Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 6. - С. 721-729 : ил. - Библиогр.: с. 729 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные ионы -- статистический расчет -- каскады -- структурные нарушения -- оксид цинка -- нитрид галлия -- каскады смещений Аннотация: Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PF[n] (n=0, 2, 4), с энергией 1. 3 кэВ/а. е. м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя. Доп.точки доступа: Карасев, П. А.; Азаров, А. Ю.; Титов, А. И.; Кучеев, С. О. |
Громов, Д. В. Влияние радиации на характеристики элементов на нитриде галлия [Текст] / Д. В. Громов, Ю. А. Матвеев, Ю. В. Федоров // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 39-48. . - Библиогр.: с. 48 (13 назв. )
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионизирующее излучение -- наногетероструктуры -- двумерный электронный газ -- СВЧ-элементная база -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Проведен анализ радиационных эффектов в СВЧ-полупроводниковых приборах на основе нитрида галлия при воздействии ионизирующего излучения. Исследовались характеристики диодов с барьером Шоттки, а также полевых транзисторных структур. Установлены физические механизмы радиационного изменения характеристик рассматриваемых GaN элементов. Доп.точки доступа: Матвеев, Ю. А.; Федоров, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Молекулярно-динамическое моделирование образования дефектов при облучении GaN атомарными и молекулярными ионами [Текст] / П. А. Карасев [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 49-55 : ил. - Библиогр.: с. 54-55 (18 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- МД-моделирование -- молекулярно-динамическое моделирование -- каскады столкновений -- молекулярный эффект -- точечные дефекты -- внутрикаскадная рекомбинация -- атомарные ионы Аннотация: Описаны результаты МД-моделирования бомбардировки открытой поверхности (0001) GaN ускоренными атомарными (F, P, Ag) и молекулярными (PF[2], PF[4]) ионами с энергией 50 эВ/а. е. м. Обращено внимание на внутри-каскадную рекомбинацию образующихся точечных дефектов и генерацию простейших точечных дефектов тяжелыми ионами Ag и молекулами PF[4].Results of atomistic simulation of (0001) GaN surface bombardment by 50 eV/a. m. u. atomic (F, P, Ag) and molecular (PF[2] and PF[4]) ions are presented. Strong in-cascade recombination of generated point defects is found. Final defect distributions are significantly shifted towards the surface. Both these findings are in good agreement with experimental data on formation of structural defects in GaN under accelerated ion irradiation. Enhanced defect generation as compared to approximation given by binary collisions is found for heavy atomic (Ag) and molecular (PF[4]) ions. In the case of molecular ion the mentioned effect is observed close to the sample surface only. Доп.точки доступа: Карасев, Платон Александрович; Титов, Андрей Иванович (1939-); Улла, Мохаммад Вали; Джурабекова, Флюра; Куронен, Антти; Нордлунд, Кай Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние плотности каскадов смещений на топографию и сдвиг поверхности нитрида галлия, облучаемого атомарными и молекулярными ионами [Текст] / К. В. Карабешкин [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 55-61 : ил. - Библиогр.: с. 60-61 (14 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Механические и акустические свойства монокристаллов Кл.слова (ненормированные): нитрид галлия -- ионная имплантация -- молекулярные ионы -- свеллинг -- распыление -- топография поверхности -- молекулярный эффект -- каскады столкновений -- атомарные ионы Аннотация: В статье рассмотрено влияние плотности каскадов столкновений на изменение свойств поверхности GaN при его бомбардировке ускоренными атомарными и молекулярными ионами. Показано, что при малых плотностях свеллинг преобладает над распылением, а при больших - наоборот, доминирует распыление. Шероховатость поверхности увеличивается при увеличении массы иона/размера кластера. Установлен пороговый характер развития этих процессов и определены пороговые дозы начала развития особенностей топографии поверхности и изменения толщины модифицируемых слоев.Effect of collision cascade density on GaN surface properties under molecular and atomic ion bombardment have been studied. At low level of cascade density swelling prevails sputtering. In the case of molecular ion irradiation, when cascade is high, sputtering is more effective than swelling. Threshold behavior of these phenomena is established and corresponding values are found. Physical reasons are suggested. Доп.точки доступа: Карабешкин, Константин Валерьевич; Карасев, Платон Александрович; Беляков, Владимир Сергеевич; Архипов, Александр Викторович; Титов, Андрей Иванович (1939-) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ламкин, Иван Анатольевич. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия [Текст] / И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (1 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- твердые растворы -- нитрид галлия -- нитрид алюминия -- фотоприемники -- ультрафиолетовые фотоприемники -- омический контакт -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фоточувствительные структуры Аннотация: Рассмотрены проблемы создания качественных омических и выпрямляющих контактов к твердым растворам AlGaN с большой долей Al. Изложены основные проблемы при создании ультрафиолетовых фоточувствительных структур на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN.The paper considers the problem of creating high-quality ohmic and rectifying contacts to AlGaN solid solutions with a high degree of Al. The basic problems connected with creating ultraviolet photosensitive structures based on the contact metal - AlGaN solid contacts are presented. Доп.точки доступа: Менькович, Екатерина Андреевна; Тарасов, Сергей Анатольевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций [Текст] / В. В. Мамаев [и др.] // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 4 (158). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полевые транзисторы -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- нитрид галлия -- плотность дислокаций -- метод газофазной эпитаксии -- металлоорганические соединения -- атомно-силовая микроскопия -- СВЧ-транзисторы -- многослойные гетероструктуры Аннотация: Цель работы - выращивание кристаллически совершенных слоев нитрида галлия с пониженной плотностью дислокаций и высокой подвижностью электронов методом молекулярно-лучевой эпитаксии на инородных подложках с использованием аммиака в качестве источника активного азота, а также в снижении стоимости гетероструктур для изготовления сверхвысокочастотных полевых транзисторов.Purpose is to grow perfect crystal gallium nitride layers with low dislocation density and high electron mobility by molecular beam epitaxy on foreign substrates using ammonia as a source of active nitrogen, and also to reduce the cost of manufacturing of microwave heterostructure field effect transistors. Доп.точки доступа: Мамаев, Виктор Викторович; Сидоров, Валерий Георгиевич (1939-); Петров, Станислав Игоревич; Алексеев, Алексей Николаевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Коаксиальные нанокабели для солнечной энергетики [Текст] // Электроэнергетика: сегодня и завтра. - 2013. - № 2. - С. 76 : ил.
Рубрики: Энергетика Гелиоэнергетика Кл.слова (ненормированные): изоляция кабеля -- нитрид галлия -- фосфид -- полупроводники -- солнечные батареи -- нанопроволока -- изолирующие материалы Аннотация: Разработка нового типа нанопроволоки - тонкого коаксиального кабеля, изолирующий слой которого состоит из нитрида галлия, а внешняя оболочка - из фосфида. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние сверхрешетки на внутреннюю квантовую эффективность светодиодных структур с квантовыми ямами ingan/gan [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 7. - С. 33-35 : рис., табл. - Библиогр.: c. 35 (4 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Фотоэлектрические приборы Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): внутренняя квантовая эффективность -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиодные структуры синего диапазона -- светодиоды -- соединения нитридов III-N -- физика соединений Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN и сверхрешетками. Доп.точки доступа: Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние диффузии магния в активную область светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность [Текст] / И. С. Романов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 4. - С. 99-101 : рис. - Библиогр.: c. 101 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): влияние диффузии магния -- внутренняя квантовая эффективность -- диффузия магния -- квантовая эффективность -- магний -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- фотолюминесценция светодиодных структур Аннотация: Представлены результаты экспериментальных исследований зависимости внутренней квантовой эффективности светодиодных структур синего диапазона длин волн с множественными квантовыми ямами InGaN/GaN от температуры роста слоя p-GaN. Обсуждается влияние диффузии магния на фотолюминесцентные характеристики исследованных светодиодных структур. Доп.точки доступа: Романов, И. С.; Прудаев, И. А.; Мармалюк, А. А.; Курешов, В. А.; Сабитов, Д. Р.; Мазалов, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Верешков, Г. М. Обнаружение нового фазового перехода в нитриде галлия при 22 ГПа [Текст] / Г. М. Верешков, О. В. Наскалова // Известия РАН. Серия физическая. - 2014. - Т. 78, № 8. - С. 1002-1005. - Библиогр.: c. 1005 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Техника Сопротивление материалов Геология Минералогия Кл.слова (ненормированные): Brennan-Stacey модель -- Бардина модель -- Берча-Мурнагана -- Винета модель -- модели механики конечных деформаций сплошной среды -- модель Brennan-Stacey -- модель Бардина -- модель Берча-Мурнагана -- модель Винета -- модель Парсафара-Месона -- модель Томсена -- нитрид галлия -- Парсафара-Месона модель -- Томсена модель -- уравнения состояния механики сплошных сред -- фазовые переходы Аннотация: Рентгеновские данные о зависимости объема (V) элементарных ячеек GaN от давления (Р) аппроксимировали в соответствии с уравнениями состояния механики сплошных сред. Было показано, что наилучшее приближение зависимости V (P) достигается в рамках предположения, что существует непрерывный фазовый переход при 22 ГПа, который не обсуждали ранее. Доп.точки доступа: Наскалова, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Генерация терагерцового излучения в светодиодных гетероструктурах со множественными квантовыми ямами InGaN/GaN при двухфотонном возбуждении фемтосекундными лазерными импульсами [Текст] / И. А. Прудаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 2. - С. 47-51 : рис. - Библиогр.: c. 51 (17 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электромагнитные колебания Полупроводниковые приборы Радиоэлектроника Кл.слова (ненормированные): генерация терагерцового излучения -- диэлектрические свойства -- квантовые ямы -- нитрид галлия -- светодиодные гетероструктуры -- эмиссионная терагерцовая спектроскопия Аннотация: Представлены результаты экспериментов по генерации терагерцового излучения в нитридных светодиодных структурах при оптическом возбуждении ультракороткими лазерными импульсами. Исследованы зависимости эмиссионных спектров от структурных параметров образцов и интенсивности лазерных импульсов. Установлено увеличение амплитуды и смещение частотных спектров терагерцовых импульсов в область более высоких частот с ростом числа квантовых ям в гетероструктуре. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Саркисов, С. Ю.; Толбанов, О. П.; Кособуцкий, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Моделирование методом Монте-Карло вывода излучения из светодиодной структуры с текстурированными интерфейсами [Текст] / В. И. Зубков [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 8. - С. 123-130 : рис. - Библиогр.: c. 130 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Монте-Карло метод -- вывод излучения света -- квантовый выход -- метод Монте-Карло -- нитрид галлия -- светодиодные структуры -- светодиоды -- светоизлучающие структуры Аннотация: Разработана математическая модель вывода излучения из светодиода на базе корпускулярного метода Монте-Карло. В результате моделирования светодиодных структур получены закономерности по влиянию границ раздела сред и вводимых на интерфейсах шероховатостей на относительную долю выводимого из структуры излучения. На основе проведенного анализа сделаны конкретные рекомендации по оптимизации светоизлучающих флип-чип-структур на основе твердых растворов нитрида галлия. Доп.точки доступа: Зубков, В. И.; Евсеенков, А. С.; Орлова, Т. А.; Зубкова, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Брудный, В. Н. Нитрид галлия: уровень зарядовой нейтральности и границы раздела [Текст] / В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2015. - Т. 58, № 11. - С. 121-126 : рис., табл. - Библиогр.: c. 125-126 (51 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Энергетика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьер-металлы -- зарядовая нейтральность -- нитрид галлия -- полупроводниковые материалы -- энергетические спектры Аннотация: Анализ экспериментальных данных выявил зависимость высоты барьера металл/n-GaN GaN (0001) от работы выхода металла, как и предсказывает модель, которая учитывает уровень зарядовой нейтральности полупроводника. В случае барьеров металл/p-GaN (Mg) имеет место значительный разброс соответствующих экспериментальных данных и закрепление приповерхностного уровня Ферми вблизи E_v + 2. 5 эВ в большинстве структур, что обусловлено влиянием высокой плотности интерфейсных дефектных состояний, сформированных в процессе легирования GaN примесью Mg. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Определение электрофизических параметров полупроводников по результатам измерений катодолюминесценции экситонов [Текст] / А. Н. Поляков [и др.] // Перспективные материалы. - 2016. - № 2. - С. 74-80 : 5 рис. - Библиогр.: с. 78-79 (16 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Кл.слова (ненормированные): катодолюминесценция -- экситон -- коэффициент диффузии -- диффузионная длина -- подвижность -- рассеяние -- нитрид галлия -- электрофизические параметры -- полупроводники Аннотация: Показана возможность использования время-пролетных катодолюминесцентных измерений для оценки коэффициента диффузии, диффузионной длины и подвижности экситонов в прямозонных полупроводниковых материалах на примере нитрида галлия. На основе анализа температурной зависимости подвижности экситонов (5 - 300 К) сделаны предположения о механизмах рассеяния, действующих в исследуемых образцах. При низком ускоряющем напряжении (5 кВ) было обнаружено рассеяние экситонов на нейтральных примесях, на границе образца и на акустических фононах (пьезоэлектрический механизм). Доп.точки доступа: Поляков, А. Н.; Noltemeyer, M.; Christen, J.; Степович, М. А.; Туртин, Д. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Акасаки, И. (Исаму). Увлекательные приключения в поисках синего цвета [Текст] / И. Акасаки ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 504-517 : 20 рис. - Библиогр.: с. 516-517 (67 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- исследования -- белый свет -- источники света -- светодиоды -- синие светодиоды -- ультрафиолетовые светодиоды -- лазерные диоды -- монокристаллы -- полупроводниковые монокристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN Аннотация: Создание высококачественных полупроводниковых монокристаллов нитрида галлия (GaN) и соответствующих соединений. История синих светодиодов и разработка лазерных диодов на основе нитридов, которые позволили создать яркие и энергоэффективные белые источники света. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Амано, Хироши. Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Накамура, Шуджи. История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN [Текст] / Ш. Накамура ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 524-536 : 17 рис. - Библиогр.: с. 535-536 (49 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- синие светодиоды -- эффективные синие светодиоды -- белый свет -- источники белого света -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN -- нитрид индия галлия -- InGaN -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- технологии выращивания кристаллов Аннотация: Значение изобретения синих светодиодов как высокоэффективных источников белого света. История развития светодиодов на основе нитрида индия галлия (InGaN). Свойства материала InGaN. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Электрофизические и физико-химические свойства омических контактов для соединений III-N [Текст] / В. Н. Брудный [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 8. - С. 73-78 : рис., табл. - Библиогр.: с. 77-78 (53 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): HTMТ-транзисторы -- металлизация -- многослойная металлизация -- невыпрямляющие контакты -- нитрид галлия -- обработка поверхности -- омические контакты -- твердые растворы AlInGaN -- уровень зарядовой нейтральности Аннотация: Проведен анализ экспериментальных данных по исследованию омических контактов на основе однослойных и многослойных металлизаций к GaN и твердым растворам (In, Al, Ga) N. Экспериментально исследованы металлизации Ti/Al/Mo/Au и Ti/Al/Mo/W/Au к нелегированному GaN и влияние обработки поверхности пластин GaN перед металлизацией, а также режима отжига контакта. Доп.точки доступа: Брудный, В. Н.; Вилисова, М. Д.; Великовский, Л. Э.; Сим, П. Е.; Брудный, П. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Исследование физико-механических характеристик наномасштабных пленок методом наноиндентирования [Текст] / А. С. Гращенко [и др.] // Известия РАН. Механика твердого тела. - 2018. - № 5: Сентябрь-октябрь. - С. 5-14 : ил. - Библиогр.: с. 13-14 . - ISSN 0572-3299
Рубрики: Механика Механика твердых тел Кл.слова (ненормированные): наноиндентирование -- наномасштабные пленки -- нитрид галлия -- карбид кремния -- оксид галлия -- упругопластические свойства Аннотация: В настоящей работе приводится краткий обзор и оригинальные исследования упругопластических свойств наномасштабных и микромасштабных тонких пленок на подложках. Исследования проводятся на примере широкозонных полупроводниковых пленок, имеющих исключительно важное значение для современной микро-и-оптоэлектроники таких как: нитрид галлия, карбид кремния, оксид галлия, выращенных на кремниевых подложках. Основное внимание уделяется влиянию наномасштабности пленок на методы анализа экспериментальных результатов по наноиндентированию. В частности, обсуждаются методы анализа двухслойных наномасштабных пленок, а также пленок анизотропных материалов. С помощью рамановских карт анализируется динамика упругих напряжений в области индентора. Рассмотрены основные методы моделирования упругопластических свойств пленок методами квантовой химии и молекулярной динамики. Доп.точки доступа: Гращенко, А. С.; Кукушкин, С. А.; Осипов, А. В.; Редьков, А. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Особенности радиационных изменений электрических свойств InAlN/GaN HEMT [Текст] / Афонин А. Г., Брудный В. Н., Брудный П. А., Великовский Л. Э. // Известия вузов. Физика. - 2019. - Т. 62, № 9. - С. 106-112. - Библиогр.: с. 112 (5 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Физика полупроводников и диэлектриков Электричество и магнетизм в целом Кл.слова (ненормированные): InAlN/GaN-транзистор -- высокоэнергетическая радиация -- нитрид галлия -- облучение гамма-лучами -- облучение протонами -- облучение электронами -- радиационная стойкость -- радиационные ловушки -- уровень зарядовой нейтральности -- электрические свойства InAlN/GaN HEMT Аннотация: Проанализировано влияние облучения протонами, электронами, гамма-лучами и быстрыми нейтронами на параметры InAlN/GaN HEMT-структур. Рассмотрены особенности исходных электронных свойств барьерных слоев InAlN и AlGaN при изменении их состава, а также изменение этих свойств при воздействии высокоэнергетической радиации с учетом композиционной зависимости энергетического положения уровня зарядовой нейтральности в энергическом спектре барьерных слоев. Доп.точки доступа: Афонин, А. Г.; Брудный, В. Н.; Брудный, П. А.; Великовский, Л. Э. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |