Оптически активные центры в гетероструктурах Si/Si[1-x]Ge[x] : Er, связанные с ионами Er{3+} [Текст] / Л. В. Красильникова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 909-916 : ил. - Библиогр.: с. 915-916 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эрбий -- оптически активные центры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- ФЛ -- Er-центры -- ионы эрбия -- германий -- примеси кислорода Аннотация: Проведен детальный анализ основных типов оптически активных эрбиевых центров, вносящих преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия от 10 до 30%. Показана взаимосвязь природы формирующихся оптически активных центров, содержащих ионы Er{3+}, с молярным составом и концентрацией примеси кислорода в слое Si[1-x]Ge[x] : Er. Преимущественный вклад в сигнал фотолюминесценции гетероструктур Si/Si[1-x]Ge[x] : Er с содержанием германия менее 25% вносят известные кислородсодержащие оптически активные Er-центры. Увеличение содержания германия в слое Si/Si[1-x]Ge[x] : Er (x>=q25%) приводит к формированию нового типа центров - германийсодержащих оптически активных эрбиевых центров, не наблюдавшихся ранее в структурах на основе кремния. Доп.точки доступа: Красильникова, Л. В.; Степихова, М. В.; Байдакова, Н. А.; Дроздов, Ю. Н.; Красильник, З. Ф.; Чалков, В. Ю.; Шенгуров, В. Г. |