Electrical and optical properties of InN with periodic metallic In insertions [Text] / T. A. Komissarova [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 304-307
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): InN -- электрические свойства -- оптические свойства Доп.точки доступа: Komissarova, T. A.; Shubina, T. V.; Jmerik, V. N.; Ivanov, S. V.; Ryabova, L. I.; Khokhlov, D. R.; Vasson, А.; Leymarie, J.; Araki, T.; Nanishi, Y. |
Исследование оптических свойств аморфного углерода, модифицированного платиной [Текст] / А. Д. Ременюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 947-952 : ил. - Библиогр.: с. 951 (32 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аморфный углерод -- магнетронное распыление -- оптические свойства -- эллипсометрия -- инфракрасное поглощение -- рамановское рассеяние -- кластеры платины Аннотация: Исследованы пленки аморфного углерода (alpha) -C и пленки модифицированного платиной композита на его основе (alpha) -C-Pt, полученные методом магнетронного распыления в широком диапазоне толщин и концентраций модифицирующей платины, изготовленные при сохранении оптимального для каталитической активности (alpha) -C-Pt режима. Для исследования использованы методы эллипсометрии, инфракрасной и рамановской спектроскопии. На основании анализа спектров показано, что кластеры платины встраиваются в систему графеновых плоскостей аморфного углерода без существенной перестройки самой углеродной структуры, а увеличение количества модифицирующей платины в составе пленки (alpha) -C-Pt приводит к уменьшению размеров графеновых кластеров. Доп.точки доступа: Ременюк, А. Д.; Звонарева, Т. К.; Захарова, И. Б.; Толмачев, В. А.; Беляков, Л. В.; Перова, Т. С. |
Симонов, А. А. Структурные механизмы протонной проводимости в кристаллах Me[m] H[n] (X O[4]) [ (m+n) /2] [Текст] / А. А. Симонов, И. П. Макарова, В. В. Гребенев // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 8. - С. 1477-1479. - Библиогр.: с. 1479 (11 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фазовые переходы -- диэлектрические свойства -- оптические свойства -- теплоемкость -- водородные связи -- кристаллография Аннотация: Исследования образцов K[3]H (SO[4]) [2], относящихся к семейству Me[m] H[n] (X O[4]) [ (m+n) /2] (Me=K, Cs, Rb, NH[4]; X=S, Se, As), выявили температурные аномалии диэлектрических, оптических свойств и теплоемкости при фазовых переходах. Проведенные рентгеноструктурные исследования подтвердили наличие структурного фазового перехода из моноклинной в тригональную фазу C2/c-> R3m, а также обусловленность появления высокой протонной проводимости в высокотемпературных фазах кристаллов этого семейства формированием качественно новой системы водородных связей. Доп.точки доступа: Макарова, И. П.; Гребенев, В. В. |
Богданова, И. В. Синтез и оптические свойства биметаллических никель-палладиевых наночастиц в обратных мицеллах [Текст] / И. В. Богданова, А. А. Ревина, Э. П. Магомедбеков // Нанотехнологии. - 2009. - N 4. - С. 54-58
Рубрики: Химическая технология Технология неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): синтез -- оптические свойства -- биметаллические наночастицы -- никель-палладиевые наночастицы -- обратные мицеллы -- неорганические вещества -- оптические свойства Аннотация: В настоящей работе была поставлена задача синтезировать биметаллические никель-палладиевые наночастицы, исследовать и сравнить их оптические свойства. Доп.точки доступа: Ревина, А. А.; Магомедбеков, Э. П. |
Особенности механизма дефектообразования в монокристаллах CdS при облучении большими дозами быстрых реакторных нейтронов [Текст] / Г. Е. Давидюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1441-1446 : ил. - Библиогр.: с. 1445-1446 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- CdS -- нейтроны -- реакторные нейтроны -- дефектообразование -- кластеры дефектов -- КД -- кадмий -- отжиг -- температура -- кулоновское выталкивание -- облучение -- нейтронное облучение -- облучение реакторными нейтронами -- коэффициент поглощения -- КП -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Исследовались электрические и оптические свойства облученных быстрыми реакторными нейтронами дозой >=10{18} см{-2} монокристаллов CdS. Было установлено, что в облученном материале образуются кластеры дефектов, в которых доминирующими являются вакансии кадмия. При распаде кластеров дефектов в процессе радиационно стимулированного отжига или отжига в температурном интервале ~200-400oC решетка кристалла обогащается вакансиями Cd. Предполагается, что в образовании кластеров дефектов существенную роль играют подпороговые эффекты, связанные с преимущественным возбуждением K-оболочек атомов Cd и их кулоновским выталкиванием с ядра кластера. Доп.точки доступа: Давидюк, Г. Е.; Кевшин, А. Г.; Божко, В. В.; Галян, В. В. |
Оптические и структурные свойства тонких пленок, осажденных из золя наночастиц кремния [Текст] / С. Г. Дорофеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1460-1467 : ил. - Библиогр.: с. 1466-1467 (25 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- наночастицы -- кремний -- нанокристаллический кремний -- nc-Si -- коллоидные растворы -- золя -- структурные свойства -- оптические свойства -- осаждение -- размерно-селективное осаждение -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- поглощения -- спектры поглощения -- рассеяние -- комбинационное рассеяние -- спектры комбинационного рассеяния -- порошки -- травление Аннотация: Предложен новый метод формирования тонких пленок нанокристаллического кремния (nc-Si), который заключается в размерно-селективном осаждении с помощью центрифугирования наночастиц из коллоидного раствора (золя), содержащего порошки nc-Si. Структурные и оптические параметры исходных порошков nc-Si и осажденных пленок изучены с помощью просвечивающей электронной микроскопии и анализа спектров поглощения и спектров комбинационного рассеяния. Величина коэффициента поглощения пленок nc-Si увеличивается с уменьшением размеров наночастиц, из которых состоят эти пленки. Измеренная ширина запрещенной зоны Eg в пленках увеличивается от 1. 8 до 2. 2 эВ при травлении порошков nc-Si, используемых для осаждения соответствующих пленок. Из анализа спектров комбинационного рассеяния сделано предположение, что наличие аморфной составляющей в исследованных порошках и пленках nc-Si определяется атомами кислорода, координированными на поверхности наночастиц. Доп.точки доступа: Дорофеев, С. Г.; Кононов, Н. Н.; Ищенко, А. А.; Васильев, Р. Б.; Гольдшрах, М. А.; Зайцева, К. В.; Колташев, В. В.; Плотниченко, В. Г.; Тихоневич, О. В. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Структура и оптические свойства сформированных с применением низкочастотного плазмохимического осаждения пленок SiH[x] : H, содержащих нанокластеры кремния [Текст] / Т. Т. Корчагина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1557-1563 : ил. - Библиогр.: с. 1563 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): пленки -- SiN[x] : H -- стехиометрия -- плазмохимические осаждения -- низкочастотные плазмохимические осаждения -- кластеры -- нанокластеры -- кремний -- оптические свойства -- структура -- эллипсометрия -- аммиак -- моносилан -- спектроскопия -- комбинационное рассеяние света -- инфракрасные поглощения -- ИК-поглощения -- фотолюминесценция -- ФЛ -- подложки -- температура Аннотация: Пленки SiN[x] : H разной стехиометрии были получены с применением низкочастотного плазмохимического осаждения при температурах 100 и 380oC. Варьирование стехиометрии достигалось изменением соотношения потоков аммиака и моносилана от 0. 5 до 5. Пленки были исследованы с применением эллипсометрии, спектроскопии комбинационного рассеяния света, ИК-поглощения и фотолюминесценции. В пленках SiN[x]: H (x<4/3) были обнаружены кластеры аморфного кремния. Согласно оценкам, лишь небольшая часть избыточного кремния собирается в кластеры, а повышение температуры подложки стимулирует образование кластеров. При увеличении доли избыточного кремния в пленках наблюдается сдвиг максимума фотолюминесценции в длинноволновую область. Доп.точки доступа: Корчагина, Т. Т.; Марин, Д. В.; Володин, В. А.; Попов, А. А.; Vergnat, M. |
Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100) на основе твердых растворов вычитания [Текст] / П. В. Середин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1654-1661 : ил. - Библиогр.: с. 1660 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- МОС-гидридные гетероструктуры -- низкотемпературные МОС-гидридные гетероструктуры -- AlGaAs/GaAs (100) -- твердые растворы вычитания -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- сканирующая электронная микроскопия -- метод сканирующей электронной микроскопии -- ИК-спектроскопия -- метод ИК-спектроскопии -- эпитаксиальные гетероструктуры -- кристаллические решетки -- твердые растворы -- температура -- закон Вегарда -- Вегарда закон Аннотация: Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs (100), выращенных при пониженных температурах. Установлено, что изменение параметра кристаллической решетки твердых растворов AlGaAs от концентрации Al не подчиняется классическому закону Вегарда, а значения параметров меньше, чем у GaAs. Доп.точки доступа: Середин, П. В.; Глотов, А. В.; Домашевская, Э. П.; Арсентьев, И. Н.; Винокуров, Д. А.; Станкевич, А. Л.; Тарасов, И. С. |
Оптическое поглощение и диффузия железа в монокристаллах ZnSe [Текст] / Ю. Ф. Ваксман [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 463-466 : ил. - Библиогр.: с. 466 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- ZnSe -- селенид цинка -- поглощение -- оптическое поглощение -- диффузионное легирование -- метод диффузионного легирования -- диффузия железа -- оптические переходы -- оптическая плотность кристаллов -- оптические свойства -- температура -- температурная зависимость Аннотация: Исследованы монокристаллы ZnSe : Fe, полученные методом диффузионного легирования. Исследованы спектры оптической плотности в области энергий 0. 4-3 эВ. По величине смещения края поглощения определена концентрация железа в исследуемых кристаллах. Идентифицирована природа оптических переходов, определяющих оптические свойства монокристаллов ZnSe : Fe в видимой и ИК-области спектра. Диффузионный профиль примеси железа определен путем измерения относительной оптической плотности кристаллов в видимой области спектра. Рассчитаны коэффициенты диффузии железа в кристаллах ZnSe при температурах 1120-1320 K. При 1270 K коэффициент диффузии железа составляет 3x10{-10} см{2}/с. Доп.точки доступа: Ваксман, Ю. Ф.; Ницук, Ю. А.; Яцун, В. В.; Насибов, А. С.; Шапкин, П. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Упорядоченные массивы нанокристаллов кремния в SiO[2]: структурные, оптические, электронные свойства [Текст] / И. В. Антонова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 501-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- нк-Si -- облучение -- ионы -- тяжелые ионы -- квантовые точки -- КТ -- электрическая проводимость -- вольт-фарадные характеристики -- структурные свойства -- оптические свойства -- электронные свойства -- фотолюминесценция -- ФЛ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- отжиг -- температура отжига Аннотация: Обнаружено, что облучение слоев SiO[2], содержащих нанокристаллы кремния (нк-Si), тяжелыми ионами высоких энергий приводит к существенным структурным изменениям - формированию вертикально упорядоченных массивов нанокристаллов вдоль треков ионов. Следствием подобного воздействия является значительное изменение электрических (проводимости, вольт-фарадных характеристик) и оптических свойств (фотолюминесценции) слоев с нанокристаллами. Доп.точки доступа: Антонова, И. В.; Скуратов, В. А.; Jedrzejewski, J.; Balberg, I. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Фотопроводимость пленок гидрированного кремния с двухфазной структурой [Текст] / А. Г. Казанский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 513-516 : ил. - Библиогр.: с. 516 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрированные пленки -- пленки -- кремний -- двухфазные структуры -- фотопроводимость -- электрические свойства -- фотоэлектрические свойства -- оптические свойства -- нанокристаллические структуры -- комнатная температура -- нанокристаллы -- время жизни зарядов -- рекомбинация -- поглощение -- дефекты Аннотация: Исследованы электрические, фотоэлектрические и оптические свойства пленок гидрированного кремния с различным соотношением нанокристаллической и аморфной фаз в структуре материала. При переходе от аморфной к нанокристаллической структуре проводимость пленок при комнатной температуре возрастает более чем на 5 порядков величины. Изменение стационарной фотопроводимости при увеличении доли нанокристаллической составляющей в структуре пленок имеет немонотонный характер и определяется изменением подвижности и времени жизни носителей заряда. Введение малой доли нанокристаллов в аморфную матрицу приводит к уменьшению поглощения в "дефектной" области спектра и соответственно уменьшению концентрации дефектов типа оборванных связей, являющихся основными центрами рекомбинации носителей заряда в аморфном гидрированном кремнии. В то же время наблюдается уменьшение фотопроводимости в данных пленках, что может объясняться появлением новых центров, связанных с нанокристаллами и приводящих к уменьшению времени жизни неравновесных носителей заряда. Доп.точки доступа: Казанский, А. Г.; Теруков, Е. И.; Форш, П. А.; Kleider, J. P. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Бондарь, И. В. Оптические свойства твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x] [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 606-609 : ил. - Библиогр.: с. 609 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- CuInSe[2][1-x]2MnSe[x] -- кристаллы -- метод Бриджмена -- Бриджмена метод -- оптические свойства -- спектры пропускания -- пропускание -- температурная зависимость Аннотация: На кристаллах твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x]), выращенных методом Бриджмена, исследованы спектры пропускания в интервале температур 10-300 K. Определена ширина запрещенной зоны указанных материалов и построены ее температурные зависимости. Показано, что ширина запрещенной с ростом температуры уменьшается. Построены концентрационные зависимости ширины запрещенной зоны для твердых растворов (CuInSe[2]) [1-x] (2MnSe) [x]. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптические свойства нанопористого кремния, пассивированного железом [Текст] / О. Ю. Шевченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 669-673 : ил. - Библиогр.: с. 673 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопористый кремний -- НПК -- фотолюминесценция -- ФЛ -- оптические свойства -- электрохимическое травление -- метод электрохимического травления -- электролиз -- электролиты -- стандартные электролиты -- СЭ -- ионы железа -- реакции -- кремний Аннотация: Показано увеличение интенсивности фотолюминесценции и стабилизация свойств слоев нанопористого кремния, полученного методом электрохимического травления в водно-спиртовом растворе HF в присутствии ионов железа. Найдена оптимальная концентрация FeCl[3] в травящем растворе. Исследован процесс взаимодействия ионов железа с поверхностью кремния, характер и возможные продукты реакций, происходящих с участием кислорода и водорода. Доп.точки доступа: Шевченко, О. Ю.; Горячев, Д. Н.; Беляков, Л. В.; Сресели, О. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Вибронные свойства органических полупроводников на основе фталоцианиновых комплексов с несимметричным распределением электронной плотности [Текст] / И. А. Белогорохов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 795-800. : ил. - Библиогр.: с. 800 (25 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): органические полупроводники -- фталоцианиновые комплексы -- электронная плотность -- твердые пленки -- дифталоцианин -- трифталоцианин -- октахлорфталоцианинат -- третбутилфталоцианинат -- октабутилфталоцианинат -- оптические свойства -- вибронные свойства -- лантаниды -- несимметричное распределение электронной плотности Аннотация: Посвящена исследованию оптических свойств органических полупроводников на основе ди- и трифталоцианиновых комплексов лантанидов (III) с несимметричным распределением электронной плотности. Получены твердые пленки дифталоцианина {Cl}PcLu{tBu}Pc и трифталоцианина {Cl}PcEu{Bu}PcLu{Bu}Pc ({Cl}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октахлорфталоцианинат, {tBu}Pc=2 (3), 9 (10), 16 (17), 23 (24) -тетра- третбутилфталоцианинат, {Bu}Pc=2, 3, 9, 10, 16, 17, 23, 24-октабутилфталоцианинат) и исследованы их спектры пропускания в средней ИК-области. Расшифровка спектров пропускания показала, что усложнение структуры молекул фталоцианина приводит к тому, что в области 1400-1450 см{-1} изоиндольная группа может проявлять вибронные свойства в виде четырех линий поглощения. В дальней ИК-области обнаружены новые линии поглощения, наличие которых может быть связано с присутствием хлор-углеродных связей. Доп.точки доступа: Белогорохов, И. А.; Мартышов, М. Н.; Мамичев, Д. А.; Дронов, М. А.; Пушкарев, В. Е.; Рябчиков, Ю. В.; Форш, П. А.; Томилова, Л. Г.; Хохлов, Д. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Монолитный белый светодиод с активной областью на основе квантовых ям InGaN, разделенных короткопериодными InGaN/GaN-сверхрешетками [Текст] / А. Ф. Цацульников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 837-840. : ил. - Библиогр.: с. 840 (6 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- светодиоды -- монолитные светодиоды -- InGaN -- сверхрешетки -- барьерные слои -- оптические свойства Аннотация: Описан новый подход к созданию эффективных монолитных источников белого света, основанный на использовании в активной области светодиодных структур короткопериодной InGaN/GaN-сверхрешетки в качестве барьерного слоя между квантовыми ямами InGaN, излучающими в синей и желто-зеленой областях спектра. Исследованы оптические свойства таких структур и показано, что использование такой сверхрешетки позволяет реализовать эффективное излучение из активной области. Доп.точки доступа: Цацульников, А. Ф.; Лундин, В. В.; Сахаров, А. В.; Заварин, Е. Е.; Усов, С. О.; Николаев, А. Е.; Крыжановская, Н. В.; Синицын, М. А.; Сизов, В. С.; Закгейм, А. Л.; Мизеров, М. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследования оптических и структурных свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN для активной области светоизлучающих диодов [Текст] / Н. В. Крыжановская [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 857-863. : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (10 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- InGaN/GaN -- светоуизлучающие диоды -- оптические свойства -- подложки -- сапфировые подложки -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии Аннотация: Представлены результаты исследований структурных и оптических свойств короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN, синтезированных методом МОС-гидридной эпитаксии на сапфировых подложках. Для формирования сверхрешеток использовался метод периодического прерывания роста слоя InGaN с подачей водорода в реактор. Показано, что при использовании предложенного метода происходит формирование периодической структуры InGaN/GaN с развитыми интерфейсами и областями смыкания соседних слоев InGaN, не коррелированными в вертикальном направлении. Формирование таких областей приводит к сильной зависимости формы спектров излучения сверхрешеток от числа периодов в диапазоне 400-470 нм. Доп.точки доступа: Крыжановская, Н. В.; Лундин, В. В.; Николаев, А. Е.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Павлов, М. М.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Вальковский, Г. А.; Яговкина, М. А.; Усов, С. О. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптические свойства четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y] [Текст] / А. Ю. Егоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 886-890. : ил. - Библиогр.: с. 889-890 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- полупроводниковые твердые растворы -- GaN[x]As[y]P[1-x-y] -- подложки -- фотолюминесценция -- ФЛ -- спектроскопия -- температура жидкого азота -- сравнительный анализ -- спектры фотолюминесценции -- температурные зависимости -- выражение Варшни -- Варшни выражение Аннотация: Исследования оптических свойств четверных полупроводниковых твердых растворов GaN[x]As[y]P[1-x-y], выращенных на поверхности подложки GaP (100), проведены методами спектроскопии фотолюминесценции в температурном диапазоне 20-300 K и возбуждения люминесценции при температуре жидкого азота. В ходе выполнения работы исследовались твердые растворы GaN[x]As[y]P[1-x-y] с величинами мольных долей азота x и мышьяка y в диапазонах 0. 006-0. 012 и 0. 00-0. 18 соответственно. Проведен сравнительный анализ полученных данных и установлены зависимости энергетического положения максимума линии фотолюминесценции от элементного состава четверного твердого раствора. При исследовании фотолюминесценции в диапазоне 20-300 K наблюдалось существенное отличие температурной зависимости положения максимума фотолюминесценции от закономерности, описываемой выражением Варшни. Доп.точки доступа: Егоров, А. Ю.; Крыжановская, Н. В.; Пирогов, Е. В.; Павлов, М. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Использование короткопериодных сверхрешеток InGaN/GaN в светодиодах синего диапазона [Текст] / В. С. Сизов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 955-961. : ил. - Библиогр.: с. 960-961 (9 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): сверхрешетки -- короткопериодные сверхрешетки -- КПСР -- InGaN/GaN -- светодиодные структуры -- светодиоды синего диапазона -- квантовые точки -- КТ -- квантовые ямы -- оптические свойства -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- электролюминесценция Аннотация: Исследованы оптические и светодиодные диодные структуры с активной областью InGaN, содержащие короткопериодные сверхрешетки InGaN/GaN. Показано, что короткопериодные сверхрешетки представляют собой тонкие двумерные слои с относительно малым содержанием индия, содержащие в себе включения толщиной 1-3 нм с высоким содержанием индия. Включения проявляют себя с точки зрения оптических свойств как неоднородный массив квантовых точек, заключенный в остаточную квантовую яму. Применение короткопериодных сверхрешеток в светодиодных структурах позволяет уменьшить концентрацию безызлучательных центров, а также повысить инжекцию носителей в активной области за счет увеличения эффективной высоты барьера AlGaN, что в целом приводит к повышению квантовой эффективности светодиодов. Доп.точки доступа: Сизов, В. С.; Цацульников, А. Ф.; Сахаров, А. В.; Лундин, В. В.; Заварин, Е. Е.; Черкашин, Н. А.; Hytch, M. J.; Николаев, А. Е.; Минтаиров, А. М.; Yan He; Merz, J. L. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |