Кошелев, О. Г. Бесконтактное определение скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на p-p{+}(n-n{+})-границе кремниевых n{+}-p(n)-p{+}-структур компенсационным методом [Текст] / О. Г. Кошелев, Н. Г. Васильев> // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 1. - С. 109-113. - Библиогр.: c. 112-113 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): компенсационный метод -- кремниевые структуры -- поверхностная рекомбинация -- солнечные элементы -- фоточувствительность Аннотация: Для кремниевых структур n{+}-p (n) -p{+}-типа путем расчетов показана возможность определения бесконтактным методом скорости поверхностной рекомбинации неравновесных носителей заряда на тыльной стороне p (n) -области c известным значением их времени жизни. Метод позволяет определять контраст фоточувствительности по площади структуры при локальном ее освещении. Доп.точки доступа: Васильев, Н. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |