Гуртовой, В. Г. Влияние электронного и gamma-облучения на упругие характеристики кристаллов KTiOPO[4] [Текст] / В. Г. Гуртовой, А. У. Шелег // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 11. - С. 2180-2182. - Библиогр.: с. 2182 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): кристаллография -- оптически нелинейные кристаллы -- сегнетоэлектрики -- ионизирующие излучения -- облучение кристаллов -- эхо импульсные методы измерения -- модули упругости -- кристаллы Аннотация: Эхо-импульсным методом измерены модули упругости C[11] и C[33] необлученных и облученных электронами и gamma-квантами кристаллов KTiOPO[4] в области температур 100-330 K. Показано, что C[11] меньше C[33] и с ростом температуры их значения плавно уменьшаются, а в области температуры фазового перехода (ФП) второго рода при Tпримерно 281 K на кривых C[11]=f (T) и C[33]=f (T) наблюдаются аномалии в виде излома. Установлено, что в результате облучения электронами значения упругих модулей уменьшаются, а температура ФП растет. Облучение кристаллов KTiOPO[4] gamma-квантами дозой 10{7} R не оказывает существенного влияния на динамические характеристики этого кристалла. Доп.точки доступа: Шелег, А. Г. |
Ярыкин, Н. А. Взаимодействие примеси меди с радиационными дефектами в легированном бором кремнии [Текст] / Н. А. Ярыкин, J. Weber // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1017-1020. : ил. - Библиогр.: с. 1020 (13 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- примеси меди -- радиационные дефекты -- легирование бором -- монокристаллы кремния -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- облучение кристаллов -- облученные кристаллы -- диффузия меди -- концентрационные профили -- дивакансии -- уровни дивакансии Аннотация: Изучается спектр глубоких уровней, формирующихся в легированных бором монокристаллах кремния, выращенных методом Чохральского, в результате взаимодействия радиационных дефектов и примеси меди. Показано, что, независимо от порядка введения дефектов (как при низкотемпературной диффузии меди в предварительно облученные электронами кристаллы, так и при облучении загрязненных медью образцов), возникает один и тот же набор глубоких уровней. В дополнение к обычным радиационным дефектам в медьсодержащих кристаллах выявлены три уровня. Это уже упоминавшийся в литературе центр E[v]+0. 49 эВ, а также ранее не связываемые с медью уровень E[v]+0. 51 эВ и уровень, близкий к донорному уровню дивакансии. На основе анализа концентрационных профилей межузельная пара углерод--кислород исключена из возможных прекурсоров медьсодержащего центра E[v]+0. 49 эВ. Доп.точки доступа: Weber, J. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
О влиянии энергии электронов на характеристики излучения Вавилова - Черенкова и импульсной катодолюминесценции [Текст] / В. Ф. Тарасенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 7. - С. 79-88. - Библиогр.: с. 88 (34 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): Вавилова - Черенкова излучение -- алмаз -- влияние энергии электронов -- воздействие пучком электронов -- высокоэнергетические электроны -- детекторы пучков высокоэнергетических электронов -- идентификация алмазов -- излучение Вавилова - Черенкова -- импульсная катодолюминесценция -- кварц -- лейкосапфир -- облучение кристаллов -- облучение полиметилметакрилата -- пучки электронов Аннотация: Сделан обзор результатов исследований излучения Вавилова - Черенкова (ИВЧ) и импульсной катодолюминесценции при облучении различных кристаллов и полиметилметакрилата (ПММА) пучками электронов субнаносекундной и наносекундной длительности. Представлены расчеты, демонстрирующие влияние энергии электронов и показателя преломления вещества на интенсивность ИВЧ и его спектр, а также на пространственные характеристики излучения. Приведены экспериментальные результаты по наблюдению ИВЧ при энергии электронов E до 400 кэВ. Показано, что увеличение E позволяет зарегистрировать ИВЧ в алмазе, лейкосапфире и кварце КУ1 с помощью стандартного спектрометра. Установлено, что в ПММА из-за поглощения излучения в области короче 300-350 нм, а также из-за внутреннего пробоя образцов вследствие накопления в них электронов при больших плотностях тока пучка или (и) длительностях импульсов, регистрация ИВЧ затруднена, даже с помощью монохроматора и ФЭУ. Даются рекомендации по созданию датчиков пучков убегающих электронов в установках типа ТОКАМАК. Доп.точки доступа: Тарасенко, В. Ф.; Бакшт, Е. Х.; Белоплотов, Д. В.; Бураченко, А. Г.; Ерофеев, М. В.; Липатов, Е. И.; Ломаев, М. И.; Олешко, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |