.; Sese, J.; Овчинников, С. Г.; Комогорцев, С. В.; Паршин, А. С.; Бондаренко, Г. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Давыдов, С. Ю. Адсорбция на металлах и полупроводниках: модели Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона [Текст] / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 8. - С. . 1508-1513. - Библиогр.: с. 1512-1513 (28 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция на металлах -- адсорбция на полупроводниках -- Андерсона-Ньюнса модель -- металлические подложки -- модель Андерсона-Ньюнса -- полупровдниковые подложки -- Халдейна-Андерсона модель -- Халдейна-Андерсона модель Аннотация: Приведен сравнительный анализ моделей Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона при описании адсорбции атомов (молекул) на металлических и полупроводниковых подложках. Выявлены общие черты моделей и их различия. Рассмотрена адсорбция как изолированного адатома, так и субмонослойной пленки. Обсуждается влияние различных каналов взаимодействия адатомов на их электронную структуру и работу выхода адсорбционной системы. Доп.точки доступа: Трошин, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тимошенков, Сергей Петрович. Особенности формирования фоторезистивных пленок на подложках некруглой формы [Текст] / С. П. Тимошенков, В. В. Ануфриенко, Мьо Хейн Зо // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 6. - С. 71-74. - Библиогр.: с. 73-74 (4 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): фоторезистивные пленки -- поверхностное натяжение -- сила Кориолиса -- Кориолиса сила -- подложки -- покрытия Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования формирования на прямоугольных и квадратных подложках покрытий из растворов с различными значениями плотности, коэффициентов вязкости и поверхностного натяжения. Доп.точки доступа: Ануфриенко, Вячеслав Владимирович; Мьо Хейн Зо |
Керметные плазменные покрытия TiB[2]-Ni (Ni-Mo), сформированные из механически легированных порошков [Текст] / В. И. Калита [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 49-55 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): керметные покрытия -- керметные плазменные покрытия -- плазменные покрытия -- легированные порошки -- механически легированные порошки -- микротвердость плазменных покрытий -- керметные материалы -- напыление -- металлические подложки -- плазменно-лазерные покрытия Аннотация: Исследованы структура и микротвердость плазменных покрытий, полученных напылением механически легированного порошка кермета TiB[2]-NiMo на металлические подложки. Доп.точки доступа: Калита, В. И.; Умнов, П. П.; Куракова, Н. В.; Молоканов, В. В.; Комлев, Д. И. |
Структурно-фазовое состояние системы Ti-Si, обработанной компрессионными плазменными потоками [Текст] / В. В. Углов [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 32-36 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение в целом Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): плазменные потоки -- компрессионные плазменные потоки -- приповерхностные слои -- фазовые превращения -- легированные слои -- дендриты -- титановые покрытия -- кремниевые подложки -- силициды титана Аннотация: Исследованы особенности структурных изменений и закономерности фазовых превращений в приповерхностных слоях системы "титановое покрытие-кремниевая подложка" после обработки компрессионными плазменными потоками. Доп.точки доступа: Углов, В. В.; Квасов, Н. Т.; Петухов, Ю. А.; Асташинский, В. М.; Кузьмицкий, А. М. |
Переход металл-изолятор в эпитаксиальных пленках n-3C-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 337-341
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): подложки гексагонального карбида кремния -- сублимационная эпитаксия -- гальваномагнитные исследования -- гетероструктуры -- магнетосопротивление -- эпитаксиальные структуры Аннотация: На подложках гексагонального карбида кремния методом сублимационной эпитаксии выращены пленки n-3C-SiC. Проведено исследование низкотемпературной проводимости и магнетосопротивления полученных пленок в зависимости от уровня легирования и структурного качества. Обнаружено, что при концентрациях нескомпенсированных доноров N[d]-N[a] ? 3 •10\{17\} см\{-3\} в слое n-3C-SiC происходит переход металл-диэлектрик. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Агринская, Н. В.; Козуб, В. И.; Кузнецов, А. Н.; Лебедев, С. П.; Оганесян, Г. А.; Трегубова, А. С.; Черняев, А. В.; Шамшур, Д. В.; Скворцова, М. О. |
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (ламбда[cut off]=4. 5 мкм) [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 412-417
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флип-чип фотодиоды -- кванты с высокими энергиями -- легированные подложки -- эффект Мосса-Бурштейна -- Мосса-Бурштейна эффект -- глубокая меза травления -- омические контакты Аннотация: Проведен анализ инфракрасных "собственных" и в отраженных лучах изображений флип-чип фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAsSb/n\{+\}-InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещении p-n-перехода, произведена оценка коэффициентов отражения от омических контактов. Обсуждается влияние глубины травления мезы и степени легирования подложек n\{+\}-InAs на спектральные характеристики и чувствительность фотодиодов, освещаемых со стороны n\{+\}-InAs в диапазоне 2. 7-4. 5 мкм. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Черняков, А. Е. |
Начальные стадии роста Ge на поверхности Si (7710) [Текст] / Р. А. Жачук [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 1. - С. 189-194. - Библиогр.: с. 193-194 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): метод сканирующей туннельной микроскопии -- гелий -- ступенчатые поверхности -- нанопроволоки -- подложки Si (7710) -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Методом сканирующей туннельной микроскопии исследованы начальные стадии роста Ge на поверхности Si (7710), содержащей регулярные ступени высотой в три межплоскостных расстояния. В литературе эта поверхность ранее обозначалась как (557). Изучена зависимость морфологии и структуры поверхности Si (7710) от величины покрытия Ge и температуры его осаждения. Показано, что возможно формирование нанообъектов типа нанопроволок трех видов на этой поверхности. Доп.точки доступа: Жачук, В. А.; Романюк, К. Н.; Тийс, С. А.; Ольшанецкий, Б. З. |
Балашова, Е. В. Диэлектрические свойства пленок бетаин фосфита [Текст] / Е. В. Балашова, Б. Б. Кричевцов, В. В. Леманов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 3. - С. 525-532. - Библиогр.: с. 532 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пленки бетаин фосфита -- поликристаллические пленки -- бетаин фосфит -- монокристаллические подложки -- подоложки кварца -- подложки ниобата лития -- диэлектрическая проницаемость Аннотация: Поликристаллические пленки бетаин фосфита выращены на монокристаллических подложках кварца и ниобата лития с предварительно нанесенными встречно-штыревыми преобразователями. С помощью поляризационного микроскопа в режиме отражения показано, что пленки состоят из больших (до 1 nm) монокристаллических блоков. Температурные зависимости емкости пленок на частотах 120 Hz - 1MHz демонстрируют сильный максимум при температуре сегнетоэлектрического фазового перехода. Исследовано смещающегося поля на диэлектрическую проницаемость пленок. Показано, что различия температурного поведения диэлектрической проницаемости в монокристаллах и пленках связаны с влиянием динамических деформаций подложки на пленку и присутствием эффективного деполяризующего поля. Доп.точки доступа: Кричевцов, Б. Б.; Леманов, В. В. |
Вольт-амперная характеристика p-n-структур на основе непрерывного твердого раствора (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] [Текст] / А. С. Саидов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 436-438
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): инжекционное объединение -- эпитексиальные слои -- подложки -- монокристаллический кремний -- зеркальные поверхности Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики структур p-Si-n- (Si[2]) [1-x] (CdS) [x] (0=? х? ; 0. 01) при различных значениях температуры. Обнаружено, что вольт-амперная характеристика таких структур имеет участок сублинейного роста тока с напряжением V~V[0]exp (JaW). Экспериментальные результаты объясняются на основе теории эффекта инжекционного обеднения. Показано, что подвижность неосновных носителей - дырок - уменьшается с ростом температуры. Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Лейдерман, А. Ю.; Усмонов, Ш. Н.; Холиков, К. Т. |
Оптические и структурные характеристики пленок оксида цинка, легированных галлием [Текст] / О. А. Новодворский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 439-444
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- монокристаллические подложки -- примеси галлия -- рентгеноструктурные исследования -- широкозонные полупроводники -- лазерные диоды Аннотация: Методом импульсного лазерного осаждения на монокристаллических подложках сапфира (0001) получены пленки ZnO n-типа проводимости, легированные галлием до 2. 5 ат%. Определены зависимости пропускания пленок ZnO в спектральном диапазоне от 200 до 3200 нм от концентрации примеси галлия. Установлено, что увеличение концентрации примеси галлия смещает границу фундаментальной полосы поглощения в синюю область, но снижает прозрачность пленок ZnO в инфракрасной области спектра. Определена зависимость ширины запрещенной зоны ZnO от уровня легирования галлием. Получены спектры фотолюминесценции пленок ZnO с различным уровнем легирования. Установлена немонотонная зависимость интенсивности и положения максимума фотолюминесценции от уровня легирования. Проведены рентгеноструктурные исследования пленок. Установлена зависимость кристаллографических параметров (постоянной решетки c) пленки ZnO от концентрации примеси галлия и условий процесса напыления. Доп.точки доступа: Новодворский, О. А.; Горбатенко, Л. С.; Панченко, В. Я.; Храмова, О. Д.; Черебыло, Е. А.; Венцель, К.; Барта, Й. В.; Бублик, В. Т.; Щербачев, К. Д. |
AlGaN/GaN-СВЧ HEMT-транзисторы с пробивным напряжением выше 100 В и с предельной частотой усиления по мощности f[max] до 100 ГГц [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 561-567
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): СВЧ транзисторы -- монолитные интегральные схемы -- транзисторы сантиметрового диапазона -- подложки сапфира -- НЕМТ-транзисторы Аннотация: Исследованы AlGaN/GaN HEMT- (High Electron Mobility Transistor) - транзисторы с секционированными затворами, с различными длинами затворов L[g] от 170 нм до 0. 5 мкм и с их ширинами W[g]=nW\{n\}[g] (где W\{n\}[g] - ширина секций и n - их количество) от 100 до 1200 мкм. По измеренным S-параметрам определены предельные частоты усиления по току f[t], по мощности f[max] и коэффициенты усиления MSG/MAG на частотах 10, 20 и 30-40 ГГц. Исследована зависимость частоты f[t] от длины затвора. При L[g]=170 нм f[t] достигает 48 ГГц. Проанализированы зависимости частоты f[max] от размеров затворов и их топологии. С уменьшением L[g] и W\{n\}[g] f[max] растет и при L[g]=170 нм и W[g]=100 мкм достигает 100 ГГц. Найдены оптимальные значения ширин затворов W[g] и выходной мощности базовых транзисторов для различных частот. В разработанной 170 нм-AlGaN/GaN-HEMT-технологии сочетаются и высокие частотные характеристики (f[max]=100 ГГц) и большие пробивные напряжения (115 В), что делает ее привлекательной для функционирования на частотах до 40 ГГц. Доп.точки доступа: Мокеров, В. Г.; Кузнецов, А. Л.; Федоров, Ю. В.; Енюшкина, Е. Н.; Бугаев, А. С.; Павлов, А. Ю.; Гнатюк, Д. Л.; Зуев, А. В.; Галиев, Р. Р.; Овчаренко, Е. Н.; Свешников, Ю. Н.; Цацульников, А. Ф.; Устинов, В. М. |
Особенности механических испытаний пленок хитозана [Текст] / Е. Н. Федосеева [и др. ] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 7. - С. 42-46. - Библиогр.: с. 46 (12 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Техника Материаловедение Химическая технология Полимеры и пластмассы с особой структурой, особыми свойствами и специального назначения Кл.слова (ненормированные): механические испытания -- пленки хитозана -- деформационно-прочностные испытания -- хитозан -- полимеры -- молекулярная масса -- деацетилирование -- прочность пленок -- анизотропия -- эффект подложки -- деформации Аннотация: Установлено влияние молекулярной массы, степени деацетилирования, природы растворителя на воспроизводимость результатов деформационно-прочностных испытаний пленочных образцов хитозана и выработка некоторых рекомендаций по методу их проведения. Доп.точки доступа: Федосеева, Е. Н.; Алексеева, М. Ф.; Нистратов, В. П.; Смирнова, Л. А. |
Иванов, М. С. Особенности формирования тонких сегнетоэлектрических пленок Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на различных подложках методом высокочастотного распыления [Текст] / М. С. Иванов, М. С. Афанасьев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1259-1262. - Библиогр.: с. 1262 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- метод высокочастотного распыления -- тонкие пленки -- твердые растворы -- монокристаллические подложки Аннотация: Методом высокочастотного катодного распыления керамической мишени стехиометрического состава на установке магнетронного распыления получены эпитаксиальные тонкие пленки твердых растворов Ba[x]Sr[1-x]TiO[3] на монокристаллических подложках MgO (001) и NdGaO[3] (011). Определены основные качественные различия оптических, структурных и электрических свойств полученных сегнетоэлектрических пленок, выявлена их существенная зависимость от выбора подложки. Доп.точки доступа: Афанасьев, М. С. |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |
Углеродные нанотрубные автоэмиттеры с большой плотностью эмиссионного тока: синтез и эмиссионные характеристики [Текст] / Е. Ф. Куковицкий[и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 5-9. - Библиогр.: с. 9 (13 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): углеродные нанотрубки -- кремниевые подложки -- силицид кремния -- автоэмиссия Аннотация: Методом химического осаждения из пара (CVD) получены углеродные нанотрубные слои на кремниевых подложках с интерфейсным слоем из силицида никеля NiSi2. По данным рентген-дифракционного анализа, силицид образует эпитаксиальную пленку на поверхности кремния. Доп.точки доступа: Куковицкий, Е. Ф.; Шустов, В. А.; Львов, С. Г.; Осин, Ю. Н.; Мусатов, А. Л.; Израэльянц, К. Р.; Ормонт, А. Б. |
Исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC [Текст] / А. А. Лебедев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 785-788 : ил. - Библиогр.: с. 787-788 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- кубический карбид кремния -- слои -- эпитаксиальные слои -- кубические эпитаксиальные слои -- сублимационная эпитаксия -- рентгеновская топография -- рамановская спектроскопия -- вольт-фарадные измерения -- спектроскопия -- 3C-SiC -- подложки -- 15R-SiC Аннотация: Проведено исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложках 15R-SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме. Методами рентгеновской топографии и рамановской спектроскопии показано достаточно высокое структурное качество полученных эпитаксиальных слоев. По данным рамановской спектроскопии и вольт-фарадным измерениям установлено, что концентрация электронов в слое 3C-SiC составляет (4-6) х10{18} см{-3}. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Абрамов, П. Л.; Богданова, Е. В.; Зубрилов, А. С.; Лебедев, С. П.; Нельсон, Д. К.; Середова, Н. В.; Смирнов, А. Н.; Трегубова, А. С. |
Вольфсон, А. А. Самопроизвольное отделение слоя AlN, полученного методом сублимации, от подложки SiC-6H [Текст] / А. А. Вольфсон // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 847-849 : ил. - Библиогр.: с. 848 (2 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сублимация -- кристаллы -- кристаллы AlN -- AlN кристаллы -- слои -- объемные слои -- подложки -- AlN -- SiC-6H Аннотация: Получение толстых слоев и объемных кристаллов AlN - одна из актуальных задач современной науки и техники. Основной метод ее решения - сублимационный, когда испаряемый при температуре около 2000oC слой AlN эптиаксиально наращивается на подложку SiC. Серьезной проблемой в этом случае является различие коэффициентов термического расширения этих материалов, которое при остывании до комнатной температуры приводит к изгибу, растрескиванию и большим механическим напряжениям в слое AlN. В данной работе рассмотрен случай самопроизвольного отделения не имеющего трещин слоя AlN от подложки SiC, что указывает на реальную возможность выстраивания такой технологии роста, при которой их разделение станет обязательным. Возможные причины самопроизвольного разделения слоя и подложки: 1) образование на интерфейсе прослойки алюминия; 2) развитие начальной стадии роста по схеме, описанной ранее, когда слой и подложка атомарно связаны только на отдельных относительно немногочисленных участках, где происходило зарождение растущего кристалла, а при остывании эти участки разрушались, и слой отделялся от подложки. Пока не ясно, какие особенности или аномалии ростового процесса привели к описываемому результату. |
Кристаллическое совершенство пленок GaP, выращенных методом молекулярной эпитаксии на подложках Si с использованием атомарного водорода [Текст] / М. А. Путято [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1275-1279 : ил. - Библиогр.: с. 1279 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- эпитаксиальные пленки -- GaP -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- подложки -- Si -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- дислокация несоответствия -- ДН -- водород -- атомарный водород -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- рентгеновская дифрактометрия Аннотация: Методом помонослойной молекулярно-лучевой эпитаксии выращивались пленки GaP на подложках Si, отклоненных от плоскости (001) на 6° вокруг оси (011). Методами дифракции быстрых электронов, просвечивающей электронной микроскопии, а также с помощью рентгеновской дифрактометрии было показано, что введение атомарного водорода в процесс эпитаксии существенно улучшает общее структурное совершенство пленок GaP. Вплоть до толщин около 0. 1 мкм полуширина пика на рентгеновской кривой в рефлексе (004) от таких пленок практически совпадает с теоретической для бездефектных пленок, что свидетельствует об их состоянии, близком к псевдоморфному. Доп.точки доступа: Путято, М. А.; Болховитянов, Ю. Б.; Василенко, А. П.; Гутаковский, А. К. |
Кинетика формирования нанопроволоки в процессе вакуумной конденсации металлов на поверхность кристалла [Текст] / В. М. Иевлев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2233-2236. - Библиогр.: с. 2236 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- нанопроволоки -- сегнетоэлектрики -- вакуумные конденсации -- кинетика формирования нанопроволок -- поверхностные стоки -- кристаллические подложки -- решетки нанокристаллов Аннотация: Исследуется кинетика образования нанопроволоки на ступенях кристаллической диэлектрической подложки при вакуумной конденсации металлов из пара. Рассчитано время формирования нанопроволоки для разных значений температуры подложки и скорости конденсации. Доп.точки доступа: Иевлев, В. М.; Омороков, Д. Б.; Хабарова, О. С.; Шведов, Е. В. |