Куркин, М. И. Магнитоупругий механизм магнитоэлектрического взаимодействия [Текст] / М. И. Куркин [и др. ] // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 7. - С. 1251-1254. - Библиогр.: с. 1254 (9 назв. )
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): магнитная энергия -- магнитные возбуждение -- магнитоупругая энергия -- магнитоэлектрическое взаимодействие -- оптические фононы -- смещение атомов -- фононы -- электрическая подрешетка Аннотация: Теоретически анализируется магнитоупругий механизм магнитоэлектрического взаимодействия Ф[mu]. Для его описания используется разложение магнитной энергии Ф[m] по степеням компонент векторов u[j] (смещений узлов кристаллической решетки от положений равновесия), а не дельта u, которые определяют магнитострикционную часть магнитоупругой энергии Ф[ms]. Еще одно различие между Ф[mu] и Ф[ms] проявляется в том, что Ф[mu] описывает взаимодействие магнитных возбуждений с оптическими фононами, а Ф[ms] - только с акустическими. Установлено, что для магнитоэлектричества важны только электроактивные (взаимодействующие с электрическим полем) оптические фононы, обычно составляющие малую часть от полного числа оптических ветвей фононного спектра. Предложено описание Ф[mu], автоматически исключающее из рассмотрения все неэлектроактивные ветви оптических фононов. Это описание строится на основе понятия электрической подрешетки, в которую объединяются все химически одинаковые, равновалентные ионы. Доп.точки доступа: Меньшенин, В. В.; Николаев, В. В.; Туров, Е. А.; Бакулина, Н. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Талочкин, А. Б. Релаксация механических напряжений в массиве квантовых точек Ge, полученных в Si [Текст] / А. Б. Талочкин, В. А. Марков, В. И. Машанов // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып: вып. 5. - С. 397-400
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): комбинационное рассеяние света -- оптические фононы -- квантовые точки -- релаксация механических напряжений -- механические напряжения -- массив квантовых точек -- Ge -- Si Аннотация: Исследовано комбинационное рассеяние света (КРС) на оптических фононах в Si/Ge/Si структурах с квантовыми точками (QD) Ge, выращенными с помощью молекулярно лучевой эпитаксии в области низких температур 200-300 градусов C. Получено псевдоморфное состояние массива QD Ge к Si матрице с идеально резкой границей раздела. В спектрах КРС обнаружены особенности, связанные с неупругой релаксацией механических напряжений. Выделены два механизма релаксации напряжений. Показано, что в результате неоднородного характера релаксации спектр электронных состояний массива значительно отличается от набора дискретных уровней отдельной QD. Доп.точки доступа: Марков, В. А.; Машанов, В. И. |
Акустические и оптические фононы и их дисперсия в модельных сегнетоэластиках Hg[2]Cl[2] [Текст] / А. А. Квасов [и др.] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 7. - С. 1349-1352. - Библиогр.: с. 1352 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические фононы -- дисперсия фононов -- феноменологическая теория Ландау -- гидростатическое давление -- Бриллюэна зоны -- зоны Бриллюэна -- Ландау феноменологическая теория -- дисперсия Аннотация: Вычислены и построены дисперсионные зависимости частот акустических и оптических фононов, получено плотность состояний фононного спектра кристаллов Hg[2]Cl[2]. Выполнен теоретический анализ влияния гидростатического давления на частоты акустических и оптических фононов и их дисперсию. При возрастании давления обнаружено сильное смягчение наиболее медленной акустической ТА-ветви в Х -точке границы зоны Бриллюэна, соответствующее феноменологичесой теории Ландау и коррелирующее с экспериментом. Доп.точки доступа: Квасов, А. А.; Смирнов, М. Б.; Марков, Ю. Ф.; Рогинский, Е. М. |
Ктиторов, С. А. Неравновесные состояния ангармонических фононов мягкой моды [Текст] / С. А. Ктиторов, А. М. Прудан, Чэнь Сяосин // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1504-1508. - Библиогр.: с. 1508 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оптические фононы -- теория неравновесного состояния -- сегнетоэлектрики -- фазовые переходы -- уравнения самосогласованного поля -- распределение парциальных температур -- неравновесные состояния -- бризеры -- энергообмены Аннотация: Развита теория неравновесного состояния оптических фононов мягкой моды в сегнетоэлектриках, подвергаемых накачке электромагнитным излучением. Получены уравнения самосогласованного поля, определяющие сдвиг температуры фазового перехода и изменение низкочастотной диэлектрической проницаемости вследствие возникновения неравновесного состояния. Предложена двухтемпературная модель процессов переноса энергии в условиях накачки. Найдены аналитические решения этой системы уравнений как в стационарном случае, так и для переходного процесса. Обнаружено, что при времени наблюдения порядка времени энергообмена между подсистемами должны наблюдаться пространственные осцилляции распределения температуры мягкой моды. Показано, что нелинейные эффекты могут быть причиной возникновения фононного " узкого горла" в обмене энергией между фононными подсистемами. Построена точно решаемая модель нелинейных бризеров --- бризеры с одноузельной нелинейностью. Доп.точки доступа: Прудан, А. М.; Сяосин Чэнь |
Копытов, А. В. Ab initio расчет колебательных спектров AgInSe[2] и AgInTe[2] [Текст] / А. В. Копытов, А. В. Кособуцкий // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 10. - С. 1994-1998. - Библиогр.: с. 1998 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые кристаллы -- структуры халькопирита -- инфракрасные спектроскопии -- оптические фононы -- связки оптических фононов -- оптические спектры -- преобразования солнечной энергии -- колебательные строения кристаллов Аннотация: Выполнен расчет из первых принципов методом линейного отклика фононных спектров и плотностей состояний полупроводниковых кристаллов AgInSe2 и AgInTe2 со структурой халькопирита. Вычисленные в центре зоны Бриллюэна частоты согласуются с экспериментальными данными, полученными методами инфракрасной спектроскопии и комбинационного рассеяния света. По величине атомных вкладов в колебательные моды в спектрах AgInSe[2] и AgInTe[2] выделяются три полосы: в области низких и средних частот колебания имеют смешанный характер с примерно равным вкладом от всех подрешеток, далее идут связки оптических фононов, обусловленные соответственно вкладами атомов Ag, CVI и In, CVI (CVI=Se, Te). Расположение этих связок позволяет сделать вывод о более сильном взаимодействии In-CVI по сравнению со связью Ag-CVI в данных кристаллах. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В. |
Транспорт электронов в квантовой яме GaAs в сильных электрических полях [Текст] / Ю. Пожела [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1217-1221 : ил. - Библиогр.: с. 1220-1221 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs -- электроны -- рассеяние -- рассеяние электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- дрейфовая скорость -- фононы -- оптические фононы Аннотация: Определены скорости внутри- и межподзонного рассеяния электронов на полярных оптических и междолинных фононах в зависимости от энергии электрона и ширины глубокой прямоугольной квантовой мы GaAs. Методом Монте-Карло вычислены полевые зависимости дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах шириной 10, 20 и 30 нм. Показано, что дрейфовая скорость в сильных электрических полях в квантовой яме значительно превышает максимальную дрейфовую скорость насыщения в объемном материале. Доп.точки доступа: Пожела, Ю.; Пожела, К.; Рагуотис, Р.; Юцене, В. |
Выращивание нанокристаллов ZnO импульсным лазерным напылением на сапфире и кремнии и их инфракрасные спектры [Текст] / А. В. Баженов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1576-1582 : ил. - Библиогр.: с. 1581 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- ZnO -- выращивание нанокристаллов -- импульсные лазерные напыления -- сапфиры -- кремний -- подложки -- электронная микроскопия -- фурье-спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия -- ИК-спектроскопия -- фононы -- оптические фононы -- наностержни -- оптические измерения Аннотация: Импульсным лазерным напылением выращены наностержни ZnO, образующие высокоориентированные структуры наностержней на подложках из сапфира и кремния. Выращенные при различных условиях наноструктуры охарактеризованы при помощи электронной микроскопии и фурье-спектроскопии инфракрасного отражения. В этих спектрах выделены вклады оптических фононов и свободных носителей заряда в слоях наностержней ZnO, а также выявлена зависимость степени ориентации наностержней ZnO относительно поверхности подложки от условий их роста. Обнаружено смягчение оптических фононов ZnO при уменьшении диаметра наностержней ZnO. Доп.точки доступа: Баженов, А. В.; Фурсова, Т. Н.; Максимук, М. Ю.; Кайдашев, Е. М.; Кайдашев, В. Е.; Мисочко, О. В. |
Резонансное рамановское рассеяние и дисперсия полярных оптических и акустических фононов в гексагональном InN [Текст] / В. Ю. Давыдов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 170-179 : ил. - Библиогр.: с. 179 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рамановское рассеяние -- дисперсия -- фононы -- полярные фононы -- оптические фононы -- акустические фононы -- волновые векторы -- колебательные спектры -- энергия -- центрозонные энергии -- зоны Бриллюэна -- Бриллюэна зоны Аннотация: Показано, что исследование зависимости примесного резонансного рамановского рассеяния 1-го порядка от частоты возбуждающего света позволяет наблюдать дисперсию полярных оптических и акустических ветвей колебательного спектра гексагонального InN в широкой области волновых векторов. Установлено, что величины волновых векторов возбуждаемых фононов однозначно связаны с энергией возбуждающего фотона. Проведены измерения частот продольных оптических фононов E[1] (LO) и A[1] (LO) гексагонального InN при изменении энергии возбуждающего света в диапазоне от 2. 81 до 1. 17 эВ и продольных акустических фононов - в диапазоне от 2. 81 до 1. 83 эВ. Полученные зависимости позволили экстраполировать дисперсии фононов A[1] (LO) и E[1] (LO) вплоть до точки Gamma зоны Бриллюэна и оценить центрозонные энергии этих ветвей, величины которых до сих пор не установлены однозначно. Доп.точки доступа: Давыдов, В. Ю.; Клочихин, А. А.; Смирнов, А. Н.; Страшкова, И. Ю.; Крылов, А. С.; Lu Hai; Schaff, William J.; Lee, H. -M.; Hong, Y. -L.; Gwo, S. |
Маслов, А. Ю. Роль интерфейсных фононов при формировании поляронных состояний в квантовых ямах [Текст] / А. Ю. Маслов, О. В. Прошина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 200-204 : ил. - Библиогр.: с. 204 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): интерфейсные фононы -- поляроны большого радиуса -- поляронные состояния -- электронные поляроны -- поляронный экситон -- квантовые ямы -- фононные спектры -- оптические фононы -- барьеры -- заряженные частицы -- электроны -- дырки Аннотация: Построена теория полярона большого радиуса в квантовой яме с учетом взаимодействия заряженных частиц с различными ветвями фононного спектра. Показано, что в узких квантовых ямах основной вклад в энергию связи полярона вносит взаимодействие с симметричными интерфейсными фононами. В результате такого взаимодействия энергия связи полярона определяется эффективной массой носителей в квантовой яме и поляризационными свойствами барьеров. Исследованы возможности возникновения поляронного экситона в квантовой яме при наличии сильного взаимодействия заряженных частиц с оптическими фононами. Найдены условия, при которых не происходит значительной компенсации поляризационных полей, созданных электроном и дыркой. Доп.точки доступа: Прошина, О. В. |
Кипа, М. С. Кинетика двумерных электронов с учетом рассеяния на резонансном состоянии [Текст] / М. С. Кипа, П. С. Алексеев, И. Н. Яссиевич // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 2. - С. 210-217 : ил. - Библиогр.: с. 216 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- подзоны квантовых ям -- двумерные электроны -- кинетика -- акустические фононы -- оптические фононы -- электрические поля -- интерфейсы -- рассеяние -- резонансное рассеяние -- резонансные состояния -- модель Брейта-Вигнера -- Брейта-Вигнера модель -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- метод случайных блужданий -- функция распределения -- стримминговый режим -- электроны Аннотация: Изучена кинетика электронов в двух подзонах квантовой ямы при наличии сильного ускоряющего электрического поля вдоль интерфейсов, рассеяния на оптических и акустических фононах, а также рассеяния на резонансном квазистационарном состоянии, связанном с наличием мелких доноров. Резонансное рассеяние учитывается в рамках известной модели Брейта-Вигнера. Функция распределения строится при помощи метода "случайных блужданий" Монте-Карло. Рассеяние на резонансном состоянии приводит к накоплению электронов вблизи резонансного состояния и в целом к существенной модификации функции распределения стриммингового режима. Получена зависимость относительной заселенности рассматриваемых подзон от температуры решетки. Доп.точки доступа: Алексеев, П. С.; Яссиевич, И. Н. |
Завьялов, Д. В. Численное моделирование эффекта выпрямления тока, индуцированного электромагнитной волной в графене [Текст] / Д. В. Завьялов, С. В. Крючков, Т. А. Тюлькина // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 910-914. : ил. - Библиогр.: с. 913-914 (15 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитные волны -- численное моделирование -- графены -- метод Монте-Карло -- Монте-Карло метод -- фононы -- акустические фононы -- оптические фононы -- рассеяния электронов -- эффект выпрямления тока Аннотация: С использованием прямого численного моделирования методом Монте-Карло изучен эффект возникновения постоянной (перпендикулярной тянущему постоянному электрическому полю) составляющей тока в ситуации, когда на образец графена нормально к его поверхности падает эллиптически поляризованная электромагнитная волна. Исследована зависимость тока от частоты падающей электромагнитной волны и сдвига фаз между ее компонентами. Доп.точки доступа: Крючков, С. В.; Тюлькина, Т. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Орлова, Е. Е. Температурная зависимость инверсной заселенности на внутрицентровых переходах мелких примесей в полупроводниках [Текст] / Е. Е. Орлова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1504-1510. : ил. - Библиогр.: с. 1509-1510 (13 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- инверсия -- лазерные переходы -- примесные состояния -- термическая ионизация -- рекомбинация -- оптические фононы -- излучение фононов -- инверсная населенность -- доноры (физика) Аннотация: Проведен анализ основных факторов температурной зависимости инверсной заселенности на переходах мелких примесей в полупроводниках в рамках четырехуровневой схемы инверсии: заполнение нижнего состояния лазерного перехода при разогреве с основного состояния, уменьшение населенности долгоживущего примесного состояния из-за термической ионизации и при увеличении скорости прямой рекомбинации на основное состояние с излучением оптических фононов. Определены температуры, при которых указанные факторы становятся существенными. Показано, что термическая ионизация с долгоживущего состояния является основным фактором, определяющим температурное гашение стимулированного излучения на переходах по состояниям мелких доноров в кремнии. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Мельников, А. А. Ультрабыстрая динамика электронов и кристаллической решетки в селениде висмута [Текст] / А. А. Мельников, С. В. Чекалин, Е. А. Рябов // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 12. - С. 1652-1655. - Библиогр.: c. 1655 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): когерентные фононы -- оптические фононы -- селенид висмута -- ультрабыстрый отклик кристалла -- фемтосекундные лазерные импульсы Аннотация: Исследован ультрабыстрый отклик кристалла Bi[2]Se[3] на фемтосекундные лазерные импульсы. Наблюдаемое увеличение времени нарастания электронного сигнала и одновременное увеличение амплитуды когерентных фононов при перестройке центральной длины волны возбуждающего лазерного импульса от 1500 до 600 нм интерпретировано как результат экранирования электрон-электронного взаимодействия оптическими фононами. Доп.точки доступа: Чекалин, С. В.; Рябов, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |