Антиструктурные дефекты в кристаллах InP и InPSn, облученных гамма-квантами [Текст] / М. И. Алиев [и др. ] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 5. - С. 5-7 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термолюминесценция -- люминесценция -- монокристаллы -- гамма-кванты -- облученные гамма-кванты -- легированные оловом монокристаллы -- ИК-спектроскопия -- антиструктурные дефекты -- примесные дефекты донорного типа -- облученные кристаллы -- полупроводниковые соединения Аннотация: Методом термолюминесценции в легированных оловом и облученных гамма-квантами монокристаллах InP обнаружен пик люминесценции при 230 К с энергией активации 0, 19 эВ, приписанный комплексу "вакансия - антиструктурный примесный дефект донорного типа". Доп.точки доступа: Алиев, М. И.; Рашидова, Ш. Ш.; Гусейнова, М. А.; Гаджиева, Н. Н. |
Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1017-1020. : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Раджабов, Е. А. Радиолиз кристаллов LaF[3] с примесью редкоземельных элементов [Текст] / Е. А. Раджабов // Оптика и спектроскопия. - 2016. - Т. 121, № 4. - С. 531-535 : граф., ил., табл. - Библиогр.: с. 535 (14 назв.). - Доклад, представленный на XVI Международном Феофиловском симпозиуме по спектроскопии кристаллов, активированных ионами редкоземельных и переходных металлов . - ISSN 0030-4034
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): радиолиз -- кристаллы -- фторид лантана -- редкоземельные элементы -- спектры поглощения -- беспримесные фториды -- фториды с примесями -- облученные кристаллы -- анионные вакансии -- квантово-химические расчеты Аннотация: Исследованы спектры поглощения кристаллов LaF[3], беспримесных и с примесью редкоземельных фторидов. По виду спектров поглощения облученных кристаллов все примеси делятся на две группы. В спектрах кристаллов с примесями Nd, Sm, Tm, Yb обнаруживаются cлабые полосы, которые принадлежат центрам RE{2+} - анионная вакансия. В спектрах LaF[3] с примесями Y, Ce, Pr, Gd, Td, Dy, Ho, Er, Lu обнаружены полосы сравнимой интенсивности, которые можно приписать центрам RE{3+}-F. Предварительные квантово-химические расчеты и оценки энергии уровней в зонной схеме подтверждают этот вывод. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |