Получение текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира [Текст] / Х. Ш-о. Калтаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып. 12. - С. 1650-1653 : ил. - Библиогр.: с. 1653 (6 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитрид алюминия -- пленки нитрида алюминия -- текстурированные пленки -- термохимическая нитридизация сапфира -- метод термохимической нитридизации сапфира -- азот -- температура -- диффузионный механизм Аннотация: Показана возможность получения текстурированных пленок нитрида алюминия методом термохимической нитридизации сапфира в диапазоне температур 1200-1500 градусов по C в атмосфере азота с содержанием CO от 0. 1 до 5 об%. Установлен диффузионный механизм формирования пленки нитрида алюминия на поверхности сапфира под воздействием восстановительной среды. Доп.точки доступа: Калтаев, Х. Ш-о.; Сидельникова, Н. С.; Нижанковский, С. В.; Данько, А. Я.; Ром, М. А.; Матейченко, П. В.; Добротворская, М. В.; Будников, А. Т. |
Толбанова, Людмила Олеговна. Устойчивость к воде нитридсодержащих керамических материалов, синтезированных сжиганием в воздухе [Текст] / Л. О. Толбанова, А. П. Ильин // Известия Томского политехнического университета. - 2010. - С. 12-17 : ил. - Библиогр.: с. 17 (4 назв. ). . - ISSN 1684-8519
Рубрики: Химия Термохимия Кл.слова (ненормированные): нитридсодержащие керамические материалы -- устойчивость к воде -- продукты горения -- нитрид алюминия -- нанопорошки металлов -- взаимодействие с водой Аннотация: Исследовано действие воды на промежуточные продукты горения в воздухе смесей нанопорошка алюминия с каталитическими добавками металлов VI группы Периодической системы. Установлено, что исследуемые образцы устойчивы к действию воды, но при повышении рН скорость взаимодействия с водой возрастает. При этом наиболее устойчивыми фазами являются альфа-оксид и оксинитрид алюминия. Сделан вывод о возможности стабилизации нитрида алюминия в воздухе за счет слоя оксинитрида алюминия, образующегося на поверхности. Доп.точки доступа: Ильин, А. П. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Магнетронное осаждение тонких пленок твердого раствора (SiC) [1-x] (AlN) [x] [Текст] / М. К. Гусейнов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 6. - С. 841-844. : ил. - Библиогр.: с. 844 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- карбид кремния -- SiC -- нитрид алюминия -- AlN -- тонкие пленки -- магнетронное осаждение -- магнетронное распыление -- МР -- метод магнетронного распыления -- поликристаллические мишени -- подложки -- рентгенография -- метод рентгенографии -- электронная микроскопия -- метод электронной микроскопии -- монокристаллические пленки Аннотация: Приведены результаты теоретической оценки таких важных параметров процесса магнетронного распыления, как протяженность зоны термализации атомов и расстояние от мишени до условного анода. Методом магнетронного распыления поликристаллических мишеней SiC-AlN на подложках SiC и Al[2]O[3] получены тонкие пленки твердого раствора (SiC) [1-x] (AlN) [x]. Методами рентгенографии и электронной микроскопии проведены исследования структуры, состава пленок. Установлены факторы, определяющие состав и структуру пленок, а также условия формирования монокристаллических пленок (SiC) [1-x] (AlN) [x] на подложках SiC. Доп.точки доступа: Гусейнов, М. К.; Курбанов, М. К.; Билалов, Б. А.; Сафаралиев, Г. К. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Барьеры на p-кремнии типа металл-диэлектрик-полупроводник с нанотолщинным диэлектриком из нитрида алюминия [Текст] / А. М. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып. 8. - С. 1064-1067. : ил. - Библиогр.: с. 1067 (5 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- p-кремний -- металл-диэлектрик-полупроводник -- МДП -- диэлектрики -- нанотолщинные диэлектрики -- нитрид алюминия -- границы раздела -- ГР -- поверхностные состояния -- магнетронное распыление -- детекторы -- ядерные излучения Аннотация: Анализируется состояние поверхности границы раздела p-кремний- (нанотолщинный диэлектрик). Исследуются спектры DLTS в режимах перезарядки глубоких центров в объеме структуры, а также ее поверхностных состояний. Определен характер шумов в функции величины обратного напряжения в плане применения структуры в качестве детектора ядерных излучений. Сделано заключение, что используемый в структуре барьер обладает более высоким качеством при нанесении нанотолщинных пленок нитрида алюминия путем магнетронного распыления на постоянном, а не переменном токе. Доп.точки доступа: Иванов, А. М.; Котина, И. М.; Ласаков, М. С.; Строкан, Н. Б.; Тухконен, Л. М. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Ламкин, Иван Анатольевич. Ультрафиолетовые фотодиоды на основе контактов металл - твердые растворы нитридов галлия и алюминия [Текст] / И. А. Ламкин, Е. А. Менькович, С. А. Тарасов // Научно-технические ведомости Санкт-Петербургского государственного политехнического университета. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 3 (153). - С. 28-31 : ил. - Библиогр.: с. 31 (1 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- твердые растворы -- нитрид галлия -- нитрид алюминия -- фотоприемники -- ультрафиолетовые фотоприемники -- омический контакт -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фоточувствительные структуры Аннотация: Рассмотрены проблемы создания качественных омических и выпрямляющих контактов к твердым растворам AlGaN с большой долей Al. Изложены основные проблемы при создании ультрафиолетовых фоточувствительных структур на основе контактов металл - твердые растворы AlGaN.The paper considers the problem of creating high-quality ohmic and rectifying contacts to AlGaN solid solutions with a high degree of Al. The basic problems connected with creating ultraviolet photosensitive structures based on the contact metal - AlGaN solid contacts are presented. Доп.точки доступа: Менькович, Екатерина Андреевна; Тарасов, Сергей Анатольевич Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение композитных наночастиц Al-Al2O3 и Al-AlN при электрическом взрыве проволочек [Текст] / М. И. Лернер [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 3. - С. 91-98 : рис. - Библиогр.: c. 97-98 (15 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химия Горение. Взрыв Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): биэнертные сплавы -- взрыв алюминиевых проволочек -- композитные наночастицы алюминия -- наночастицы алюминия -- наночастицы металлов -- нитрид алюминия -- окисление алюминия -- оксид алюминия -- смеси газов аргон-кислород-азот -- электрический взрыв проволочек Аннотация: При электрическом взрыве алюминиевых проволочек в смеси газов аргон-кислород-азот были получены композитные наночастицы Al-Al2O3 и Al-AlN. Параметры электрического взрыва и газовой среды оказывают влияние на размер части и содержание нитрида алюминия или оксида алюминия в наночастицах. Рассмотрены процессы образования химических соединений при окислении алюминия на контактной поверхности продукты взрыва - газ и диффузии азота в наночастицы конденсированной фазы. Доп.точки доступа: Лернер, М. И.; Ложкомоев, А. С.; Первиков, А. В.; Бакина, О. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Структура и механические свойства композиционных материалов на основе магния, упрочненных наночастицами нитрида алюминия [Текст] / А. П. Хрусталёв [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 12. - С. 176-178 : рис. - Библиогр.: c. 178 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Технология металлов Металлургия черных металлов Кл.слова (ненормированные): композиционные материалы -- магний -- механические свойства -- микроструктура -- нитрид алюминия -- упрочненные наночастицы нитрида алюминия Аннотация: Исследовано влияние наночастиц нитрида алюминия на структуру и механические свойства композиционных материалов Mg-Al. Доп.точки доступа: Хрусталёв, А. П.; Ворожцов, С. А.; Жуков, И. А.; Промахов, В. В.; Даммер, В. Х.; Ворожцов, А. Б. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Температурное тушение люминесценции SiV-центра в пленках CVD-алмаза [Текст] / А. С. Емельянова [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2017. - Т. 81, № 9. - С. 1284-1289. - Библиогр.: c. 1289 (14 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): алмазные пленки -- кинетические характеристики -- нитрид алюминия -- температурное тушение -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы кинетические характеристики и температурное тушение люминесценции оптического центра кремний-вакансия SiV в алмазных пленках, выращенных в СВЧ-плазме на подложках из нитрида алюминия и синтетического алмаза, при лазерном возбуждении на длине волны 640 нм. Доп.точки доступа: Емельянова, А. С.; Ракевич, А. Л.; Мартынович, Е. Ф.; Миронов, В. П.; Большаков, А. П.; Седов, В. С.; Ральченко, В. Г.; Конов, В. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |