Гурин, Н. Т. Характеристики поверхностных состояний на границе раздела диэлектрик-полупроводник в тонкопленочных электролюминесцентных структурах на основе ZnS : Mn [Текст] / Н. Т. Гурин, О. Ю. Сабитов, А. М. Афанасьев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 517-526 : ил. - Библиогр.: с. 526 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкопленочные электролюминесцентные излучатели -- ТП ЭЛИ -- поверхностные состояния -- границы раздела -- диэлектрик-проводник -- люминофоры -- излучатели -- релаксация электронов -- время жизни электронов -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- туннелирование электронов Аннотация: Выполнено моделирование распределения плотности заполненных поверхностных электронных состояний на катодной границе раздела диэлектрик- (люминофор тонкопленочных электролюминесцентных излучателей) в зависимости от энергии на основе экспериментальных данных. Получены зависимости указанных распределений от режима возбуждения излучателей. Показано, что данные распределения сдвигаются в сторону более глубоких уровней поверхностных состояний при уменьшении частоты напряжения возбуждения и увеличении паузы между двумя соседними включенными состояниями излучателей, что соответствует каскадному механизму релаксации электронов, захваченных на поверхностные состояния. Определены: коэффициент каскадного захвата электронов, (4-5) x10{-12} см{2}/с; мгновенное время жизни электронов до релаксации 0. 2-0. 25 с; сечение захвата электронов на более глубокие уровни поверхностных состояний -более или порядка (6. 7-8. 3) ·10{-21} см{2}; максимальные значения плотности заполненных поверхностных состояний на катодной границе, с которых осуществляется туннелирование электронов, ~2. 5x10{13} см-{2}, и энергетической плотности указанных поверхностных состояний, 7x10{14} см{-2}эВ{-1}. Значения квазиравновесного уровня Ферми на поверхности в процессе работы электролюминесцентных излучателей изменяются в пределах 0. 9-1. 35 эВ в зависимости от режима возбуждения. Доп.точки доступа: Сабитов, О. Ю.; Афанасьев, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Физическая модель процесса старения МОП-структуры [Текст] / М. А. Булушева [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 527-532 : ил. - Библиогр.: с. 532 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): МОП-структуры -- интегральные микросхемы -- ИМС -- поверхностные состояния -- ПС -- уровень энергии напряженных связей -- старение (физика) Аннотация: Представлена физическая модель процесса старения МОП-структуры. По результатам проведенных ускоренных испытаний найден энергетический параметр напряженной МОП-структуры - энергетический уровень напряженных связей. Доп.точки доступа: Булушева, М. А.; Попов, В. Д.; Протопопов, Г. А.; Скородумова, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние различных химических обработок поверхности на высоту барьеров Al-p-SiGe, Au-n-SiGe [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 631-635 : ил. - Библиогр.: с. 634-635 (10 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- поверхностные состояния -- твердые растворы -- химическая обработка -- травление -- золото -- алюминий -- германий -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- Al-p-SiGe -- Au-n-SiGe Аннотация: Исследовано влияние различной химической обработки на свойства барьеров Шоттки Au-n-SiGe и Al-p-SiGe. Травление в различных режимах использовалось для формирования поверхности с различной плотностью поверхностных состояний (D[ss]). Показано, что высота барьеров исследованных структур коррелирует с плотностью поверхностных состояний D[ss] и содержанием германия в твердом растворе Si[1-x]Ge[x]. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Матчанов, Н. А.; Хажиев, М. У.; Пак, В.; Салиев, Т. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1064-1067. : ил. - Библиогр.: с. 1067 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- p-кремний -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- диэлектрики -- нанотолщинные диэлектрики -- нитрид алюминия -- границы раздела -- ГР -- поверхностные состояния -- магнетронное распыление -- детекторы -- ядерные излучения Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний- (нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Котина, И. М.; Ласаков, М. С.; Строкан, Н. Б.; Тухконен, Л. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Тысченко, И. Е. Структуры кремний-на-изоляторе с азотированным захороненным слоем SiO[2]: метод создания и свойства [Текст] / И. Е. Тысченко, В. П. Попов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 335-342. : ил. - Библиогр.: с. 341-342 (21 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): структуры -- кремний-на-изоляторе -- КНИ -- ионы азота -- электрофизические свойства -- энергия ионов -- поверхностные состояния -- границы раздела -- ловушки -- положительные заряды -- имплантированные ионы Аннотация: Исследованы электрофизические свойства структур кремний-на-изоляторе с имплантированным ионами азота захороненным слоем SiO[2] в зависимости от дозы и энергии ионов N{+}. Показано, что имплантация ионов азота дозами >3 x 10{15} см{-2} с энергией 40 кэВ приводит к уменьшению фиксированного положительного заряда в окисле и уменьшению плотности поверхностных состояний в 2 раза. Усиление эффекта может быть достигнуто путем снижения энергии ионов азота. Полученные результаты объясняются взаимодействием атомов азота с избыточными атомами кремния вблизи границы раздела Si/SiO[2] и удалением связей Si-Si, являющихся ловушками положительных зарядов, а также насыщением оборванных связей на границе сращивания структуры кремний-на-изоляторе. Доп.точки доступа: Попов, В. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Трегулов, Вадим Викторович. Методика исследования поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах CdS/p-Si [Текст] / В. В. Трегулов // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 27-32 : ил. - Библиогр.: с. 32 (9 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоэлектрические преобразователи -- вольт-фарадные характеристики -- поверхностные состояния -- несимметричные гетероструктуры -- гидрохимическое осаждение -- энергетическая плотность Аннотация: Представлена методика определения энергетической плотности поверхностных состояний в резких несимметричных гетероструктурах, основанная на измерении высоко- и низкочастотной вольт-фарадных характеристик. Приведены результаты исследования гетероструктуры CdS/p-Si, изготовленной методом гидрохимического осаждения.The technique for determining the energy density of surface states in a sharp nonsymmetrical heterostructures, based on the measurement of high-and low-frequency capacitance-voltage characteristics, is presented. The technique can be applied in the case, where the charge of surface states depends on the voltage of a reverse bias. The results of investigation of the CdS/p-Si heterostructure produced by hydro-chemical deposition are presented. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ковалевский, Дмитрий Валерьевич. Эффекты неоднородности потенциальных барьеров и ограниченности решетки в модели Кронига - Пенни [Текст] / Д. В. Ковалевский // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 59-64 : ил. - Библиогр.: с. 63-64 (7 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): физика конденсированного состояния -- электронные состояния -- электронные структуры -- электроны -- модель Кронига - Пенни -- Кронига - Пенни модель -- поверхностные состояния -- размерное квантование -- квантовые ямы Аннотация: Рассчитаны волновые функции состояний непрерывного спектра и энергии поверхностных (таммовских) состояний в модифицированной модели Кронига - Пенни со специальной геометрией потенциала (бесконечно высокий потенциальный барьер в начале координат, ограничивающий область движения электрона положительной полуосью. Особо исследован случай размерного квантования в решетке конечной длины.Using the matrix formalism, the wave functions of continuum states and the energies of surface (Tamm) states are calculated in the modified Kronig - Penney model with a special geometry of the potential (an infinitely high potential barrier at the origin of the coordinates, bounding the region of electron motion to positive semi-axis; the height of the potential delta-barrier / the depth of the potential well closest to the origin of the coordinates differs from the height of all other barriers). Particular attention is paid to the case of size quantization in the lattice of finite length. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Теоретическое исследование сорбции и диффузии атомов лития на поверхности и внутри кристаллического кремния [Текст] / А. А. Кузубов [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 97, вып. 11. - С. 732-736
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): сорбция атомов -- диффузия атомов -- литий -- атомы лития -- кремний -- кристаллический кремний -- поверхностные состояния Аннотация: В рамках теории функционала плотности изучены энергия сорбции и диффузия атомов лития по реконструированной (4 х 2) поверхности (100) кремния при их переходе в подповерхностные слои, а также внутри кристаллического кремния при различной концентрации лития. Показано, что одиночные атомы лития легко мигрируют по поверхности (100), постепенно заполняя поверхностные состояния (Т3 и L), расположенные в каналах между димерами кремния. Диффузия лития в подповерхностные слои кремния затруднена в связи с высокими потенциальными барьерами перехода (1. 22 эВ). Также исследованы зависимости энергии связи, потенциальных барьеров и коэффициента диффузии атомов лития внутри кремния от расстояний до ближайших атомов лития. Показано, что увеличение его концентрации до состава Li[0. 5]Si существенно снижает энергию перехода (с 0. 90 до 0. 36 эВ) и вызывает значительное (на 1-3 порядка) увеличение скорости диффузии лития. Доп.точки доступа: Кузубов, А. А.; Елисеева, Н. С.; Попов, З. И.; Федоров, А. С.; Сержантова, М. В.; Денисов, В. М.; Томилин, Ф. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование однородности распределения электронных поверхностных состояний на плоскости (0001) монокристаллов PbBi[4]Te[7] и PbSb[2]Te[4] методом компьютерной фотометрии [Текст] / В. С. Земсков [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 4. - С. 68-77 : 8 рис., 3 табл. - Библиогр.: с. 74-76 (18 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Физическая оптика Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): компьютерная фотометрия -- кристаллографическая грань -- монокристаллы -- отраженный свет -- поверхностные состояния -- полупроводниковые соединения -- топологические изоляторы -- яркость отражения Аннотация: Выполнен анализ спектров яркости отражения от фотографических изображений, полученных в условиях зеркального отражения света от плоскости (0001) монокристаллов полупроводниковых соединений PbBi[4]Te[7] и PbSb[2]Te[4]. Показано, что компьютерная фотометрия спектра яркости отражения света от плоскости (0001) позволяет воспроизвести на экране монитора ее цветное изображение, позволяющее судить не только об однородности распределения поверхностных электронных состояний по плоскости, но и об однородности состава монокристаллов. Доп.точки доступа: Земсков, В. С.; Ермишкин, В. А.; Нихезина, И. Ю.; Шелимова, Л. Е.; Аладьев, Н. А.; Кретова, М. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Явление вторичной электронной эмиссии монокристалла алмаза и влияние параметров подготовки поверхности на коэффициент вторичной электронной эмиссии [Текст] / В. Ю. Садовой [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 6. - С. 16-22 : 7 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 21 (7 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вторичная эмиссия -- электронное сродство -- поверхностные состояния -- алмазы -- монокристаллы -- коэффициент вторичной эмиссии Аннотация: Показано влияние условий подготовки поверхностей пластин монокристаллов алмаза типов IIa и IIb кристаллографической ориентации (001), выращенных методом HPHT (high pressure high temperature), а также пластины, выращенной методом CVD (chemical vapor deposition) на подложке монокристалла алмаза кристаллографической ориентации (001), в водородной плазме при различных температурах и мощностях самой плазмы на коэффициент вторичной электронной эмиссии (КВЭ). Получены зависимости КВЭ от энергий первичного пучка электронов при различных параметрах подготовки поверхности: максимумы КВЭ для всех типов алмазов лежат в диапазоне от 0, 8 до 1 кэВ и достигают 12, 8 для алмазов типа IIb при температуре водородной плазмы 1200 °С и мощности 3, 25 кВт, 9, 3 для алмаза типа IIa при температуре 1100 °С и мощности 3, 75 кВт и 9, 1 для CVD монокристалла алмаза, мощность и температура плазмы которого соответствовала необходимым условиям роста. Таким образом, сделан вывод о большем влиянии температуры плазмы на КВЭ, чем мощности. Доп.точки доступа: Садовой, В. Ю.; Бормашов, В. С.; Терентьев, С. А.; Волков, А. П.; Тетерук, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |