Ионычев, В. К. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов [Текст] / В. К. Ионычев, А. Н. Ребров // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 7. - С. 980-984 : ил. - Библиогр.: с. 984 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- кремниевые диоды -- лавинные диоды -- эпитаксиальные диоды -- глубокие центы -- ГК -- микроплазменные каналы -- микроплазмы -- микроплазменные пробои -- пробои микроплазмы -- p-n переходы -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Проведено исследование статистической задержки пробоя микроплазмы в кремниевых эпитаксиальных p-n-переходах. Показано, что при изменении зарядового состояния глубоких центров снижением напряжения на p-n-переходе статистическая задержка микроплазменного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров. В температурном диапазоне 100-220 K обнаружено четыре глубоких уровня, и определены их параметры. Доп.точки доступа: Ребров, А. Н. |
Торхов, Н. А. Влияние периферии контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки на их статические вольт-амперные характеристики [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 615-627 : ил. - Библиогр.: с. 626-627 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- контакты металл-полупроводник -- КМП -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- электростатические потенциалы -- золотые контакты -- контактная разность потенциалов -- КРП -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- периферийные области -- диэлектрические пленки -- электрические поля -- электрофизические свойства Аннотация: Исследование методом Кельвина атомно-силовой микроскопии электростатического потенциала поверхности золотых контактов с барьером Шоттки на n-GaAs показало, что вокруг контактов существует протяженная на десятки мкм переходная область (ореол), в которой поверхностный потенциал изменяется от потенциала свободной поверхности n-GaAs до потенциала поверхности золотого контакта. Потенциал контакта и распределение потенциала в окружающем его ореоле определяются конструкцией контакта. Исследования токов растекания показали, что за счет сильных электрических полей ореола по периметру контакта существует высокопроводящая область (периферия), приводящая к появлению токов утечки. Проводимость основной площади контакта обусловлена локальными областями 100-200 нм с повышенной и пониженной проводящими способностями. Формирование вокруг контактов мезы приводит к уменьшению работы выхода, уменьшению протяженности ореола и напряженности электрического поля в нем, что сопровождается размытием и понижением проводимости периферийной области. Это приводит к исчезновению токов утечки и уменьшению показателя идеальности. Защита периферийной области контакта диэлектрической пленкой SiO[2] толщиной 0. 5 мкм, напротив, увеличивает работу выхода, что сопровождается образованием вокруг контакта ориентированных по двум взаимно перпендикулярным кристаллографическим направлениям лепестков потенциала. Более сильное проникновение электрических полей ореола в область контакта приводит к увеличению показателя идеальности, исчезновению высокопроводящей периферийной области и токов утечки. Различие электрофизических свойств периферии, зерен золота и их границ определяет механизм включения контакта при подаче прямого или обратного смещений. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Торхов, Н. А. Природа прямых и обратных токов насыщения в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 767-774. : ил. - Библиогр.: с. 774 (20 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- металл-проводник -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод Кельвина -- Кельвина метод -- контактная разность потенциалов -- КРП Аннотация: Сильная зависимость токов насыщения прямых и обратных вольт-амперных характеристик высокобарьерных (>0. 6 В) контактов металл-полупроводник с барьером Шоттки от их диаметра D определяется встроенным и сонаправленным с собственным электрическим полем контакта дополнительным электрическим полем, которое образуется под влиянием периферии контакта. Это поле препятствует движению электронов через контакт при подаче на него прямого смещения. Увеличение диаметра контактов от 5 до 700 мкм приводит к уменьшению различия прямых и обратных токов насыщения с пяти порядков практически до нуля. Увеличение диаметра контакта, таким образом, приводит к уменьшению влияния периферии и уменьшению абсолютного значения встроенного электрического поля. Уменьшение высоты барьера (<0. 6 В для D=5 мкм) также приводит практически к полному совпадению прямых и обратных токов насыщения. На обратных ветвях вольт-амперных характеристик влияние встроенного поля проявляется в значительном уменьшении эффективной высоты потенциального барьера вследствие уменьшения его ширины вблизи вершины и значительного увеличения полевой эмиссии электронов через барьер при более низких значениях энергии. На прямых ветвях это проявляется практически в полном отсутствии прямых токов при малых смещениях. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Статистический метод релаксационной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках [Текст] / Е. А. Татохин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1031-1037. : ил. - Библиогр.: с. 1037 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокие уровни -- ГУ -- релаксационная спектроскопия глубоких уровней -- РСГУ -- DLTS -- метод релаксационной спектроскопии -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- запрещенные зоны -- изометрическая релаксация емкости -- ИРЕ -- статистические методы -- статистический анализ Аннотация: Метод релаксационной спектроскопии является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящих к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. С целью повышения точности определения концентрации и параметров глубоких уровней, определяющих характер изотермической релаксации емкости, предложен статистический метод обработки результатов измерений изотермической релаксации емкости, основанный на алгоритме статистического поиска решения. Доп.точки доступа: Татохин, Е. А.; Каданцев, А. В.; Бормонтов, А. Е.; Задорожный, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Эффективные фотоэлектрические преобразователи ультрафиолетового излучения на основе ZnS и CdS с низкоомными поверхностными слоями [Текст] / Ю. Н. Бобренко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1114-1117. : ил. - Библиогр.: с. 1117 (14 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотоэлектрические преобразователи -- фотопреобразователи -- ФП -- поверхностно-барьерные фотопреобразователи -- ультрафиолетовое излучение -- УФ излучение -- низкоомные поверхностные слои -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- туннельно-комбинированные токи -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- гетеропереходы -- p-n переходы -- фоточувствительность Аннотация: Формирование в области пространственного заряда поверхностно-барьерных фотопреобразователей Cu[1. 8]S-CdS и Cu[1. 8]S-ZnS тонких высокоомного и низкоомного слоев приводит к существенному увеличению фоточувствительности и снижению темновых туннельно-рекомбинационных токов. Получены высокоэффективные и стабильные фотопреобразователи ультрафиолетового излучения на основе CdS и ZnS. Исследованы электрические и фотоэлектрические свойства и приведены основные эксплуатационные параметры фотопреобразователей ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Бобренко, Ю. Н.; Павелец, С. Ю.; Павелец, А. М.; Киселюк, М. П.; Ярошенко, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кюрегян, А. С. Краевые инверсионные каналы и поверхностные токи утечки в высоковольтных полупроводниковых приборах [Текст] / А. С. Кюрегян // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 372-378. : ил. - Библиогр.: с. 377-378 (9 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): краевые каналы -- поверхностные токи -- высоковольтные полупроводниковые приборы -- электрические поля -- напряженность поля -- поверхность фаски -- заряды -- МДП транзистор -- p-n-p структуры -- пороговое напряжение -- поверхностные утечки (физика) -- область пространственного заряда -- ОПЗ Аннотация: Показано, что электрическое поле над поверхностью полупроводниковых приборов может оказаться достаточным для того, чтобы индуцировать краевые инверсионные каналы, если напряжение смещения велико, а плотность поверхностного заряда Q[s] мала. В этом случае краевая область приборов, содержащих p-n-p-структуру (например, тиристоров), функционирует как планарный p-канальный МДП транзистор, у которого затвор совмещен со стоком, а функцию подзатворного диэлектрика выполняет вся среда над поверхностью. Ток между истоком и стоком этого "краевого МДП транзистора" является током поверхностной утечки всего прибора. Построена аналитическая теория, описывающая вольт-амперную характеристику в подпороговом режиме. Показано, что этот новый механизм определяет полный ток утечки высоковольтных приборов, если |Q[s]| и температура T достаточно малы (|Q[s]|<4 нКл/см{2}, T<270 K для кремниевых и |Q[s]|<58 нКл/см{2}, T<600 K для карбид-кремниевых приборов). Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дифференциальное сопротивление области пространственного заряда МДП-структур на основе варизонного МЛЭ n-Hg_(1-x)Cd_xTe (x = 0.23) в широком диапазоне температур [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 102-109 : рис. - Библиогр.: c. 108-109 (24 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Кабельные изделия Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): HgCdTe -- МДП-структуры -- дифференциальное сопротивление -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- область пространственного заряда -- полная проводимость -- проводимость МДП-структур Аннотация: Полная проводимость МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg[1-x]Cd[x]Te (x = 0. 23), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии, исследована в диапазоне температур 8-150 К при частотах переменного тестового сигнала 2 кГц - 2 МГц. Установлено, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структур с приповерхностным варизонным слоем с повышенным содержанием CdTe значительно увеличивается при снижении температуры от 77 до 8 К, а для структур без варизонного слоя изменения дифференциального сопротивления области пространственного заряда немонотонны и относительно невелики. Полученные результаты можно объяснить тем, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для структуры без варизонного слоя ограничено при 8-77 К процессами туннелирования через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - процессами генерации Шокли - Рида. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Кузьмин, В. Д.; Ремесник, В. Г. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурные зависимости произведения дифференциального сопротивления на площадь в МДП-структурах на основе Cd[x]Hg[1 - x]Te, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии на альтернативных подложках из Si и GaAs [Текст] / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 2. - С. 141-150 : рис., табл. - Библиогр.: c. 149-150 (31 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): CdHgTe -- GAAS -- SI -- МДП-структура -- адмиттанс -- альтернативные подложки -- варизонный слой -- дифференциальное сопротивление -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- область пространственного заряда -- темновой ток Аннотация: В диапазоне температур 9-200 К экспериментально исследованы температурные зависимости дифференциального сопротивления области пространственного заряда в режиме сильной инверсии для МДП-структур на основе Cd[x]Hg[1 - x]Te (x = 0. 22-0. 40), выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Изучено влияние на величину произведения дифференциального сопротивления на площадь различных параметров структур: состава рабочего слоя, типа подложки, типа диэлектрического покрытия, наличия приповерхностного варизонного слоя. Показано, что значения произведения R[ОПЗ]{A} для МДП-структур на основе n-CdHgTe, выращенного на подложке из Si (013), меньше, чем для структур на основе материала, выращенного на подложке из GaAs (013). Значения R[ОПЗ]{A} для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из Si (013), сравнимы со значением аналогичного параметра для МДП-структур на основе p-CdHgTe, выращенного на подложке из GaAs (013). Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Васильев, В. В.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Якушев, М. М.; Сидоров, Г. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование контактных явлений на границе раздела PZT-Pt методом наведенного тока [Текст] / А. Н. Антонович [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2018. - Т. 82, № 3. - С. 387-389. - Библиогр.: c. 389 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): граница раздела PZT-Pt -- контактные явления -- метод наведенного тока -- область пространственного заряда Аннотация: Представлены результаты исследований контактных явлений на границе раздела PZT-Pt. Показана возможность прямой регистрации области пространственного заряда (ОПЗ) вблизи границы раздела PZT-Pt методом наведенного тока. Установлена зависимость изменения ширины ОПЗ от внешнего напряжения смещения. Доп.точки доступа: Антонович, А. Н.; Петрушин, А. А.; Лапин, Д. Г.; Подгорный, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |