Самхарадзе, Т. Г. Изучение аспектов поведения рабочих характеристик AlGaInN излучающих диодов [Текст] / Т. Г. Самхарадзе, О. И. Рабинович // Инженерная физика. - 2009. - N 4. - С. 24-26
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие диоды -- многокомпонентные гетероструктуры -- компьютерное моделирование -- твердые растворы -- оптоэлектронные полупроводниковые приборы Аннотация: Проведено изучение поведения основных характеристик излучающих диодов. Результаты представлены в виде графиков рабочих характеристик СИД, основанных на результатах компьютерного моделирования AlGaInN многокомпонентных гетероструктур, например, ВАХ и зависимость напряженности поля от содержания атомов In и количества кванто-размерных ям. Доп.точки доступа: Рабинович, О. И. |