Косарев, В. В. Энергетический спектр носителей заряда в сплавах Bi[1-x]Sb[x] [Текст] / В. В. Косарев // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып: вып. 11. - С. 1981-1983. - Библиогр.: с. 1983 (8 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): квантовые осцилляции магнитосопротивления -- Лифшица переход -- магнитосопротивление -- носители заряда -- переход Лифшица -- седловая точка -- сплавы -- термоэдс -- Шубникова - де Гааза эффект -- электронно-топологический переход -- энергетические спектры -- эффект Шубникова - де Гааза Аннотация: Исследования квантовых осцилляций магнитосопротивления (эффект Шубникова - де Газа) на сплавах Bi[1-x]Sb[x] с содержанием сурьмы 0. 255 |
Шеховцов, Н. А. Зависимость емкости германиевых p\{+\}-p-переходов от тока в области температур 290-330 K [Текст] / Н. А. Шеховцов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 4. - С. 456-459
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): детекторы СВЧ-излучения -- носители заряда -- микроэлектронные схемы -- полупроводниковые приборы -- никель -- индий Аннотация: Исследована зависимость дифференциальной емкости от тока германиевых p\{+\}-p-переходов с удельным сопротивлением p-области 45, 30 и 10 Ом х см в области температур 290-350 K. Показано, что характер зависимости емкости p\{+\}-p-перехода от тока изменяется при увеличении температуры перехода. При температуре 290 K емкость с ростом обратного тока уменьшается и изменяет знак с положительного на отрицательный, а с ростом прямого тока увеличивается. При температуре 330 K емкость с ростом обратного тока уменьшается до минимума с положительным значением, а с ростом прямого тока изменяет знак на отрицательный. При температуре 310 K емкость p\{+\}-p-перехода может изменять знак с положительного на отрицательный с ростом прямого и обратного тока. Полагается, что положительная и отрицательная емкость p\{+\}-p-перехода обусловлена изменением заряда в области перехода внешним напряжением. |
Переходная электролюминесценция и аномальная дисперсия носителей заряда в тонких полимерных пленках 1840 [Текст] / А. Р. Тамеев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1840-1845. - Библиогр.: с. 1845 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электролюминесценция -- дисперсия носителей заряда -- тонкие полимерные пленки -- органические светодиоды -- носители заряда -- аномальные дисперсии Аннотация: Исследованы электролюминесценция и транспорт носителей заряда в органическом светодиоде на основе тонкой полимерной пленки. Выполнен теоретический анализ начальной кинетики переходной электролюминесценции. Как расчетные, так и экспериментальные кривые характеризуются аномальной дисперсией и универсальностью, что можно считать следствием неравновесной стимулированной полем дисперсии носителей заряда. Показано, что дрейфовую подвижность носителей заряда следует определять исходя из времени, соответствующего полувысоте установившейся интенсивности излучения, а не из времени задержки электролюминесценции. Доп.точки доступа: Тамеев, А. Р.; Никитенко, В. Р.; Лыпенко, Д. А.; Ванников, А. В. |
Аванесян, В. Т. Прыжковая проводимость в поликристаллических фотопроводящих слоях Pb[3]O[4] [Текст] / В. Т. Аванесян, С. А. Потачев, Е. П. Баранова // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 11. - С. 1538-1540 : ил. - Библиогр.: с. 1540 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): слои -- поликристаллические слои -- фотопроводящие слои -- Pb[3]O[4] -- свинцовый сурик -- проводимость -- прыжковая проводимость -- теория Мотта -- Мотта теория -- электроперенос -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- носители заряда -- НЗ -- температура -- электрический перенос Аннотация: В поликристаллических слоях Pb[3]O[4] изучена проводимость на переменном токе в интервале частот f=10{2}-10{5} Гц и диапазоне температур 293-370 K в темновом и световом режимах измерения. Обсуждаются особенности процесса переноса заряда. Анализ экспериментальных данных в рамках теории Мотта показывает, что проводимость отвечает прыжковому механизму и имеет место электроперенос в запрещенной зоне вблизи уровня Ферми. Для различных значений температуры определены микропараметры, определяющие процесс проводимости, такие как плотность локальных состояний и средняя длина прыжка носителей заряда. Доп.точки доступа: Потачев, С. А.; Баранова, Е. П. |
Коржавый, А. П. Процессы переноса в наноструктурах Ве-ВеО: моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом [Текст] / А. П. Коржавый, В. П. Марин, Д. К. Никифоров // Наукоемкие технологии. - 2007. - Т. 8. N 4. - С. 4-10 : ил. - Библиогр.: с. 10 (14 назв. ) . - ISSN 1999-8465
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): процессы переноса -- наноструктуры Ве-ВеО -- Ве-ВеО -- моделирование инжекционных токов -- инжекционные токи -- пространственные заряды -- нанопленочные структуры -- оксидные слои -- свободные носители заряда -- металлы -- физические параметры -- диэлектрик BeO -- BeO -- носители заряда Аннотация: Проведено компьютерное моделирование инжекционных токов, ограниченных пространственным зарядом, в нанопленочных структурах Ве-ВеО; показано, что проводимость оксидного слоя определяется свободными носителями заряда, инжектированными из металла и не захваченными ловушками; на основании конкретных значений физических параметров диэлектрика ВеО построены модели тока, ограниченного пространственным зарядом, и зависимости инжекционного тока от приложенного напряжения и толщины оксидного слоя. Доп.точки доступа: Марин, В. П.; Никифоров, Д. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структурные закономерности механизма фотогенерации свободных носителей заряда в рядах элементосодержащих полидисалицилиденазометинов [Текст] / Е. Л. Александрова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 660-668 : ил. - Библиогр.: с. 667 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полидисалицилиденазометины -- ПСАМ -- фотофизические свойства -- переходные металлы -- донорно-акцепторное взаимодействие -- Д-А взаимодействие -- ультрафиолетовые спектры -- УФ спектры -- инфракрасные спектры -- ИК спектры -- фотогенерация -- носители заряда -- фоточувствительность -- спектры поглощения -- полимеры -- ядерный магнитный резонанс -- ЯМР -- комплексный перенос заряда -- КПЗ -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР Аннотация: Исследованы фотофизические свойства новых политетра- и полидисалицилиденазометинов (ПСАМ), содержащих в цепи атомы Si, Ge и Sn или атомы переходных металлов, а также некоторых других двухвалентных металлов. На основании данных ультрафиолетовых и инфракрасных спектров установлено, что в полимерах реализуется нековалентное трансаннулярное донорно-акцепторное взаимодействие N->M (M-полуметалл или металл), приводящее к образованию в полимерной цепи 6-членных циклов. В результате возникают в ПСАМ полисопряжения по "неклассическому" механизму. Благодаря множественным донорно-акцепторным взаимодействиям неподеленных электронных пар азометиновых групп с вакантными d-орбиталями в металлах полимеры обладают электропроводящими, светочувствительными и фотопроводящими свойствами. Фоточувствительность и квантовый выход фотогенерации свободных носителей заряда для ПСАМ близки к величинам, характерным для классических проводящих полимеров. Показано, что свойства ПСАМ определяются структурой азометинового фрагмента и акцепторными свойствами металла. Предложен механизм фотогенерации свободных носителей заряда. Доп.точки доступа: Александрова, Е. Л.; Иванов, А. Г.; Геллер, Н. М.; Шаманин, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурная делокализация носителей заряда в полупроводниковых лазерах [Текст] / С. О. Слипченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - С. 688-693 : ил. - Библиогр.: с. 692-693 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- лазерные гетероструктуры -- ватт-амперные характеристики -- температурная делокализация -- делокализация -- асимметричные гетероструктуры -- носители заряда -- волноводы -- полупроводниковые лазеры -- лазеры -- квантовые ямы -- излучательные характеристики Аннотация: Исследованы температурные зависимости излучательных характеристик лазерных диодов на основе асимметричных гетероструктур раздельного ограничения с расширенным волноводом. Установлено, что в непрерывном режиме генерации основным механизмом насыщения ватт-амперной характеристики с ростом температуры является увеличение концентрации носителей заряда в волноводном слое. Экспериментально показано, что температурная делокализация носителей заряда ведет к росту величины внутренних оптических потерь и падению внешней дифференциальной квантовой эффективности. Продемонстрировано, что степень делокализации носителей заряда зависит от температурного распределения носителей заряда, пороговой концентрации и глубины квантовой ямы. Рассмотрено влияние толщины и энергетической глубины квантовой ямы на температурную чувствительность порогового тока и выходной оптической мощности. Доп.точки доступа: Слипченко, С. О.; Шашкин, И. С.; Вавилова, Л. С.; Винокуров, Д. А.; Лютецкий, А. В.; Пихтин, Н. А.; Подоскин, А. А.; Станкевич, А. Л.; Фетисова, Н. В.; Тарасов, И. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Иванов, П. А. Бистабильный низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа [Текст] / П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 7. - С. 902-904. : ил. - Библиогр.: с. 904 (10 назв. )
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- бистабильный примесной пробой -- низкотемпературный примесной пробой -- акцепторные атомы алюминия -- носители заряда -- подложки -- диодные структуры Аннотация: Измерены низкотемпературные (77 K) прямые вольт-амперные характеристики мезаэпитаксиальных диодных структур p{+}-p-n-n (подложка) на основе 4H-SiC. Измеренные вольт-амперные характеристики проявляют S-образный характер, который интерпретируется как бистабильный примесный пробой акцепторных атомов алюминия с вымороженными на примеси носителями заряда. Доп.точки доступа: Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности механизма переноса заряда в структурах на основе тонких слоев триселенида мышьяка, модифицированных висмутом [Текст] / Н. И. Анисимова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1038-1041. : ил. - Библиогр.: с. 1041 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- As[2]Se[3] -- триселенид мышьяка -- носители заряда -- НЗ -- халькогенидные стеклообразные полупроводники -- ХСП -- висмут -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- перенос заряда -- электронные процессы -- контактная емкость -- локализованные состояния -- контактные области -- аккумуляция зарядов Аннотация: Проведено исследование влияния количества вводимой примеси висмута на процессы переноса и накопления заряда в аморфных слоях As[2]Se[3]. Обнаружена связь между релаксационными процессами переноса и изменением внутренней структуры исследуемых материалов. В изученных слоях определены физические параметры, характеризующие протекающие электронные процессы: контактная емкость, плотность локализованных состояний, ответственных за аккумуляцию зарядов в контактной области, постоянная зарядка контактной области, подвижность носителей зарядов. Обсуждаются механизмы наблюдаемых эффектов. Доп.точки доступа: Анисимова, Н. И.; Бордовский, В. А.; Грабко, Г. И.; Кастро, Р. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Рассеяние электронов на акцепторных центрах в p-Ag[2]Te при низких температурах [Текст] / Ф. Ф. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1042-1045. : ил. - Библиогр.: с. 1045 (12 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Наблюдалось резонансное рассеяние электронов в p-Ag[2]Te при концентрациях акцепторов N[a]< 4. 2x10{16} см{-3} в интервале температур ~50-80 K. Проведен расчет вклада резонансного рассеяния в температурные зависимости электропроводности sigma (T) и термоэдс alpha0 (T). Показано, что вклад резонансного рассеяния электронов в зависимостях sigma (T) и alpha0 (T) больше, чем рассеяние носителей заряда на акустических фононах. Доп.точки доступа: Алиев, Ф. Ф.; Джафаров, М. Б.; Аскерова, Г. З.; Годжаев, Э. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Оптические свойства тонких пленок GaSe/n-Si (111) [Текст] / М. П. Киселюк [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1046-1049. : ил. - Библиогр.: с. 1049 (8 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): резонансное рассеяние электронов -- акцепторные центры -- p-Ag[2]Te -- теллурид серебра -- низкие температуры -- температурные зависимости -- термоэдс -- электропроводность -- носители заряда -- акустические фононы -- акцепторы Аннотация: Проведены морфологические и оптические (эллипсометрия, спектры отражения в диапазоне 400-750 нм и спектры отражения в диапазоне 1. 4-25 мкм) исследования тонких пленок GaSe толщиной 15-60 нм, полученных методом термического напыления на подложках из монокристаллического кремния n-Si (111). Установлено, что на начальном этапе роста имеет место островковый (трехмерный) рост GaSe на подложках n-Si (111). Показано изменение физических параметров пленок по мере увеличения толщины и приближение с точки зрения кристаллической и энергетической зонной структуры тонких пленок к монокристаллам. Для пленок толщиной 60 нм максимум полосы отражения объяснен непрямыми оптическими переходами, усиленными экситонным взаимодействием. В результатах оптических исследований предполагается проявление квантовых эффектов в приповерхностной области тонких пленок. Доп.точки доступа: Киселюк, М. П.; Власенко, А. И.; Генцарь, П. А.; Вуйчик, Н. В.; Заяц, Н. С.; Кругленко, И. В.; Литвин, О. С.; Криськов, Ц. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Разогрев носителей заряда в квантовых ямах при оптической и токовой инжекции электронно-дырочных пар [Текст] / Л. Е. Воробьев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып. 11. - С. 1451-1454. : ил. - Библиогр.: с. 1454 (4 назв. )
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- GaAs/AlGaAs -- фотолюминесценция -- ФЛ -- носители заряда -- электронная температура -- оптическая накачка -- токовая инжекция -- инжекция -- электронно-дырочные пары -- электрические поля -- спектры фотолюминесценции -- излучение -- спонтанное излучение Аннотация: Исследован разогрев носителей заряда в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при оптической межзонной накачке в режиме спонтанного излучения. Определена электронная температура как функция интенсивности накачки. Исследовано влияние электрического поля на спектр фотолюминесценции. По спектрам электролюминесценции определено изменение концентрации носителей заряда с током накачки в режимах спонтанного и стимулированного излучения в квантовых ямах InGaAsSb/InAlGaAsSb. Проведены оценки увеличения температуры горячих носителей заряда, вызывающего рост концентрации с током накачки. Доп.точки доступа: Воробьев, Л. Е.; Винниченко, М. Я.; Фирсов, Д. А.; Зерова, В. Л.; Паневин, В. Ю.; Софронов, А. Н.; Тхумронгсилапа, П.; Устинов, В. М.; Жуков, А. Е.; Васильев, А. П.; Shterengas, L.; Kipshidze, G.; Hosoda, T.; Belenky, G. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности примесных состояний ванадия в теллуриде свинца [Текст] / А. Б. Артамкин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 12. - С. 1591-1595. : ил. - Библиогр.: с. 1594-1595 (16 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): примесные состояния -- ванадий -- теллурид свинца -- PbTe -- температурные зависимости -- носители заряда -- магнитная восприимчивость -- зависимость сопротивления -- магнитные измерения -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- электронный транспорт -- частотные зависимости -- межпримесные корреляции Аннотация: Исследованы температурные зависимости сопротивления, магнитной восприимчивости, концентрации носителей заряда и подвижности в монокристаллических образцах PbTe (V) с варьируемым содержанием примеси. Показано, что ванадий формирует донорный уровень, расположенный на ~20 мэВ ниже дна зоны проводимости. Подвижность электронов достигает 10{5} см2В{-1}с{-1} в образцах с N[V] <= 0. 21 ат% и оказывается более чем на порядок выше в образцах с максимальным содержанием ванадия N[V]=0. 26 ат%. В этих же образцах реальная часть проводимости характеризуется выраженной частотной зависимостью. Увеличение концентрации ванадия сопровождается уменьшением эффективного магнитного момента атомов примеси. Особенности электронного транспорта в PbTe (V) могут быть обусловлены переменной валентностью ванадия и эффектами межпримесной корреляции. Доп.точки доступа: Артамкин, А. Б.; Добровольский, А. А.; Винокуров, А. А.; Зломанов, В. П.; Гаврилкин, С. Ю.; Иваненко, О. М.; Мицен, К. В.; Рябова, Л. И.; Хохлов, Д. Р. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Дадамирзаев, М. Г. Разогрев носителей заряда и выпрямление тока на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле [Текст] / М. Г. Дадамирзаев // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 299-302. : ил. - Библиогр.: с. 302 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- выпрямление тока -- p-n переходы -- сверхвысокочастотное электромагнитное поле -- СВЧ поле -- несимметричные p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- электродвижущие силы -- ЭДС -- высокотемпературные носители тока -- холостой ход -- напряжение холостого хода -- температура электронов -- дырки (физика) Аннотация: ЭДС горячих носителей заряда U[oc], генерируемая на несимметричном p-n-переходе в сверхвысокочастотном электромагнитном поле, несмотря на то, что температура электронов гораздо выше, чем дырок, определяется горячими дырками. Установлено, что напряжение холостого хода определяется температурой тех носителей, которые определяют полный ток через p-n-переход. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Транспорт носителей заряда в композитных наноструктурах на основе слоистого полупроводника p-GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3] [Текст] / А. П. Бахтинов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 348-359. : ил. - Библиогр.: с. 358-359 (48 назв. )
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): носители заряда -- композитные наноструктуры -- наноструктуры -- слоистые полупроводники -- полупроводники -- ПП -- сегнетоэлектрики -- СЭ -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- импеданс структур -- GaSe -- 2D слои матрицы -- двумерные слои матрицы -- слоистые кристаллы -- СК -- нанообразования -- НО -- трехмерные нанообразования -- 3D нанообразования -- фазовые переходы -- электрическая поляризация -- рентгеновские исследования -- АСМ исследования -- электрические характеристики -- эффект Максвелла - Вагнера -- Максвелла - Вагнера эффект -- квантовые ямы -- туннелирование зарядов Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики и частотные зависимости импеданса композитных наноструктур, созданных на основе слоистого анизотропного полупроводника GaSe и сегнетоэлектрика KNO[3]. Многослойные наноструктуры формировались путем внедрения наноразмерных пирамидальных сегнетоэлектрических включений в слоистую матрицу GaSe. Обнаружены явления гистерезиса на вольт-амперных характеристиках и резкие изменения проводимости и емкости на частотных характеристиках импеданса структур. Они связаны с коллективным эффектом переключения электрической поляризации в наноразмерных 3D сегнетоэлектрических включениях в слоистой матрице, с особенностями ее локального деформирования и с политипными фазовыми переходами в этой матрице. Рентгеновские, АСМ исследования и исследования импеданса в слабом (B<400 мТ) магнитном поле показывают, что электрические характеристики наноструктур связаны с проявлением эффекта Максвелла-Вагнера в наноструктурах, с формированием квантовых ям в GaSe при деформировании кристаллов в области локализации наноразмерных включений, с туннелированием носителей заряда в структурах. Доп.точки доступа: Бахтинов, А. П.; Водопьянов, В. Н.; Ковалюк, З. Д.; Нетяга, В. В.; Коноплянко, Д. Ю. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новиков, Г. К. (кандидат технических наук; доцент). Электрически активные центры захвата носителей заряда в неполярных и полярных полимерных диэлектриках [Текст] / Новиков Г. К., Федчишин В. В. // Электричество. - 2016. - № 11. - С. 51-54 : 10 рис. - Библиогр.: с. 54 (7 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): неполярные полимеры -- носители заряда -- полимерные диэлектрики -- центры рекомбинации -- электреты -- электрически активные центры захвата -- электропроводность -- энергия активации Аннотация: Исследование электрически активных центров захвата (ЭАЦЗ) в модифицированных полярных и неполярных полимерных диэлектриках проводилось методом электретной поляриметрии в электрическом газовом коронном разряде (ЭГКР) и методом токов термостимулированной деполяризации (ТСД). Полимерные пленки кабельных и конденсаторных полиэтилена ПЭНП, ПЭВП, политетрафторэтилена ПТФЭ, полиэтилентерефталата и поликарбоната ПК модифицировали с помощью радиационной сшивки в электрическом газовом барьерном разряде (ЭГБР), термообработки и механической деформации равномерного растяжения. Показано, что нескомпенсированные перманентные диполи связей C-H, C-F в окончаниях неполярных молекул ПЭНП, ПЭВП, ПТФЭ и перманентные диполи С-Н, С=О на концах и внутри полярных молекул ПЭТФ и ПК являются электрически активными центрами захвата в полярных и неполярных полимерных кабельных конденсаторных диэлектриках. Доп.точки доступа: Федчишин, В. В. (кандидат технических наук; директор института) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новиков, Г. К. (кандидат технических наук; доцент). Электрически активные центры захвата носителей заряда в диоксиде кремния SiO[2] кристаллах слюды [Текст] / Новиков Г. К., Федчишин В. В. // Электричество. - 2017. - № 5. - С. 57-61 : 10 рис. - Библиогр.: с. 60 (12 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- кристаллы слюды -- носители заряда -- термостимулированная деполяризация -- электретная поляризация -- электреты -- электрически активные центры захвата Аннотация: Исследование электрически активных центров захвата (ЭАЦЗ) в слюде проводилось методом электретной поляриметрии в электрическом газовом коронном разряде и методом токов термостимулированной деполяризации. Представлены экспериментальные результаты исследования влияния радиационной и термической модификации на электретные свойства слюды. Экспериментально доказан факт тушения электретной поляризации в слоях диоксида кремния, полученных в результате высокотемпературного отжига монокристаллов слюды мусковит. Показано, что ЭАЦЗ в кристаллах слюды являются радиационные вакансионные дефекты К{+}ОН ионной кристаллической подрешетки слюды. Доп.точки доступа: Федчишин, В. В. (кандидат технических наук; директор института) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Малышев, И. В. Нелинейность коэффициента диффузии горячих носителей в объеме полупроводника под действием электрического и магнитного полей [Текст] / И. В. Малышев, К. А. Филь, Н. В. Паршина // Известия вузов. Физика. - 2017. - Т. 60, № 6. - С. 3-6 : рис. - Библиогр.: c. 6 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диффузионные характеристики -- дрейфовая скорость -- дрейфовые характеристики -- коэффициент диффузии -- магнитное поле -- носители заряда -- полупроводники -- преобразовательные устройства -- электрическое поле -- энергия разогрева носителей тока -- эффективная масса Аннотация: На основе феноменологического рассмотрения процессов дрейфа и разогрева носителей в объеме полупроводников типа А III B V в сильных перекрёстных электрических и магнитных полях построена квазитрехмерная модель, описывающая основные кинетические составляющие параметров тока. Проанализировано поведение коэффициента диффузии в условиях такого воздействия. Выявлено, что неравенство продольной и поперечной компонент эффективной массы и кинетической энергии приводит к сильным различиям компонент коэффициента диффузии и дрейфовой скорости. Проанализировано поведение дрейфовой и диффузионной характеристик в магнитных полях с различной интенсивностью индукции. Получено, что при увеличении магнитной индукции возникает рост значения продольной компоненты скорости, а в дальнейшем на дрейфовой поперечной индукционной характеристике возникают падающие участки, что свидетельствует о возможности использования этого эффекта для создания нелинейных индукционных активных элементов. Обнаружена анизотропия на поперечной диффузионной индукционной характеристике, выражающаяся в том, что при больших значениях Bz > 2 Тл происходит "расщепление" максимума на два, что также перспективно с точки зрения создания нового класса преобразовательных устройств. Доп.точки доступа: Филь, К. А.; Паршина, Н. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Новиков, Г. К. (кандидат технических наук; доцент). Фундаментальный эффект "тушения" электретной разности потенциалов в диоксиде кремния SiO[2] и токовая модель поляризации электретов [Текст] / Новиков Г. К., Федчишин В. В., Какорин А. А. // Электричество. - 2018. - № 12. - С. 47-51 : 10 рис. - Библиогр.: с. 50 (11 назв. ). - Заглавие, аннотация, ключевые слова на английском языке в конце статьи . - ISSN 0013-5380
Рубрики: Энергетика Электроизолирующие материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоксид кремния -- носители заряда -- слюда -- термостимулированная деполяризация -- токовые модели -- электретная поляризация -- электреты -- электрически активные центры захвата -- эффект тушения Аннотация: Исследование электрически активных центров захвата (ЭАЦЗ) в диоксиде кремния SiO[2] в слюде, слюдосодержащих материалах и полимерах проводилось методом электретной поляриметрии в электрическом газовом коронном разряде (ЭГКР) и с помощью измерения спектров токов термостимулированной деполяризации (ТСД). Представлены экспериментальные результаты исследования влияния радиационной и термической модификации на электретные свойства полимеров, слюд и диоксида кремния SiO[2]. Экспериментально доказан фундаментальный эффект "тушения" электретной поляризации в слоях диоксида кремния, полученных в результате термоокисления кремния и высокотемпературного отжига монокристаллов слюды мусковит. Показано, что фундаментальный эффект "тушения" электретной разности потенциалов в диоксиде кремния SiO[2] является важнейшим подтверждением справедливости разработанной в [1] токовой модели поляризации электретов. Доп.точки доступа: Федчишин, В. В. (кандидат технических наук; директор института); Какорин, А. А. (директор технического департамента) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |