Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (ламбда[cut off]=4. 5 мкм) [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 3. - С. 412-417
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флип-чип фотодиоды -- кванты с высокими энергиями -- легированные подложки -- эффект Мосса-Бурштейна -- Мосса-Бурштейна эффект -- глубокая меза травления -- омические контакты Аннотация: Проведен анализ инфракрасных "собственных" и в отраженных лучах изображений флип-чип фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAsSb/n\{+\}-InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещении p-n-перехода, произведена оценка коэффициентов отражения от омических контактов. Обсуждается влияние глубины травления мезы и степени легирования подложек n\{+\}-InAs на спектральные характеристики и чувствительность фотодиодов, освещаемых со стороны n\{+\}-InAs в диапазоне 2. 7-4. 5 мкм. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Черняков, А. Е. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 904-908 : ил. - Библиогр.: с. 908 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- омические контакты -- высокотемпературный отжиг -- структурные контакты -- металлизация -- примесные атомы кислорода -- радиационно-термическая обработка -- массоперенос -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- радиационные воздействия -- радиационно-термическая обработка Аннотация: Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов {60}Co в диапазоне доз 4х10[6]-2х10[7] Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействия не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700{o}C приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2х10[7] Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.; Свешников, Ю. Н. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Бланк, Т. В. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А. |
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В. |
Механизм протекания тока в омическом контакте к n-4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44. N 4. - С. 482-485 : ил. - Библиогр.: с. 484-485 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- n-4H-SiC -- протекание тока -- сопротивление -- термоэлектронная эмиссия -- постоянная Ричардсона -- Ричардсона постоянная -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- температура Аннотация: Изучалось протекание тока в омическом контакте In-n-4H-SiC (n~3·10{17} см{-3}) на основании зависимости сопротивления контакта, приведенного к единице площади, от температуры. Установлено, что основным механизмом протекания тока является термоэлектронная эмиссия через барьер ~0. 1 эВ. При этом эффективная постоянная Ричардсона оказалась равной ~2x10{-2} А/см{2}xK. Доп.точки доступа: Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А.; Солдатенков, Ф. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 775-781. : ил. - Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- температурные зависимости -- быстрая термическая обработка -- БТО -- микроволновая обработка -- комнатная температура -- термообработка -- термическая обработка -- микроволновые излучения -- металлическая проводимость Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Витусевич, С. А.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кашин, С. М. Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1563-1567. : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи. Доп.точки доступа: Сатанин, А. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1607-1614. : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности стационарной фотопроводимости высокоомных полупроводников при локальном освещении [Текст] / А. П. Лысенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 12. - С. 142-149 : рис., табл. - Библиогр.: c. 149 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- высокоомные полупроводники -- локальное освещение -- омические контакты -- теллурид кадмия -- фотопроводимость полупроводников Аннотация: Явление фотопроводимости давно и хорошо изучено. Однако в подавляющем большинстве работ фотопроводимость полупроводников исследовалась при освещении всей поверхности образцов. В данной работе исследовалось влияние локальной засветки, обеспечивающей высокий уровень инжекции свободных носителей заряда на проводимость образцов высокоомного теллурида кадмия и полуизолирующего арсенида галлия и на свойства омических контактов к образцам. Обнаружено, что независимо от области засветки снижается значение переходного сопротивления омических контактов и пропорционально интенсивности облучения в образце растет концентрация основных носителей заряда. При этих исследованиях обнаружился целый ряд не известных ранее эффектов, интересных с точки зрения физики, обсуждению которых и посвящена данная работа. Доп.точки доступа: Лысенко, А. П.; Белов, А. Г.; Каневский, В. Е.; Одинцова, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 73-78 : рис., табл. - Библиогр.: с. 77-78 (53 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): HTMТ-транзисторы -- металлизация -- многослойная металлизация -- невыпрямляющие контакты -- нитрид галлия -- обработка поверхности -- омические контакты -- твердые растворы AlInGaN -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga) N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Вилисова, М. Д.; Великовский, Л. Э.; Сим, П. Е.; Брудный, П. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |