Действие излучения на схемы памяти с фазовым изменением на халькогенидных стеклах [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 10. - С. 40-47. - Библиогр.: с. 46-47 (43 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): память с фазовым переходом -- халькогенидные стекла -- GST -- радиационная стойкость Аннотация: Рассмотрены и проанализированы данные по действию облучения на элементы памяти с фазовым переходом. Рассмотрены параметры материала Ge2Sb2Te5 (GST) и ячеек памяти на его основе. Проведены оценки радиационных повреждений в GST. Полученные результаты сравниваются с имеющимися опубликованными экспериментальными данными по радиационной стойкости ячеек памяти и интегральных схем, создаваемых на основе халькогенидных материалов с различным составом. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Баранова, Е. К.; Баранова, И. В.; Бударагин, В. В.; Литвинов, В. Л. |