Орлов, М. Л. Механизмы отрицательного сопротивления и генерации терагерцового излучения в короткоканальном транзисторе In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As [Текст] / М. Л. Орлов, Л. К. Орлов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 679-688
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): дифференциальное сопротивление -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- терагерцовое излучение -- транзисторы -- короткоканальные транзисторы Аннотация: Обсуждается эффект отрицательного дифференциального сопротивления, наблюдаемый при аномально низких напряжениях на выходных характеристиках модулированно-легированного полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. В обсуждаемых экспериментах порог появления отрицательного дифференциального сопротивления зависит не только от длины затвора, на что указывалось ранее, но и от разности потенциалов между затвором и стоком. Показано, что отрицательное дифференциальное сопротивление, наблюдаемое на выходных характеристиках короткоканального полевого транзистора In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As при аномально низких значениях порогового напряжения, связано с формированием второго транспортного канала вследствие резонансного перехода горячих электронов с верхних уровней квантовой ямы в надбарьерный слой через состояния ионизованной донорной примеси. Доп.точки доступа: Орлов, Л. К. |
Горбатюк, А. В. Механизмы формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках p-i-n-диодах [Текст] / А. В. Горбатюк, Ф. Б. Серков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1237-1243 : ил. - Библиогр.: с. 1242-1243 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неизотермические вольт-амперные характеристики -- N-S переходы -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- положительное дифференциальное сопротивление -- ПДС -- диоды -- p-i-n диоды -- полупроводниковые диоды -- рекомбинация -- оже-рекомбинация -- ОР -- инжекция -- численный анализ -- эмиттерные слои -- легированные слои -- эмиттеры -- анодные эмиттеры Аннотация: На основе самосогласованной модели транспортных процессов в полупроводниковом р-i-я-диоде при его саморазогреве в условиях ограниченного теплоотвода выполнен численный анализ механизмов необычного эффекта - формирования N-S-перехода на неизотермических вольт-амперных характеристиках прибора. Установлено, что причиной такого эффекта является сильное температурное снижение подвижности носителей в высокоомной базе и насыщение уровня инжекции при плотностях тока J > 300-500 А/см{2}. Последнее достигается благодаря оже-рекомбинации или утечкам носителей из плазмы в сильно легированные эмиттерные слои, интегральный ток которых в этих условиях, как правило, превышает интегральный ток рекомбинации в базе. Оже-рекомбинация в анодном эмиттере тоже начинает играть заметную роль в ограничении уровня инжекции в базе, если концентрация примеси в нем становится выше 10{18}см{-3}. Доп.точки доступа: Серков, Ф. Б. |
Король, А. Н. Резко нелинейная вольт-амперная характеристика структуры с квантовой ямой, встроенной в обедненный слой барьера Шоттки [Текст] / А. Н. Король, И. В. Носенко // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 497-500 : ил. - Библиогр.: с. 499 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): туннельно-резонансные структуры -- ТРС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- нелинейные вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- ОДС -- квантовые ямы -- обедненные слои (физика) Аннотация: Рассматривается гетероструктура, в которой квантовая яма образована в обедненном слое барьера Шоттки. Рассчитана и проанализирована прямая ветвь вольт-амперной характеристики данной структуры. Показано, что в широком диапазоне типичных значений параметров рассматриваемой структуры наблюдается N-образная резко нелинейная вольт-амперная характеристика с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления, причем ее контрастность достигает высоких значений. Доп.точки доступа: Носенко, И. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ахмедова, А. М. О механизмах образования памяти и появления отрицательного дифференциального сопротивления в твердых растворах системы ТlInTe[2] -ТlYbTe[2] [Текст] / А. М. Ахмедова // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 128-131 : рис. - Библиогр.: c. 131 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): высокая проводимость -- изменение электропроводности -- мощности шума -- нестабильность пороговых переключателей -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- переключающиеся свойства -- полупроводникоые структуры -- расширение каналы памяти -- селенид таллия -- стабильность порогового напряжения -- твердые растворы -- цепочечные полупроводники Аннотация: Исследуются особенности поведения электронной подсистемы в процессе возникновения и формирования канала памяти в твердых растворах системы ТlInTe[2] -ТlYbTe[2]. Изучение вольт-амперной характеристики позволяет понять причину резкого изменения электропроводности исследуемых образцов при переходе их из состояния высокого сопротивления в состояние высокой проводимости, а также причины, приводящие к известной нестабильности пороговых переключателей, и разработать приборы с высокой стабильностью порогового напряжения. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |