Пшенай-Северин, Д. А. Влияние особенностей зонной структуры на термоэлектрические свойства полупроводника [Текст] / Д. А. Пшенай-Северин, М. И. Федоров // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1559-1562. - Библиогр.: с. 1562 (9 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): зоны проводимости -- относительная подвижность электронов -- полупроводники -- проводимость -- термоэлектрическая эффективность -- эффективные массы носителей заряда Аннотация: Теоретически исследуется зависимость термоэлектрических параметров материала со сложной зонной структурой от энергетического положения зон и эффективных масс носителей тока. Указываются оптимальные значения параметров, приводящие к увеличению термоэлектрической добротности. Полученные результаты проиллюстрированы на примере твердых растворов Mg[2]Si-Mg[2]Sn n-типа, в которых сложная структура зоны проводимости является одной из причин повышения термоэлектрической эффективности. Доп.точки доступа: Федоров, М. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Михеев, В. М. Подвижность двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов [Текст] / В. М. Михеев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 10. - С. 1770-1779. - Библиогр.: с. 1779 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): двумерные электроны -- корреляционные эффекты -- модель твердых шаров -- подвижность электронов -- примесные центры -- пространственные корреляции -- рассеяние электронов Аннотация: Модель твердых сфер прилагается к описанию корреляционных эффектов в подвижности двумерных электронов при рассеянии на коррелированном распределении примесных ионов. Теория развита для случая частично ионизированных примесных центров, когда корреляции в распределении примесных ионов ослаблены вследствие дефицита свободных мест для примесных дырок. Вычисления выполнены для случая гетероструктур с широким спейсером, когда преобладает рассеяние электронов на малые углы. |
Микроволновое фотосопротивление в двумерной электронной системе с анизотропной подвижностью [Текст] / А. А. Быков [и др. ] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 12. - С. 891-895
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): микроволновое фотосопротивление -- двумерная электронная система -- квантовые ямы -- анизотропная электронная подвижность -- метод ван дер Пау -- ван дер Пау метод Аннотация: Методом ван дер Пау исследовано влияние микроволнового излучения миллиметрового диапазона на магнетотранспорт в одиночных GaAs квантовых ямах с анизотропной электронной подвижностью. Доп.точки доступа: Быков, А. А.; Исламов, Д. Р.; Горан, А. В.; Бакаров, А. К. |
Трегубов, В. Н. Исследование логистических моделей обеспечения льготных перевозок на городском пассажирском транспорте [Текст] / В. Н. Трегубов, К. В. Рулев, В. Н. Басков // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2008. - N 36. - С. 228-237 : ил. - Библиогр.: с. 236 (1 назв. ) . - ISSN 1999-8341
Рубрики: Транспорт Автодорожные перевозки Кл.слова (ненормированные): логистические модели -- городской пассажирский транспорт -- льготные перевозки -- тарифы -- транспортная подвижность -- проездные билеты Аннотация: Рассматриваются вопросы льготных перевозок на городском пассажирском транспорте. Авторами разработаны логистические модели, описывающие механизм обеспечения льготных перевозок, которые позволяют изучить влияние различных факторов на функционирование системы городского пассажирского транспорта в целом. Доп.точки доступа: Рулев, К. В.; Басков, В. Н. |
Фото- и электрофизические свойства растворимых полифенилхинолинов, содержащих кислородную или фениламинную группу [Текст] / Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 376-381
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полифенилхинолины -- дрейфовая подвижность носителей заряда -- фениламинная мостиковая группа -- биполярная проводимость -- органические светодиоды Аннотация: Исследованы фото- и электрофизические свойства полифенилхинолинов, различающихся строением донорных мостиковых групп между хинолиновыми циклами - кислородной и фениламинной. Показано, что пленки синтезированных полимеров обладают светочувствительностью на уровне 10\{5\} см\{2\}/Дж (интегральная чувствительность - 5 • 10\{-4\} (лк • c) \{-1\}), при этом квантовый выход фотогенерации носителей заряда равен 0. 07, а их дрейфовая подвижность составляет по порядку величины 10\{-6\} см\{2\}/ (В • с). Сбалансированность дрейфовой подвижности электронов и дырок в полифенилхинолине с фениламинной мостиковой группой делает полимер перспективным при разработке пленочных устройств, основанных на биполярной проводимости материала (например, однослойного светодиода). Доп.точки доступа: Александрова, Е. Л.; Светличный, В. М.; Мягкова, Л. А.; Некрасова, Т. Н.; Тамеев, А. Р.; Ванников, А. В.; Кудрявцев, В. В. |
Сур, И. В. Термоэлектрические свойства симметричных и асимметричных структур с двойными квантовыми ямами [Текст] / И. В. Сур // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 651-655
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- двойные квантовые ямы -- подвижность -- коэффициент Зеебека -- Зеебека коэффициент Аннотация: Проведен анализ состояний и транспорта носителей заряда в ориентированных в плоскости (100) двойных квантовых ямах PbTe/Pb[1-x]Eu[x]Te. Исследованы зависимости подвижности и коэффициента Зеебека от толщины внутреннего барьера в симметричных и асимметричных структурах. Показано, что при больших расстояниях между ямами даже слабое нарушение симметрии структуры и, как следствие, существенная перестройка волновых функций подавляют межподзонное рассеяние с переходом носителей между ямами и обеспечивают в кинетических коэффициентах правильный предельный переход к изолированным ямам. Найдены некоторые возможности увеличения термоэлектрического фактора мощности и подходящий набор параметров структуры, рассчитанных на основе нашей модели. |
Ждан, А. Г. Автокоррекция характеристик полевых транзисторов в режиме спонтанной объемно-зарядовой ионной поляризации подзатворного окисла [Текст] / А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина, Г. В. Чучева // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 705-707
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- кремниевые транзисторы -- ионная поляризация -- спонтанная поляризация -- термополевая обработка -- подвижность электронов Аннотация: В кремниевом полевом транзисторе с инверсионным n-каналом осуществлена спонтанная объемно-зарядовая ионная поляризация подзатворного окисла в режиме джоулева разогрева прибора током стока I[d]. Характеристики транзистора, измеренные при комнатной температуре (T[r]) до и после термополевой обработки, показывают, что локализация положительных ионов (Na\{+\}) у границы раздела SiO[2]/Si сопровождается увеличением эффективной подвижности электронов (в ~2. 3 раза), крутизны, I[d] и небольшим уменьшением порогового напряжения (Дельта V[th]=0. 58 В). При T=T[r] модифицированные характеристики транзистора сохраняются в течение месяцев; их легко прогнозируемо варьировать изменением I[d] и продолжительностью нагрева. Доп.точки доступа: Нарышкина, В. Г.; Чучева, Г. В. |
Карташев, В. А. (д-р физ. -мат. наук). Исследование автономных подвижных микросистем методом подобия [Текст] / В. А. Карташев // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 4. - С. 32-35. - Библиогр.: с. 35 (6 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): автономные микроустройства -- метод масштабных коэффициентов -- подвижность -- нанотехнологии -- микросистемы Аннотация: В настоящей работе делается попытка оценить границы возможностей микроустройств исходя из модели подобия. Современная технология позволяет создавать миниатюрные автономно функционирующие мехатронные устройства, которые по уровню интеллекта сопоставимы с возможностями полноразмерных устройств. |
Титов, А. Н. Быстрый ионный транспорт в Ag[x]TiS[2] [Текст] / А. Н. Титов // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 4. - С. 675-680. - Библиогр.: с. 680 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): ионный транспорт -- ионная проводимость -- интеркалатные соединения -- энтальпия -- энергия активации диффузии -- диффузионная подвижность Аннотация: На основе электрохимически измеренных термодинамических функций подсистемы серебра в интеркалатном соединении Ag[x]TiS[2] вычислена энтальпия подсистемы ионов серебра. Измерены ионная проводимость и коэффициент сопряженной химической диффузии серебра. Определена величина энергии активации диффузии, которая интерпретирована на основе анализа концентрационной зависимости энтальпии ионной подсистемы. Сделан вывод о том, что высокая диффузионная подвижность является результатом конкуренции ковалентного и упругого взаимодействий, понижающей величину энергии активации диффузии. |
Khrapai, V. S. Calculation of the anisotropic mobility in (110) AlAs quantum wells at zero temperature [Text] / V. S. Khrapai, A. Gold // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 5. - С. 389-392
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): электронный газ -- квантовые ямы -- анизотропная подвижность -- поверхности Ферми -- Ферми поверхности Доп.точки доступа: Gold, A. |
Аномально высокая проводимость вдоль интерфейса двух полимерных диэлектриков [Текст] / Р. М. Гадиев [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2009. - Т. 90, вып. 11. - С. 821-825
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): диэлектрики -- полимерные диэлектрики -- диэлектрические пленки -- проводимость -- подвижность носителей заряда -- квазидвумерный электронный газ Аннотация: Продемонстрирована возможность создания области с аномально высокой проводимостью на интерфейсе двух диэлектрических полимеров. Проведена оценка подвижности носителей заряда и удельной проводимости этой области несколькими методами. Анализ полученных результатов позволил выдвинуть гипотезу о формировании в области интерфейса между двумя диэлектрическими пленками полимеров слоя с квазидвумерным электронным газом. Доп.точки доступа: Гадиев, Р. М.; Лачинов, А. Н.; Корнилов, В. М.; Салихов, Р. Б.; Рахмеев, Р. Г.; Юсупов, А. Р. |
Котковский, Г. Е. Лазерный спектрометр приращения ионной подвижности для детектирования сверхмалых концентраций нитросоединений [Текст] / Г. Е. Котковский, А. В. Тугаенко, А. А. Чистяков // Инженерная физика. - 2009. - N 12. - С. 16-21
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): нитросоединения -- лазер -- ионизация -- ионная подвижность -- спектрометр приращения ионной подвижности -- СПИП Аннотация: Предложен и реализован метод анализа вещества, объединяющий спектрометрию приращения ионной подвижности и прямую лазерную ионизацию молекул в воздухе. Использовалось импульсное излучение 4-й гармоники лазера YAG: Nd\{3+\} ламбда = 266 нм. Представлены результаты детектирования нитросоединений - тринитротолуола и циклотриметилентринитрамина. Исследовались зависимости положений ионных пиков от влажности в области дрейфа. Показан сдвиг фоновых пиков с увеличением влажности и стабильность пиков, соответствующих нитросоединениям. Показано, что при высоких интенсивностях лазерного излучения (q ~ 10\{7\} Вт/см\{2\}) наблюдается спектр с обилием реактант-пиков, схожий со спектрами при других источниках ионизации, в то время как при низких интенсивностях (q ~ 10\{5\} Вт/см\{2\}) можно наблюдать свободный от фоновых и реактант-пиков спектр с единственным пиком исследуемого вещества (ТНТ). Сделан вывод о возможном изменении механизма образования ионов нитросоединений при изменении интенсивности ионизующего лазерного излучения. Доп.точки доступа: Тугаенко, А. В.; Чистяков, А. А. |
Филиппов, Владимир Владимирович. Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 80. - С. 21-27. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. ) . - ISSN 1561-5405
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- транзисторы -- кремний -- германий -- подвижность -- деформации Аннотация: Рассмотрено влияние деформации на электрофизические параметры кремниевых слоистых структур. Учтено влияние отношения толщин пленки кремния и подложки германия на смещение энергетических зон и изменение подвижности свободных носителей зарядов. Получено и проанализировано распределение потенциала в области анизотропного канала МОП-транзистора. Показано, что сопротивление напряженного кремниевого канала полевого транзистора в открытом состоянии определяется не только его размерами и электрофизическими параметрами, но и толщиной деформированной подложки, а также размерами токовых контактов. Доп.точки доступа: Петров, Борис Константинович; Мяснянкин, Юрий Михайлович |
Филиппов, Владимир Владимирович. Моделирование электрических параметров каналов кремниевых МОП-транзисторов на деформированной подложке [Текст] / В. В. Филиппов, Б. К. Петров, Ю. М. Мяснянкин // Известия вузов. Электроника. - 2009. - N 6. - С. 21-27 : рис. - Библиогр.: с. 27 (13 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремний -- германий -- подвижность -- деформация Аннотация: Рассмотрено влияние деформации на электрофизические параметры кремниевых слоистых структур. Доп.точки доступа: Петров, Борис Константинович; Мяснянкин, Юрий Михайлович |
Пагава, Т. А. Аномальное рассеяние электронов в облученных протонами кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 160-163 : ил. - Библиогр.: с. 163 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- n-Si -- облучение протонами -- метод Холла -- Холла метод -- рассеяние электронов -- аномальное рассеяние электронов -- подвижность электронов -- радиационные дефекты -- РД -- область скопления дефектов -- ОСД -- энергия -- температура -- межузельные атомы -- ассоциаты -- проводимость Аннотация: Цель работы состоит в изучении влияния облучения протонами с энергией 25 МэВ на холловскую подвижность электронов в кристаллах n-Si. Облученные кристаллы с исходной концентрацией электронов 6x10{13} см{-3} исследовались методом Холла в интервале температур 77-300 K. Проведенные исследования показали, что в кристаллах, облученных протонами дозой Phi=8. 1x10{12} см{-2}, эффективное значение подвижности электронов проводимости mu[eff] резко увеличивается. Это является прямым доказательством того, что в кристаллах n-Si в этих условиях преимущественно образуются относительно высокопроводящие включения с омическим переходом на границах раздела с матрицей полупроводника. Такими включениями могут быть скопления межузельных атомов или их ассоциатов. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Спиновая релаксация двумерных электронов в холловском ферромагнетике [Текст] / Ю. А. Нефедов [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 7. - С. 385-389
Рубрики: Физика Квантовая механика Кл.слова (ненормированные): спиновая релаксация -- двумерные электроны -- электронный парамагнитный резонанс -- парамагнитный резонанс -- холловские ферромагнетики -- электронная подвижность -- резонансное поглощение Аннотация: В системе двумерных электронов с высокой электронной подвижностью исследован электронный парамагнитный резонанс (ЭПР) и изучены зависимости положения, ширины, интенсивности и формы линии резонансного микроволнового поглощения от фактора заполнения и температуры. Показано, что ширина линии ЭПР в квантовых ямах GaAs/AlGaAs с большой электронной подвижностью может составлять 30 МГц, что соответствует времени спиновой релаксации двумерных электронов 10 нс. Экспериментальные данные по температурной зависимости ширины линии спинового резонанса при факторе заполнения 1 сравниваются с теоретическими результатами, полученными для различных механизмов спиновой релаксации. Доп.точки доступа: Нефедов, Ю. А.; Фортунатов, А. А.; Щепетильников, А. В.; Кукушкин, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дюгаев, А. М. Заряженные кластеры в жидком гелии [Текст] / А. М. Дюгаев, П. Д. Григорьев, Е. В. Лебедева // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 6. - С. 324-328
Рубрики: Физика Газы и жидкости Кл.слова (ненормированные): жидкий гелий -- кластеры -- заряженные кластеры -- инертные кластеры -- электронные пузырьки -- подвижность кластеров Аннотация: Аргументирована целесообразность экспериментального исследования заряженных кластеров в жидком гелии. Определен потенциал взаимодействия отрицательных ионов (электронных пузырьков) с инертными кластерами, построенными из атомов или молекул Ne, Ar, Kr, Xe, H[2], N[2]. Мелкие кластеры левитируют над отрицательным ионом на дистанции 13-16 ангстрем. Выявлены и обоснованы законы подобия для свойств заряженных инертных кластеров, определено число их квантовых уровней и состояний. Измерение подвижности заряженных кластеров может стать новым методом диагностики свойств посторонних наночастиц в гелии. Доп.точки доступа: Григорьев, П. Д.; Лебедева, Е. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Сафонов, А. И. Низкотемпературная подвижность поверхностных электронов и риплон-фононное взаимодействие в жидком гелии [Текст] / А. И. Сафонов, И. И. Сафонова, С. С. Демух // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91. N 8. - С. 431-435
Рубрики: Физика Физика высоких и низких температур Кл.слова (ненормированные): жидкий гелий -- поверхностные электроны -- подвижность электронов -- риплон-фононное взаимодействие -- фононный спектр -- объемные возбуждения -- поверхностные возбуждения Аннотация: Показано, что при измерении по постоянному току низкотемпературная подвижность двумерной системы электронов, локализованных вблизи поверхности сверхтекучего гелия, определяется наиболее медленной стадией передачи продольного импульса в объем жидкости взаимодействием поверхностных и объемных возбуждений жидкого гелия, которое быстро убывает с понижением температуры. Найдена температурная зависимость низкочастотной подвижности мю[dc]приблизительно равно 8. 4 10\{-11\} n[e]T\{-20/3\} см\{4\} К\{20/3\}/Вс, где n[e] - плотность поверхностных электронов. Получено соотношение прижимающего электрического поля (кВ/см) и температуры (К) T\{20/3\}E\{-3\}[перпендикулярное] много меньше 2 10\{-7\}, а также значение частоты ведущего поля омега меньше/приблизительно 10\{8\}T\{-5\} К\{-5\}с\{-1\}, при которых возможно наблюдение указанного эффекта. В частности, при E[перпендикулярное] приблизительно равно 1 кВ/см должно быть Е меньше/приблизительно 70 мК и омега/2пи меньше/равно 30 Гц. Доп.точки доступа: Сафонова, И. И.; Демух, С. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ходенко, С. В. Тенденции подвижности и миграционных перемещений в России [Текст] / С. В. Ходенко // Народонаселение. - 2010. - N 1. - С. 29-39. - Библиогр.: с. 39 (3 назв. ) . - ISSN 1561-7785
Рубрики: Демография Статистика населения--Россия Кл.слова (ненормированные): подвижность населения (демография) -- миграционная подвижность населения -- миграция населения -- миграционный оборот Аннотация: Об эволюционном развитии миграционной подвижности населения в России, о качественных изменениях в миграционных процессах. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Расчет подвижности носителей заряда в алмазе при низких температурах [Текст] / А. С. Батурин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 897-901. : ил. - Библиогр.: с. 901 (17 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): заряды -- подвижность зарядов -- низкие температуры -- квазиупругие приближения -- КП -- функции распределения -- кинетическое уравнение Больцмана -- Больцмана кинетическое уравнение -- монокристаллы алмаза -- алмазы -- неупругое приближение -- НП -- акустические фононы -- электроны -- дырки -- низкотемпературные электрофизические эксперименты Аннотация: Проведены численные оценки различий квазиупругого и неупругого приближений для расчета подвижности электронов и дырок в алмазе при низких температурах, когда неупругость рассеяния носителей на акустических фононах становится существенной. Вычисления показали, что подвижность, отвечающая почти равновесной функции распределения, даже при температуре 20 K в несколько раз отличается от значения, получаемого в квазиупругом приближении. Полученные результаты важны для интерпретации низкотемпературных электрофизических экспериментов в высокочистых монокристаллах алмаза. Доп.точки доступа: Батурин, А. С.; Горелкин, В. Н.; Соловьев, В. Р.; Черноусов, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |