Фотолюминесцентные исследования кубического нитрида бора, активированного Nd в процессе синтеза под высоким давлением [Текст] / Е. М. Шишонок [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып. 9. - С. 1722-1728. - Библиогр.: с. 1728 (33 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесцентные исследования -- нитриды бора -- микропорошки -- методы высоких давлений температур -- рентгеновская дифрактометрия -- рентегнофлуоресцентные анализы -- фотолюминесценция -- фотолюминесценция микропорошков -- фазовые составы микропорошков Аннотация: Методом высоких давлений температур получены микропорошки кубического нитрида бора, активированные Nd. Фазовый состав микропорошков исследовался методами рентгеновской дифрактометрии и рентегнофлуоресцентного анализа. Исследованы фотолюминесценция, спектры возбуждения фотолюминесценции, а также время жизни возбужденного состояния {4}F[3/2] на ионах Nd, введенных в кубический нитрид бора. В спектрах фотолюминесценции микропорошков в области электронных переходов {4}F[3/2]->{4}I[9/2] и {4}F[3/2]->{4}I[11/2] зарегистрированы структурированные полосы. Большая интенсивность первой из них свидетельствует о реализации "трехуровневой схемы" возбуждения указанной фотолюминесценции в кубическом нитриде бора, активированном Nd. Показано, что с увеличением концентрации соединения Nd в ростовой шихте в микропорошках формируются два центра люминесценции Nd[1] и Nd[2], образованные ионами Nd, расположенными в различных кристаллических полях низкой симметрии, что подтверждается рентгеновскими исследованиями и исследованиями кривых затухания фотолюминесценции. Короткоживущее состояние {4}F[3/2] отнесено к ионам Nd, образующим центры Nd[1], а долгоживущее состояние --- к ионам Nd, образующим центры Nd[2]. Доп.точки доступа: Шишонок, Е. М.; Леончик, С. В.; Bodiou, L.; Braud, A. |
Светоизлучающие гетероструктуры AlGaN/InGaN/GaN с множественными квантовыми ямами [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Нано- и микросистемная техника. - 2011. - N 5. - С. 16-23. . - Библиогр.: с. 22-23 (42 назв. )
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нитриды III группы -- светодиоды видимого диапазона -- множественные квантовые ямы -- квантовый выход -- светоизлучающие гетероструктуры -- гетероструктуры Аннотация: Рассмотрены физические свойства нитридов III группы, а также светоизлучающих структур видимого и ультрафиолетового диапазона на их основе. Описываются конструкция и характеристики зарубежных и отечественных светодиодов на основе гетероструктур AlGaN/InGaN/GaN. Проведен обзор современных работ, посвященных повышению квантового выхода светодиодов видимого диапазона. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Кульчицкий, Н. А.; Мельников, А. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Влияние давления в реакторе на оптические свойства структур InGaN, выращенных методом ГФЭ МОС [Текст] / Е. А. Чернышева [и др.] // Научно-технические ведомости СПбГПУ. Сер.: Физико-математические науки. - 2012. - № 2 (146). - С. 32-36 : ил. - Библиогр.: с. 36 (6 назв.) . - ISSN 1994-2354
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): нитриды -- нитриды III группы -- диоды -- светоизлучающие диоды -- оптические свойства -- давление -- эпитаксия -- металлорганические соединения -- индий -- газофазная эпитаксия -- ГФЭ МОС Аннотация: Исследовано влияние давления в реакторе на оптические свойства InGaN при их выращивании методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений. Показано, что изменение указанного давления приводит как к модификации вхождения индия, так и к существенному изменению оптических свойств структур.Influence of reactor pressure during MOVPE growth on optical properties of InGaN heterostructures has been studied. It was found that reactor pressure influences not only indium incorporation, but also strongly modifies optical properties of structures. Доп.точки доступа: Чернышева, Екатерина Андреевна; Сахаров, Алексей Валентинович; Черкашин, Николай Анатольевич; Лундин, Всеволод Владимирович; Цацульников, Андрей Федорович Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Низкотемпературный синтез микронных порошков нитридов системы Fe – N [Текст] / Е. П. Ковалев [и др.] // Перспективные материалы. - 2013. - № 7. - С. 61-66 : 4 рис. - Библиогр.: с. 65-66 (20 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): синтез -- нитриды железа -- система Fe – N -- наночастицы -- нанопокрытие -- порошковые материалы -- коррозионная стойкость -- намагниченность насыщения -- карбонильное железо -- рентгенофазовый анализ -- оже-спектроскопия Аннотация: Реализована принципиальная возможность синтеза микронных коррозионностойких порошковых материалов на основе низших и высших нитридов Fe – N в виде объемной композиции и в виде системы "ядро – оболочка" при относительно невысоких температурах. Методами Оже-спектроскопии и количественного рентгенофазового анализа получена информация об элементном и химическом составе нитридов железа. Доп.точки доступа: Ковалев, Е. П.; Алымов, М. И.; Анкудинов, А. Б.; Гнедовец, А. Г.; Зеленский, В. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Крюков, А. Ю. (кандидат технических наук). Определение параметров функционирования установок получения ультра- и нанодисперсных оксидов и нитридов методом сжигания аэровзвесей металлов [Текст] / А. Ю. Крюков, С. Г. Ярушин // Вестник Ижевского государственного технического университета имени М. Т. Калашникова. - 2013. - № 3. - С. 36-40. - Библиогр.: с. 40 (6 назв.) . - ISSN 1813-7903
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): аэровзвеси металлов -- воспламенение -- камеры воспламенения -- металлы -- нанодисперсные нитриды -- нанодисперсные оксиды -- нитриды -- оксиды -- порошки металлов -- сжигание металлов -- сжигание порошков металлов -- ультрадисперсные нитриды -- ультрадисперсные оксиды -- установки Аннотация: Приведены результаты решения задач по разработке принципиальных схем, определению параметров функционирования узлов установки получения ультрадисперсного оксида алюминия методом сжигания порошка металла в прямоточных камерах сгорания. Доп.точки доступа: Ярушин, С. Г. (доктор технических наук) Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Одностадийный процесс синтеза керамики на основе нитридов титана, циркония и гафния заданной формы [Текст] / К. Б. Кузнецов [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 2. - С. 70-78 : 12 рис., 1 табл. - Библиогр.: с. 76 (2 назв. ) . - ISSN 1028-978Х
Рубрики: Химия Общая и неорганическая химия в целом Химическая технология Керамические изделия Кл.слова (ненормированные): керамика -- нитриды металлов -- титан -- окислительное конструирование -- резистивный нагрев Аннотация: Используя подход окислительного конструирования, осуществлен синтез плотных керамик на основе нитридов титана, циркония, гафния, активируемый резистивным нагревом металлической преформы заданной формы в среде молекулярного азота. Установлено, что нитридизация титана, циркония, гафния контролируется встречной диффузией атомов металла к поверхности преформы и атомов азота в объем. Показано, что наличие кислорода в составе реакционной среды приводит к формированию поверхностного слоя оксида, влияющего на процесс транспорта азота вглубь металла, и весь процесс окисления проходит за счет транспорта атомов металла из объема на поверхность. Доп.точки доступа: Кузнецов, К. Б.; Шокодько, А. В.; Ашмарин, А. А.; Огарков, А. И.; Шашкеев, К. А.; Шевцов, С. В.; Чернявский, А. С.; Солнцев, К. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Горение сплава TiAl в азоте [Текст] / Б. Ш. Браверман [и др.] // Физика горения и взрыва. - 2015. - Т. 51, № 4. - С. 66-71 : ил. - Библиогр.: с. 70-71 (19 назв.) . - ISSN 0430-6228
Рубрики: Химическая технология Технология взрывчатых веществ и средств химической защиты Кл.слова (ненормированные): MAX - фазы -- азот -- вынужденная фильтрация -- горение сплавов -- гранулированные порошки -- давление -- нитриды -- сплав Ti-Al-N -- сплавы -- тройные соединения Аннотация: Показана возможность получения тройных соединений Ti-Al-N, относящихся к MAX - фазам, при горении гранулированного порошка сплава Т65Ю35 в потоке азота при давлении, близком к атмосферному. Доп.точки доступа: Браверман, Б. Ш.; Лепакова, О. К.; Максимов, Ю. М.; Цыбульник, Ю. В.; Китлер, В. Д. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Синтез микронных частиц со структурой ядро-оболочка Fe - Fe[4]N при низкотемпературном газовом азотировании порошков железа в потоке аммиака [Текст] / А. Г. Гнедовец [и др.] // Перспективные материалы. - 2015. - № 12. - С. 62-71 : 4 рис. - Библиогр.: с. 68-69 (28 назв. ) . - ISSN 1028-978X
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): низкотемпературное газовое азотирование -- карбонильное железо -- синтез -- порошки -- нитриды железа -- микрочастицы -- структура ядро-оболочка -- аммиак -- степень диссоциации -- азотный потенциал -- диффузия Аннотация: Исследован синтез однофазных оболочек гамма'-Fe[4]N на поверхности частиц железа микронных размеров при низкотемпературном газовом азотировании порошка карбонильного железа в потоке аммиака. Показано, что синтез частиц с такой структурой возможен при одновременном контроле ряда параметров процесса: температуры, степени диссоциации аммиака и времени обработки. Доп.точки доступа: Гнедовец, А. Г.; Анкудинов, А. Б.; Зеленский, В. А.; Ковалев, Е. П.; Вишневская-Вайнерт, Х.; Алымов, М. И. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Акасаки, И. (Исаму). Увлекательные приключения в поисках синего цвета [Текст] / И. Акасаки ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 504-517 : 20 рис. - Библиогр.: с. 516-517 (67 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- исследования -- белый свет -- источники света -- светодиоды -- синие светодиоды -- ультрафиолетовые светодиоды -- лазерные диоды -- монокристаллы -- полупроводниковые монокристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN Аннотация: Создание высококачественных полупроводниковых монокристаллов нитрида галлия (GaN) и соответствующих соединений. История синих светодиодов и разработка лазерных диодов на основе нитридов, которые позволили создать яркие и энергоэффективные белые источники света. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Амано, Хироши. Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Накамура, Шуджи. История изобретения эффективных синих светодиодов на основе InGaN [Текст] / Ш. Накамура ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 524-536 : 17 рис. - Библиогр.: с. 535-536 (49 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- изобретения -- синие светодиоды -- эффективные синие светодиоды -- белый свет -- источники белого света -- нитриды -- нитрид галлия -- GaN -- нитрид индия галлия -- InGaN -- кристаллы -- выращивание кристаллов -- технологии выращивания кристаллов Аннотация: Значение изобретения синих светодиодов как высокоэффективных источников белого света. История развития светодиодов на основе нитрида индия галлия (InGaN). Свойства материала InGaN. Доп.точки доступа: Чехов, А. Л. \.\ Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Радиационная стойкость тройных покрытий на основе нитридов переходных металлов при облучении альфа-частицами и ионами аргона [Текст] / А. И. Потекаев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2016. - Т. 59, № 1. - С. 83-91 : рис., табл. - Библиогр.: c. 90-91 (14 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Технология металлов Металлургия черных металлов Кл.слова (ненормированные): нитриды переходных металлов -- покрытия нитридных металлов -- покрытия стали -- радиационная стойкость покрытий -- радиационные дефекты -- титан-хром-азотные покрытия Аннотация: Приведены данные влияния облучения ионами гелия и аргона на структуру поверхности покрытий (Ti, Cr) N[1-x] на углеродистой стали. Покрытия (Ti, Cr) N[1-x] толщиной 50-300 нм формировались на подложке из углеродистой стали методом вакуумно-дугового осаждения. Облучение образцов с покрытиями проведено на ускорителе тяжелых ионов ДЦ-60 низкоэнергетическими ионами 4He{+1}, 4 He{+2}, 40 Ar{5+} и высокоэнергетическими ионами 40 Ar{5+} до флюенса 1. 0 * 10{17} ион/см2 при температуре облучения, не превышающей 150 °С. Показано, что структура покрытия (Ti, Cr) N1-x не претерпевает существенных изменений и не проявляется блистеринг на поверхности после облучения ионами 4 He{+1}, 4 He{+2} и 40 Ar{5+} с энергией 20 кэВ/заряд. Облучение ионами 40 Ar{5+} с энергией 1. 50 МэВ/а. е. м. вызывает блистеринг. Доп.точки доступа: Потекаев, А. И.; Кислицин, С. Б.; Углов, В. В.; Клопотов, А. А.; Горлачев, И. Д.; Клопотов, В. Д.; Гринкевич, Л. С. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Андриевский, Р. А. Тугоплавкие соединения: новые подходы и результаты [Текст] / Р. А. Андриевский // Успехи физических наук. - 2017. - Т. 187, № 3. - С. 296-310 : 10 табл., 16 рис. - Библиогр.: с. 309-310 (121 назв.) . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): тугоплавкие соединения -- карбиды -- нитриды -- бориды -- оксиды -- структура тугоплавких соединений -- свойства тугоплавких соединений -- физические свойства -- физико-химические свойства -- механические свойства -- теоретические исследования -- экспериментальные исследования -- сверхтвердые материалы -- наноматериалы Аннотация: Проанализировано современное состояние исследований и новые подходы к изучению тугоплавких соединений типа карбидов, нитридов, боридов и оксидов с температурой плавления выше 2000 °C. Описаны новые экспериментальные и теоретические результаты изучения структуры, физико-механических свойств и областей применения; обращено внимание на особенности получения. Акцентированы недостаточно исследованные аспекты. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Получение нановолокон нитрида кремния по азидной технологии самораспространяющегося высокотемпературного синтеза [Текст] / Г. С. Белова [и др.] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 3 (51). - С. 109-117. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1991-8542
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный синтез -- самораспространяющийся высокотемпературный синтез -- нановолокна -- нанопорошоки -- азиды натрия -- нитриды кремния -- экспериментально-теоретические исследования Аннотация: Рассмотрена азидная технология самораспространяющегося высокотемпературного синтеза для получения нитридов. Отмечены преимущества данной технологии. Показаны перспективы СВС - технологии для получения нанопорошков высокого качества. Выбраны оптимальные химические уравнения и условия получения нитрида кремния. Представлены результаты экспериментально-теоретических исследований процесса синтеза микро- и нанопорошков нитрида кремния в системе хS i+ ( NH4) 2 SiF6 + 6 NaN3 в режиме горения. Определены параметры горения и синтеза. Исследована морфология частиц микро- и нанопорошков нитрида кремния. Оптимальным химическим уравнением является 14Si + (NH4) 2 SiF6+6 NaN3. Доп.точки доступа: Белова, Г. С.; Титова, Ю. В.; Майдан, Д. А.; Амосов, Е. А. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Кондратьева, Л. А. Химическая стадийность образования нитридных композиций Si3N4-Tin, Si3N4-BN и Si3N4-AIN в режиме СВС-А3 [Текст] / Л. А. Кондратьева, Г. В. Бичуров // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Технические науки. - 2016. - № 3 (51). - С. 130-135. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1991-8542
Рубрики: Химическая технология Технология неорганических веществ Кл.слова (ненормированные): химическая стадийность -- кремний -- нитриды -- алюминий -- азиды натрия -- галогениды -- титан -- бор -- наноструктурированные порошки Аннотация: Представлены результаты получения оптимальных систем для синтеза нитридных композиций "нитрид кремния - нитрид титана", "нитрид кремния - нитрид бора", "нитрид кремния - нитрид алюминия". Конечный продукт представляет собой наноструктурированный порошок, состоящий из смеси Si3N 4 и TiN в случае получения нитридной композиции "нитрид кремния - нитрид титана" ; Si3N4 и ВN в случае получения нитридной композиции "нитрид кремния - нитрид бора". Чистую, без побочных примесей, нитридную композицию Si3N4 - AlN получить не удалось. В работе также рассмотрена химическая стадийность образования нитридных композиций Si3N4 - TiN, Si3N4 - ВN и Si3N4 - AlN в режиме самораспространяющегося высокотемпературного синтеза с использованием азида натрия и галоидных солей. Установлено, что для получения целевых нитридов из исходных продуктов (кремния, азида натрия и галогенида титана (алюминия, бора) ) в процессе горения должны пройти не только реакции азотирования элементного кремния и атомарного титана (алюминия или бора), но и реакции разложения, диссоциации, металлотермии и т. п. Доп.точки доступа: Бичуров, Г. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Романов, И. С. Диффузия магния в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN при реальных температурах роста p-GaN 860-980 °C [Текст] / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. Н. Брудный // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 1. - С. 164-166 : рис. - Библиогр.: c. 166 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): диффузия магния -- квантовые ямы -- магний -- нитриды галлия -- нитриды индия -- пирометр -- светодиодные структуры -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования диффузии Mg в светодиодных структурах с квантовыми ямами InGaN/GaN синего диапазона длин волн при различных температурах роста слоя p-GaN. Произведена оценка коэффициента диффузии для реальных температур роста 860, 910 и 980°С, значения составили 7. 5•10{-17}, 2. 8•10{-16} и 1. 2•10{-15} см{2}/с соответственно. Приведенные в работе значения температуры измерялись на поверхности растущего слоя in situ с помощью пирометра. Вычисленная энергия активации для температурной зависимости коэффициента диффузии составила 2. 8 эВ. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Брудный, В. Н. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Романов, И. С. Внутренняя квантовая эффективность светодиодных структур при различных распределениях носителей заряда по квантовым ямам InGaN/GaN [Текст] / И. С. Романов, И. А. Прудаев, В. В. Копьев // Известия вузов. Физика. - 2018. - Т. 61, № 2. - С. 8-11. - Библиогр.: c. 11 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Люминесценция Кл.слова (ненормированные): Internal Quantum Efficiency -- барьерные слои -- квантовая эффективность светодиодных структур -- квантовая эффективность фотолюминесценции -- квантовая яма InGaN/GaN -- квантовые ямы -- нитриды галлия -- нитриды индия -- оже-рекомбинация -- светодиодные структуры -- слои GaN -- туннелирование -- фотолюминесценция Аннотация: Представлены результаты исследования влияния толщины барьерных слоев GaN в активной области светодиодных структур с квантовыми ямами InGaN/GaN на внутреннюю квантовую эффективность (Internal Quantum Efficiency, IQE) фотолюминесценции. Показано, что уменьшение толщины барьерных слоев GaN от 15 до 3 нм приводит к увеличению максимального значения IQE и сдвигу максимума в область больших мощностей накачки. Полученный результат объясняется с учетом уменьшения темпа оже-рекомбинации вследствие более равномерного распределения носителей заряда по активной области структур с толщиной барьеров 3 нм. Доп.точки доступа: Прудаев, И. А.; Копьев, В. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |
Модель расшифровки дифрактограмм продуктов горения СВС-систем на примере "19SI+17C+6NAN3+(NH4)2SIF6" [Текст] / С. И. Губанов [и др.] // Вестник Самарского государственного технического университета. Сер.: Технические науки. - 2017. - № 3 (55). - С. 149-153. - полный текст статьи см. на сайте Научной электронной библиотеки https://elibrary.ru . - ISSN 1991-8542
Рубрики: Технология металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): самораспространяющийся высокотемпературный синтез -- азиды натрия -- нитриды кремния -- карбиды кремния -- рентгенофазовый анализ -- дифрактограммы -- автоматизированные дифрактометры -- реагенты -- синтезированные продукты Аннотация: Метод азидного самораспространяющегося высокотемпературного синтеза (СВС-Аз), использующий азид натрия в качестве азотирующего реагента, применен для получения композиции нитрида и карбида кремния из смеси "19Si+17C+6NaN3+ (NH4) 2SiF6". Фазовый состав продуктов синтеза определяли на автоматизированном рентгеновском дифрактометре ARL X'TRA. Съемку рентгеновских спектров проводили с помощью Cu-излучения. С помощью баз данных МИНКРИСТ и COD определили межплоскостное расстояние и параметры ячеек синтезированных продуктов и сравнили с результатами рентгенофазового анализа. Доп.точки доступа: Губанов, С. И.; Болоцкая, А. В.; Амосов, Е. А.; Илларионов, А. Ю.; Титова, Ю. В. Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден) |