Панова, Г. Х. Колебательные и электронные характеристики икосаэдрических квазикристаллов Zr[70]Pd[30]Zr[80]Pt[20] и их аморфных аналогов [Текст] / Г. Х. Панова [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1543-1548. - Библиогр.: с. 1548 (15 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомная структура квазикристаллов -- бинарные металлические квазикрситаллы -- икосаэдрические квазикристаллы -- колебательные спектры -- плотность электронных состояний -- сверхпроводящие переходы -- теплоемкость -- электрон-фононное взаимодействие Аннотация: Для установления корреляции между особенностями атомного ближнего порядка и физическими свойствами икосаэдрических квазикристаллов Zr[80]Pt[20] и Zr[70]Pd[30] и их аморфных аналогов исследована теплоемкость в области температур 1. 5 - 500 K. Сравнение полученных данных позволило обнаружить изменения колебательных спектров в области низких и высоких энергий, электронной плотности состояний, сверхпроводящих характеристик, электрон-фононного взаимодействия, ангармонизма тепловых колебаний решетки и вычислить значения основных средних частот (моментов), характеризующих колебательные спектры. Понижение температуры сверхпроводящего перехода T[c] в квазикристаллах по сравнению с аморфными аналогами связано с уменьшением плотности электронных состояний на поверхности Ферми, ужесточением фононного спектра и ослаблением электрон-фононного взаимодействия. Доп.точки доступа: Черноплеков, Н. А.; Шиков, А. А.; Kameny, T.; Kiss, L. F. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Банников, В. В. Зонная структура, упругие, магнитные свойства и стабильность антиперовскитов MCNi[3] (M=Y-Ag) по данным расчетов FLAPW-GGA [Текст] / В. В. Банников, И. Р. Шеин, А. Л. Ивановский // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1626-1635. - Библиогр.: с. 1634-1635 (41 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): антиперовскиты -- карбиды -- плотность электронных состояний -- полнопотенциальный линейный метод присоединенных плоских волн -- тройные карбиды -- фазовая устойчивость Аннотация: С использованием полнопотенциального линейного метода присоединенных плоских волн (FLAPW, код WIEN2k) выполнены расчеты зонной структуры, упругих, магнитных характеристик и рассмотрены особенности межатомных взаимодействий для семейства тройных карбидов со структурой антиперовскита MCNi[3], где M=Y, Zr,... Ag (всего девять фаз). На основе расчетов энергий формирования MCNi[3] из простых элементов (по формальной реакции (M + C + 3Ni - MCNi[3]) обсуждается стабильность данных антиперовскитных фаз в зависимости от типа 4d-металла, сделан вывод о возможности успешного синтеза антиперовскитов YCNi[3], ZrCNi[3] и PbCNi[3]. Результаты сопоставлены с имеющимися данными для известных изоструктурных фаз: никельсодержащих карбидов - антиперовскитов MgCNi[3] и ZnCNi[3]. Доп.точки доступа: Шеин, И. Р.; Ивановский, А. Л. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Аккумуляционный нанослой - 2D-электронный канал ультратонких интерфейсов Cs/n-InGaN [Текст] / Г. В. Бенеманская [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 2. - С. 372-376. - Библиогр.: с. 375-376 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аккумуляционный нанослой -- фотоэмиссия -- размерное квантование -- спектры фотоэмиссии -- интерференция Фарби-Перо -- Фарби-Перо интерференция -- плотность электронных состояний Аннотация: Обнаружено формирование 2D-электронного канала - зарядового аккумуляционного слоя на поверхности InGaN (0001) n-типа при адсорбции субмонослойных покрытий Cs. Найдено, что фотоэмиссия из аккумуляционного слоя возбуждается светом из области прозрачности InGaN. Установлено, что глубиной потенциальной ямы и плотностью электронных состояний аккумуляционного слоя можно целенаправленно управлять за счет изменений Cs-покрытий. Показано, что в аккумуляционном слое наблюдаются эффекты размерного квантования. Проведены расчеты матричного элемента фотоэмиссии, получены энергетические параметры аккумуляционного слоя. В спектрах фотоэмиссии из аккумуляционного слоя обнаружена осцилляционная структура, природа которой связана с интерференцией Фарби-Перо. Доп.точки доступа: Бенеманская, Г. В.; Жмерик, В. Н.; Лапушкин, М. Н.; Тимошнев, С. Н. |
Механизм генерации дефектов донорной и акцепторной природы в полупроводнике n-TiNiSn, сильно легированном примесью Co [Текст] / В. А. Ромака [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1165-1171 : ил. - Библиогр.: с. 1170-1171 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- n-TiNiSn -- легирование -- примеси -- Co -- генерация -- дефекты -- дефекты донорной природы -- дефекты акцепторной природы -- удельное сопротивление -- коэффициент термоэдс -- структурные характеристики -- электрокинетические характеристики -- энергетические характеристики -- плотность электронных состояний -- DOS -- амплитуда флуктуации -- флуктуации -- крупномасштабные флуктуации -- полупроводники Шкловского-Эфроса -- Шкловского-Эфроса полупроводники -- интерметаллические полупроводники -- легированные полупроводники -- компенсированные полупроводники -- кобальт Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления, коэффициента термоэдс, структурные характеристики, а также произведен расчет распределения плотности электронных состояний интерметаллического полупроводника n-TiNiSn, сильно легированного примесью Со (концентрации Со N{Co} ~9. 5 x 10{19}-1. 9 x 10{21}см{-3}), в температурном диапазоне 80-380К. Показано, что в TiNi[1-x]Co[x]Sn с x < 0. 03 атомы примеси одновременно в разных соотношениях занимают кристаллографические позиции атомов Ti и Ni, генерируя дефекты донорной и акцепторной природы соответственно. Установлена связь между концентрацией примеси, амплитудой крупномасштабной флуктуации, а также степенью заполнения носителями тока потенциальной ямы мелкомасштабной флуктуации (тонкой структурой). Обсуждение результатов ведется в рамках модели сильно легированного и компенсированного полупроводника Шкловского-Эфроса. Доп.точки доступа: Ромака, В. А.; Стаднык, Ю. В.; Fruchart, D.; Доминюк, Т. И.; Ромака, Л. П.; Rogl, P.; Горынь, А. М. |
Электронная структура неупорядоченного монооксида титана TiO[y] в зависимости от стехиометрии [Текст] / М. Г. Костенко [и др.] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2012. - Т. 95, вып. 12. - С. 728-732
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): монооксид титана -- электронная структура -- стехиометрия -- неупорядоченная фаза -- упорядоченная фаза -- метод сверхячейки -- плотность электронных состояний -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Исследована электронная структура неупорядоченного нестехиометрического монооксида титана TiO[y] в зависимости от содержания кислорода методом сверхячейки в рамках приближения DFT-GGA с использованием псевдопотенциалов. Увеличение концентрации кислорода в TiO[y] приводит к уменьшению плотности электронных состояний вблизи уровня Ферми. Расчет энтальпии образования упорядоченной и неупорядоченной фаз показал, что неупорядоченная фаза TiO[y] энергетически более выгодна, чем фаза без структурных вакансий TiO, но менее выгодна, чем упорядоченная фаза Ti[5]O[5]. Стабильность неупорядоченной фазы увеличивается с повышением содержания кислорода. Доп.точки доступа: Костенко, М. Г.; Лукоянов, А. В.; Жуков, В. П.; Ремпель, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Голоденко, Александр Борисович. Плотность электронных состояний и фазовая структура аморфного сплава a-Si[x]C[1-x]:H [Текст] / А. Б. Голоденко, Б. А. Голоденко // Инженерная физика. - 2013. - № 4. - С. 18-22 : ил., табл., граф. - Библиогр.: с. 22 (2 назв.) . - ISSN 2072-9995
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- сплавы -- аморфные сплавы -- плотность электронных состояний -- кремний -- аморфный кремний -- рентгеноскопия -- ультрамягкая рентгеноскопия -- гидрогенизированный аморфный карбид кремния -- a-Si[x]C[1-x]: H Аннотация: Изложена методика и результаты экспериментального моделирования плотности электронных состояний и фазовой структуры аморфного сплава гидрогенизированного карбида кремния, полученного плазмохимическим осаждением из смеси газовых фаз метана и силана на подложку из монокристаллического кремния. Доп.точки доступа: Голоденко, Борис Андреевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Повзнер, А. А. Влияние давления на геликоидальный ферромагнетизм MnSi [Текст] / А. А. Повзнер, А. Г. Волков, И. А. Ясюлевич // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 7. - С. 80-84 : рис. - Библиогр.: c. 84 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): геликоидальный ферромагнетизм -- магнитная восприимчивость -- межэлектронные взаимодействия -- моносилицид марганца -- намагниченность -- плотность электронных состояний -- спиновые флуктуации -- ферромагнетизм -- ферромагнитный геликоил Аннотация: В рамках модели Хаббарда, дополненной учетом релятивистского антисимметричного взаимодействия Дзялошинского - Мория, разрабатывается спин-флуктационная теория геликоидального зонного ферромагнетизма. Получено уравнение магнитного состояния для неоднородного параметра порядка, выражения для температуры Нееля и волнового вектора спиновой структуры. Анализ влияния давления на геликоидальный ферромагнетизм проведен на основе выполненных в работе LDA+U+SO-расчётов электронной структуры MnSi при различных давлениях. Показано, что с увеличением давления усиливается влияние на геликоидальный ферромагнетизм нулевых спиновых флуктуаций, которые понижают величину температуры Нееля, а при давлении 15. 2 кбар имеет место квантовый переход, сопровождающийся исчезновением дальнего магнитного порядка. Доп.точки доступа: Волков, А. Г.; Ясюлевич, И. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |