Применение рефлекторов из ITO/Al для повышения эффективности монокристаллических кремниевых фотопреобразователей [Текст] / В. Р. Копач [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 801-806. : ил. - Библиогр.: с. 806 (26 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФЭП -- однопереходные преобразователи -- ОП ФЭП -- многопереходные преобразователи -- МП ФЭП -- кремниевые преобразователи -- монокристаллические преобразователи -- тыльно-поверхностные рефлекторы -- ТПР -- оксид индия-олова -- ITO -- экспериментальные исследования Аннотация: Показано, что для повышения эффективности работы и технологичности изготовления однопереходных монокристаллических кремниевых фотоэлектрических преобразователей солнечной энергии необходимо использовать тыльно-поверхностный рефлектор на основе проводящего прозрачного оксида индия-олова (ITO) толщиной 0. 25-2 мкм. Для повышения кпд и снижения чувствительности к углу падения света на фотоприемную поверхность многопереходных фотоэлектрических преобразователей с вертикальными диодными ячейками на основе монокристаллического кремния необходимо создать вдоль вертикальных границ диодных ячеек рефлекторы из ITO/Al с толщиной слоя ITO более 1 мкм. Проведенные экспериментальные исследования многопереходных фотоэлектрических преобразователей с рефлекторами ITO/Al на границах диодных ячеек показали необходимость модернизации используемой технологии формирования слоев ITO для получения теоретически рассчитанной их толщины. Доп.точки доступа: Копач, В. Р.; Кириченко, М. В.; Хрипунов, Г. С.; Зайцев, Р. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электромагнитные характеристики композиционных покрытий с ITO-наполнителем [Текст] / Т. Д. Малиновская [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 9. - С. 168-169 : рис. - Библиогр.: c. 169 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): ITO-наполнители -- дисперсные материалы -- диэлектрическая проницаемость -- комплексная диэлектрическая проницаемость -- оксид индия-олова -- полиуретан -- полупроводники n-типа -- радиопоглощающее покрытие -- сверхширокий диапазон -- электромагнитные характеристики покрытий -- электромагнитный отклик Аннотация: Изучены электромагнитные характеристики композиционных покрытий с ITO-наполнителем. Доп.точки доступа: Малиновская, Т. Д.; Сусляев, В. И.; Журавлев, В. А.; Мелентьев, С. В.; Коровин, Е. Ю.; Дорожкин, К. В.; Жек, В. В.; Павлов, С. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |