Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Квантование сверхтока и андреевское отражение в кремниевых наноструктурах [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1496-1506 : ил. - Библиогр.: с. 1505-1506 (38 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- туннельная спектроскопия -- корреляция -- туннелирование -- эффект Джозефсона -- Джозефсона эффект -- андреевское отражение -- сверхпроводящие delta-барьеры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- когерентное туннелирование -- осцилляция -- квантование -- сверхтоки -- сверхпроводящий эффект близости -- сверхпроводник-СККЯ-сверхпроводник Аннотация: Туннельная спектроскопия используется для изучения транспорта дырок в сандвич-наноструктуре типа сверхпроводник-сверхузкая самоупорядоченная кремниевая квантовая яма (СККЯ) p-типа - сверхпроводник на поверхности Si (100) n-типа, в которой ширина квантовой ямы меньше длины когерентности и фермиевской длины волны. Туннельные ВАХ высокого разрешения демонстрируют квантование сверхтока, характеристики которого определяются позициями уровней размерного квантования дырок в СККЯ. Причем корреляция в туннелировании одиночных дырок и куперовских пар проявляется в идентичности осцилляций ВАХ сверхтока при T Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Оганесян, Г. А.; Полоскин, Д. С. |
Орлов, Борис Степанович (доцент). К вопросу технологического обеспечения микрорельефа поверхностей деталей, обработанных дискретным вибрационным резанием [Текст] / Б. С. Орлов, А. В. Королев, Н. В. Ермольчева // Вестник Саратовского государственного технического университета. - 2010. - N 51. - С. 43-47. : ил. - Библиогр.: с. 47 (3 назв. )
Рубрики: Машиностроение Обработка металлов резанием Кл.слова (ненормированные): микрорельеф поверхностей деталей -- поверхности деталей -- детали -- дискретное резание -- вибрационное резание -- микролунки -- осцилляция резца -- резцы -- режимы обработки деталей Аннотация: Рассматривается процесс образования частично регулярного микрорельефа на поверхности деталей методом дискретного вибрационного резания. Получена формула для оценки площади микролунки за период осцилляции резца в зависимости от режимов обработки и других технологических факторов. Доп.точки доступа: Королев, Альберт Викторович (доктор технических наук, профессор); Ермольчева, Надежда Викторовна (аспирантка) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Пейсахович, Ю. Г. Осцилляция тока при фотоэмиссии через трехбарьерную гетероструктуру [Текст] / Ю. Г. Пейсахович, А. А. Штыгашев // Доклады Академии наук высшей школы России. - 2011. - N 1 (16). - С. 26-40. : ил. - Библиогр.: с. 40 (19 назв. )
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): ток -- осцилляция тока -- фотоэмиссия -- трехбарьерная гетероструктура -- матрицы плотности -- теории -- научные исследования Аннотация: Построена теория и проведено численное моделирование нестационарной фотоэмиссии из кристалла через поверхностную трехбарьерную гетероструктуру. Доп.точки доступа: Штыгашев, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рост эпитаксиальных пленок SiSn с высоким содержанием Sn для преобразователей в ИК-области [Текст] / В. А. Тимофеев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 2. - С. 135-140 : рис., табл. - Библиогр.: c. 139-140 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- дифракция -- кривая качания -- монокристаллические слои -- осцилляция -- параметры решетки -- прямозонность -- сверхструктура -- структура поверхности -- фотоника Аннотация: Проведены исследования роста соединений SiSn с содержанием Sn от 10 до 35 %. Изучена морфология и структура поверхности слоев SiSn, а также установлена кинетическая диаграмма морфологического состояния пленок SiSn в диапазоне температур 150-450 °С. При росте пленок SiSn от 150 до 300 °С наблюдались осцилляции зеркального рефлекса. Впервые выращены многослойные периодические структуры SiSn/Si с псевдоморфными монокристаллическими слоями SiSn с содержанием Sn от 10 до 25 %. Выявлены сверхструктуры c (8 *4) и (5 *1) при росте Si на слое SiSn и определены условия формирования желаемой структуры поверхности Si путем контроля температуры роста. Из кривых дифракционного отражения определен параметр решетки, состав SiSn и период в многослойной периодической структуре, которые с высокой точностью соответствуют заданным значениям. Доп.точки доступа: Тимофеев, В. А.; Никифоров, А. И.; Коханенко, А. П.; Туктамышев, А. Р.; Машанов, В. И.; Лошкарев, И. Д.; Новиков, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Спиваковский, Павел Евсеевич (кандидат филологических наук). Метамодернизм [Текст] : контуры глубины / П. Е. Спиваковский // Вестник Московского университета. Сер. 9, Филология. - 2018. - № 4. - С. 196-211. - Библиогр. в примеч. . - ISSN 0130-0075
Рубрики: Литературоведение Теория литературы Кл.слова (ненормированные): метамодернизм -- постмодернизм -- глубина -- осцилляция -- аффект Аннотация: Анализируются новые возможности, связанные с относительно недавним появлением теории метамодернизма как новой дискурсивной практики, новой чувствительности и новой культурной логики. Показано, что исследователи культуры, в том числе историки русской литературы, уже давно высказывают недовольство традиционной постмодернистской теорией, находя ее неадекватной для описания и анализа современных культурных тенденций. Одновременно с этим утверждается непродуктивность попыток увязать новейшие тенденции в культуре с дискурсивными системами прошлого (в том числе с модернизмом), в связи с чем возникает потребность в современной теоретической системе, ориентированной на культурные задачи нашей эпохи. Такой системой может стать метамодернизм, теория которого достаточно активно развивается в последние годы. Метамодернизм, по мнению создателей этой теории, медленно, но неуклонно приходит на смену культурной логике постмодернизма. Не отрицая наличия постмодернистских тенденций в современном мире, теоретики метамодернизма утверждают возвращение аффекта, историчности и преодоление безглубинного постмодернистского сознания, видя в этом выход современной культуры за рамки постмодерна. Рассмотрены некоторые спорные аспекты метамодернистской теории и предложен вариант решения связанных с ними вопросов. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |