Особенности морфологии и структура нанокристаллических пленок кубического карбида кремния, выращиваемых на поверхности Si [Текст] / Л. К. Орлов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 5. - С. 1018-1023. - Библиогр.: с. 1023 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокристаллические пленки -- пленки кубического карбида кремния -- карбид кремния -- рекристаллизация пленки -- метод химической конверсии Аннотация: С помощью разнообразных методов анализа (электронная, зондовая и интерференционная оптическая микроскопия, электронография, рентгеновская дифракция) исследуются состав, морфология поверхности и кристаллическая структура нанокристаллических пленок кубического нидрида кремния, выращиваемых на кремнии методом химической конверсии из паров гексана. Проведено сопоставление характеристик пленок 3C-SiC, получаемых на подложках Si (100) и Si (111). Для гетероструктур 3C-SiC/Si (111) различными методами проанализированы особенности формы, размеров и кристаллической структуры островков, формируемых на поверхности роста. Показано, что формируемые на поверхности фигуры роста образуют нанокристаллическую плотноупакованную текстуру с размерами зерен менее 50 nm. Электроннограммы фигур роста на поверхности пленок демонстрируют наличие дополнительного сверхпериода, связанного с винтовыми осями в пространственной группе элементов симметрии кристалла. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Дроздов, Ю. Н.; Вдовин, В. И.; Тарасова, Ю. И.; Смыслова, Т. Н. |
Особенности и механизмы роста пленок кубического карбида кремния на кремнии [Текст] / Л. К. Орлов [и др.] // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 4. - С. 666-672. - Библиогр.: с. 672 (20 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- метод вакуумной химической эпитаксии -- пленки кубического карбида кремния -- гетеропереходы Аннотация: Рассматриваются механизмы и особенности роста слоев карбида кремния в методе вакуумной химической эпитаксии в интервале ростовых температур от 1000 до 700 градусов C. На основании проведенных исследований спектров фотолюминесценции в ближнем инфракрасном диапазоне длин волн и данных масс-спектрометрического анализа изучена структура формируемого гетероперехода. Обнаружено значительное возрастание концентрации точечных дефектов и отсутствие выраженной дислокационной структуры в слое кремния, прилегающего к гетеропереходу 3С-SiC/Si. По данным морфологических исследований поверхности растущей пленки по аналогии с теорией термического окисления кремния построена теория карбидизации поверхностных слоев кремния. Отличительной особенностью рассмотренной модели является включение в нее встречных, от подложки к поверхности структуры, диффузионных потоков атомов кремния. Проведены оценки скорости роста пленок и энергии активации диффузионных процессов. Проведенные эксперименты в совокупности с разработанной моделью роста, объясняют наблюдаемые на практике образования пустот под формируемым карбидным слоем в матрице кремния и возможность формирования развитой морфологии поверхности (островковый рост пленки) даже в условиях использования в реакторе только одного потока углеводорода. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К.; Штейнман, Э. А.; Смыслова, Т. Н.; Ивина, Н. Л.; Терещенко, А. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |