Хомич, А. В. Радиационное повреждение в алмазах при имплантации гелия [Текст] / А. В. Хомич [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 9. - С. . 1585-1589. - Библиогр.: с. 1589 (20 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): алмазы -- алмазы, имплантированные ионами гелия -- ионная имплантация -- процесс графитизации алмаза -- радиационное повреждение -- радиационно-стимулированный отжиг дефектов -- спектры оптического пропускания алмазов Аннотация: Методами оптической спектроскопии и измерения объемного "вспухания" исследованы радиационное повреждение и процесс графитизации алмаза, имплантированного ионами гелия при температурах от 77 до 373 K. Установлено, что с ростом температуры имплантации уменьшается радиационное повреждение, что объясняется радиационно-стимулированным отжигом дефектов в процессе повреждения. Показано, что результат формирования графитизированного слоя определяется не дозой имплантации, а уровнем радиационного повреждения. Установлено, что чем ниже температура имплантации, тем при меньших температурах отжига формируется графитизированный слой. Продемонстрировано, что процессы отжига радиационных дефектов и формирования графитизированного слоя в алмазе продолжаются вплоть до температуры 1600 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Хмельницкий, Р. А.; Дравин, В. А.; Гиппиус, А. А.; Заведеев, Е. В.; Власов, И. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние низкотемпературного отжига на морфологию приповерхностных слоев аморфного сплава на основе железа [Текст] / В. И. Бетехтин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 12. - С. 2118-2124. - Библиогр.: с. 2124 (15 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные сплавы -- аморфные сплавы на основе железа -- борид железа -- кристаллизация -- низкотемпературный отжиг -- отжиг -- участковая кристаллизация Аннотация: Методами электронной Оже-спектроскопии, трансмиссионной электронной микроскопии, атомной силовой и сканирующей туннельной микроскопии исследовалось влияние изотермического отжига на химический состав, микроструктуру и рельеф поверхности лент аморфного сплава Fe[77]Ni[1]Si[9]B[13]. Установлено, что отжиг ниже температуры стеклования приводит к обогащению бором неконтактной стороны ленты. Обнаружена участковая кристаллизация на обеих сторонах ленты с образованием областей кристаллизации размерами 2-5 мюm, состоящих из нано- и микрокристаллов альфа-Fe на контактной и борида железа не неконтактной стороне ленты. Показано, что отжиг по-разному влияет на спектральные и фрактальные характеристики рельефа поверхности контактной и неконтактной сторон ленты. Обсуждается влияние химического состава и избыточного свободного объема приповерхностных слоев на формирование участковой кристаллизации и рельеф поверхности. Доп.точки доступа: Бетехтин, В. И.; Бутенко, П. Н.; Кадомцев, А. Г.; Косуков, В. Е.; Обидов, Б. А.; Толочко, О. В. |
Барабан, Александр Петрович. Зарядовое состояние центров люминесценции в структурах Si-SiO[2], подвергнутых последовательной имплантации ионами кремния и углерода [Текст] / А. П. Барабан, Ю. В. Петров // Известия вузов. Электроника. - 2007. - N 3. - С. 18-22. - Библиогр.: с. 22 (9 назв. )
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- имплантация -- ионная имплантация -- кремний -- углерод -- отжиг -- заряды -- карбид кремния Аннотация: Исследована электролюминесценция структур, подвергнутых последовательной ионной имплантации кремния и углерода, а также постимплантационному отжигу. Доп.точки доступа: Петров, Юрий Владимирович |
Катин, К. П. Особенности методов динамического моделирования отжига и распада долгоживущих атомных кластеров [Текст] / К. П. Катин, А. И. Подливаев, Л. А. Опенов // Инженерная физика. - 2007. - N 3. - С. 55-58
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомные кластеры -- динамическое моделирование -- метод молекулярной динамики -- отжиг дефектов -- фуллерены -- метод скоростей Верле -- Верле метод скоростей Аннотация: Для определения оптимального алгоритма моделирования процессов формирования и отжига дефектов в малых атомных кластерах проанализированы несколько наиболее распространенных численных реализаций метода молекулярной динамики. На примере распада фуллерена С[20] проведено сравнение методов Верле, Штермера (различного порядка точности), чехарды и Бимана. Показано, что для расчета характеристик данного физического процесса наилучшим является метод скоростей Верле. Исследовано также накопление ошибки этого метода при моделировании распада долгоживущих углеводородных и азотных кластеров. Доп.точки доступа: Подливаев, А. И.; Опенов, Л. А. |
Астапова, Е. С. Влияние изотермического отжига на механические свойства и микроструктуру высокоглиноземистой керамики [Текст] / Е. С. Астапова, Е. А. Ванина, И. А. Голубева // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 28-32 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение Упрочнение металлов Кл.слова (ненормированные): высокоглиноземистая керамика -- керамические материалы -- нейтронное облучение -- изотермический отжиг -- корундовые керамические материалы -- микротвердрсть керамических материалов Аннотация: Исследовано влияние изотермического отжига до и после нейтронного облучения на структуру и микротвердость корундовых керамических материалов. Доп.точки доступа: Ванина, Е. А.; Голубева, И. А. |
Влияние механической активации оксида никеля на свойства никелевых нанопорошков [Текст] / С. А. Тихомиров [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 6. - С. 84-85 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Химия Механохимия Кл.слова (ненормированные): оксиды никеля -- прекурсоры -- планетарные мельницы -- активаторы -- механическая активация -- никелевые порошки -- дисперсность порошков никеля -- восстановительный отжиг -- предварительная механическая активация прекурсора Аннотация: Предпринята попытка увеличения дисперсности никелевых порошков методом предварительной (до восстановительного отжига) механической активации прекурсора - оксида никеля - в планетарных мельницах. Доп.точки доступа: Тихомиров, С. А.; Зеленский, В. А.; Евстратов, Е. В.; Алымов, М. И.; Анкудинов, А. Б. |
Коржов, В. П. Микроструктура и свойства Zr и сплава Zr-Ti, полученных методами порошковой металлургии их гидридов ZrH[2] и TiH[2] [Текст] / В. П. Коржов, М. И. Карпов // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 1. - С. 9-13 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): гидриды -- порошки гидридов -- спекание -- дегидрирующий отжиг -- горячее прессование -- сплавы циркония -- термообработка -- тугоплавкие металлы -- мартенситные превращения Аннотация: Образцы из циркония получали горячим прессованием, образцы из Ti- Zr сплава - прессованием при комнатной температуре с последующей термообработкой (дегидрирующий отжиг и спекание). Доп.точки доступа: Карпов, М. И. |
Улашкевич, Ю. В. Особенности инфракрасных спектров отражения полупроводникового SmS в области гомогенности [Текст] / Ю. В. Улашкевич, В. В. Каминский, А. В. Голубков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 324-328
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): поликристаллические образцы -- моносульфид самария -- инфракрасные спектры отражения -- тензорезистивный эффект -- отжиг Аннотация: На поликристаллических образцах моносульфида самария в полупроводниковой фазе с составами Sm[1+x]S, лежащими внутри области гомогенности (0=? x= ? 0. 17), измерены инфракрасные спектры отражения в диапазоне 5200-380 см\{-1\} в интервале температур 300-600 K. Обнаружены 5 пиков с энергиями, лежащими в интервале 1150-880 см\{-1\}, положение которых слабо зависит от состава и температуры. Показано, что пики отражения связаны с переходами \{7\}F[0]-\{7\}F[2] 4f-электронов ионов Sm\{2+\}. Доп.точки доступа: Каминский, В. В.; Голубков, А. В. |
Влияние параметров Ge (Si) /Si (001) самоформирующихся островков на их электролюминесценцию при комнатной температуре [Текст] / Д. Н. Лобанов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 332-336
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция многослойных структур -- отжиг структур -- излучательная рекомбинация -- кремний Аннотация: Выполнены исследования электролюминесценции многослойных p-i-n-структур с самоформирующимися Ge (Si) /Si (001) -островками. Обнаружено, что структуры с островками, выращенными при 600\{o\}C, обладают наибольшей интенсивностью сигнала электролюминесценции при комнатной температуре в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм. Отжиг структур с Ge (Si) -островками приводит к увеличению интенсивности сигнала ЭЛ при низких температурах, но ухудшает температурную стабильность этого сигнала, что связывается с дополнительной диффузией Si в островки во время отжига. Обнаруженный существенный рост интенсивности сигнала электролюминесценции с увеличением толщины разделительного Si-слоя связывается с уменьшением упругих напряжений в структуре с увеличением толщины этого слоя. Наибольшее значение внешней квантовой эффективности ЭЛ в области длин волн 1. 3-1. 55 мкм, полученное в исследованных структурах, при комнатной температуре составило 0. 01%. Доп.точки доступа: Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Кудрявцев, К. Е.; Шенгуров, Д. В.; Дроздов, Ю. Н.; Яблонский, А. Н.; Шмагин, В. Б.; Красильник, З. Ф.; Захаров, Н. Д.; Werner, Р. |
Костишко, Б. М. Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле [Текст] / Б. М. Костишко, А. В. Золотов, Ю. С. Нагорнов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 372-375
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопористый кремний -- бездефектные гетероэпитаксиальные слои кремния -- эпитаксиальные пленки -- термический отжиг -- отжиг -- поры Аннотация: Представлены результаты моделирования процессов термического отжига пористого кремния под действием высокотемпературного нагрева как в однородном температуром поле, так и в условиях наличия в системе линейного градиента температур. Доп.точки доступа: Золотов, А. В.; Нагорнов, Ю. С. |
Одиноков, В. Специальное оборудование для нанесения пленок и отжига материалов [Текст] / В. Одиноков, Ю. Бараник, В. Рагузин // Наноиндустрия. - 2009. - N 3. - С. 4-8 : ил.: 6 рис.
Рубрики: Радиоэлектроника Электровакуумные приборы Кл.слова (ненормированные): вакуумное оборудование -- опытно-промышленное оборудование -- напыление пленок -- наноматериалы -- отжиг ТМ-4 Аннотация: НИИ точного машиностроения специализируется на разработке вакуумного оборудования для нанесения тонких пленок, плазмохимического травления, ионной имплантации приповерхностных слоев. Доп.точки доступа: Бараник, Ю.; Рагузин, В.; Научно-исследовательский институт точного машиностроения; НИИТМ |
Александров, О. В. Перераспределение Al в имплантированных слоях SiC в процессе термического отжига [Текст] / О. В. Александров, Е. В. Калинина // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 5. - С. 584-589
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный отжиг -- примеси AL -- карбид кремния -- полупроводники -- ионы -- кристаллические решетки Аннотация: Проведен анализ экспериментальных профилей концентрации Al при его имплантации в SiC при комнатной температуре и последующем высокотемпературном отжиге. Показано, что при дозах, превышающих порог аморфизации, на профилях наблюдается ряд особенностей: смещение максимума распределения, накопление примеси на поверхности, образование прямоугольных ("box-shaped") профилей. Для количественного описания перераспределения примеси Al в слоях SiC, имплантированных с высокими дозами, впервые предложена сегрегационно-диффузионная модель, учитывающая сегрегацию примеси между альфa- и c-фазами в процессе твердофазной эпитаксиальной кристаллизации и последующую диффузию примеси с ее испарением с поверхности. Формирование прямоугольных профилей Al при быстром термическом отжиге объясняется образованием в рекристаллизованной области монокристаллического высокодефектного и поликристаллического слоев SiC с высоким коэффициентом диффузии примеси, а также подавлением переходной ускоренной диффузии в оставшейся монокристаллической части имплантированного слоя. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В. |
Брудный, В. Н. Электрические свойства диарсенида цинка-олова (ZnSnAs[2]), облученного ионами H\{+\} [Текст] / В. Н. Брудный, Т. В. Ведерникова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 433-435
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): изохронный отжиг -- облученный материал -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент -- химические примеси -- кристаллические решетки Аннотация: Представлены результаты исследования электрофизических свойств и изохронного отжига p-ZnSnAs[2], облученного ионами H\{+\} (энергия E=5 МэВ, доза D=2x10\{16\} см\{-2\}). Определены предельные электрофизические характеристики облученного материала. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
Процив, Ю. В. Методика расчета увеличения размеров зерен металлических материалов в зависимости от режимов отжига [Текст] / Ю. В. Процив // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2009. - Т. 75, N 7. - С. 21-29. - Библиогр.: с. 29 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): отжиг -- зерна металлических материалов -- металлические материалы -- режимы отжига -- номограммы -- температура отжига Аннотация: Предложена методика расчета увеличения размеров зерен в металлических материалах в зависимости от воздействия отжигов различной продолжительности при различных температурах. |
Влияние отжига на ЭПР-характеристики наноразмерных порошков диоксида циркония с разным составом примесей [Текст] / И. П. Быков [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 6. - С. 1177-1182. - Библиогр.: с. 1182 (14 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наноразмерные порошки -- диоксид циркония -- отжиг -- метод электронного парамагнитного резонанса -- процессы термогенерации Аннотация: Методом электронного парамагнитного резонанса исследованы четыре группы наноразмерных порошков диоксида циркония: номинально чистые порошки ZrO[2] (первая группа), образцы диоксида циркония с примесями Y[2]O[3] и Sc[2]O[3] (вторая группа), образцы с разным количеством Cr[2]O[3] (третья группа), а также образцы, в которых одновременно присутствовали Y[2]O[3] и Cr[2]O[3] (четвертая группа). Изучено влияние отжига на сигналы ЭПР от ионов Zr{3+} (первая и вторая группы образцов) и ионов Cr{5+} (третья и четвертая группы образцов). Установлено, что, хотя радиоспектроскопические характеристики ионов Zr{3+} и Cr{5+} близки, влияние отжига на сигналы ЭПР этих ионов существенно разное. Отжиг в интервале температур 200-900 градусов Цельсия ведет к монотонному увеличению количества ионов Zr{3+}. При этом температура отжига, при которой появляются сигналы ЭПР от ионов Zr{3+}, для образцов с разным составом примесей является неодинаковой. В отличие от ионов Zr{3+} кривые отжига сигналов ЭПР, обусловленных ионами Cr5+, имеют экстремум при T=500-600 градусов Цельсия. Доп.точки доступа: Быков, И. П.; Брик, А. Б.; Багмут, Н. Н.; Калиниченко, А. М.; Бевз, В. В.; Верещак, В. Г.; Ястрабик, Л. |
Использование имплантации ионов водорода и последующего высокотемпературного отжига для уменьшения дефектности эпитаксиального кремния на сапфире [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2009. - N 9. - С. 30-32. - Библиогр.: с. 32 (11 назв. ) . - ISSN 1813-8586
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- кремний-на-сапфире -- высокотемпературный отжиг -- имплантация ионов водорода -- эпитаксиальный кремниевый слой -- ионы водорода -- метод двукристальной брегговской дифракции Аннотация: Низкодефектные кремниевые пленки на сапфире получены с использованием имплантации водорода и последующей термической обработки. Метод двухкристальной брегговской дифракции показал, что ширина рентгеновской кривой качания (FWHM) уменьшилась на 40 %. Доп.точки доступа: Александров, П. А. (д-р физ. -мат. наук); Демаков, К. Д. (канд. техн. наук); Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
Электронная микроскопия структуры композиций пленок титаната бария-стронция на подложках Pt-Ti-SiO[2]-Si после лазерного отжига [Текст] / О. М. Жигалина [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1398-1399. - Библиогр.: с. 1399 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- пленки титаната бария -- пленки стронция -- лазерный отжиг -- химические осаждения из растворов -- процессы кристаллизации -- рекристаллизация -- композитные пленки -- структура пленок -- пленки Аннотация: Исследовано влияние лазерного отжига на структуру пленок титаната бария-стронция, полученных методом химического осаждения из растворов. Показано, что воздействие лазерного излучения инициирует процессы кристаллизации и рекристаллизации пленок, а также вызывает аморфизацию внешней поверхности пленки. Доп.точки доступа: Жигалина, О. М.; Хмеленин, Д. Н.; Воротилов, К. А.; Лебо, И. Г.; Сигов, А. С. |
Электронная микроскопия наноструктур титаната бария-стронция в матрице оксида алюминия [Текст] / О. М. Жигалина [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1400-1402. - Библиогр.: с. 1402 (4 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- пленки титаната бария -- пленки стронция -- лазерный отжиг -- наноструктуры -- кристаллизация -- рекристаллизация -- композитные пленки -- структура пленок -- оксид алюминия Аннотация: Методами электронной микроскопии выявлена закономерность образования наноструктур титаната бария-стронция при кристаллизации в объеме пор матрицы оксида алюминия в виде нанотрубок или наностолбиков диаметром 100-200 nm и длиной до нескольких микрометров, формируемых кристаллами титаната бария-стронция размером 3-100 nm. Доп.точки доступа: Жигалина, О. М.; Кускова, А. Н.; Воротилов, К. А.; Сигов, А. С. |
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 904-908 : ил. - Библиогр.: с. 908 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- омические контакты -- высокотемпературный отжиг -- структурные контакты -- металлизация -- примесные атомы кислорода -- радиационно-термическая обработка -- массоперенос -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- радиационные воздействия -- радиационно-термическая обработка Аннотация: Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов {60}Co в диапазоне доз 4х10[6]-2х10[7] Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействия не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700{o}C приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2х10[7] Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.; Свешников, Ю. Н. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |