Получение гетероструктур на основе нанокристаллических слоев политипов карбида кремния [Текст] / А. В. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 845-852. : ил. - Библиогр.: с. 851-852 (25 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- нанокристаллические пленки -- карбид кремния -- подложки -- ионное осаждение -- рентгеноструктурный анализ -- метод рентгеноструктурного анализа -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- ФЛ -- оптическая спектроскопия -- оптическое поглощение -- ОП -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- нанокристаллические политипы -- оптическое отражение -- ОО Аннотация: Показана возможность формирования гетероструктуры, состоящей из нанокристаллических слоев, - нижнего (на подложке) кубического политипа 3C и верхнего ромбоэдрического политипа 21R с использованием метода прямого ионного осаждения нанокристаллических пленок карбида кремния и градиентного нагрева подложек. Проведен детальный анализ структуры и последовательности расположения слоев карбида кремния с применением методов рентгеноструктурного анализа, фемтосекундной фотолюминесценции, оптической спектроскопии. Обсуждается природа максимумов, наблюдаемых в спектрах фотолюминесценции, оптического отражения и поглощения. Доп.точки доступа: Семенов, А. В.; Лопин, А. В.; Пузиков, В. М.; Баумер, В. Н.; Дмитрук, И. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |