Амано, Хироши.
    Выращивание кристалла CaN на сапфировой подложке методом низкотемпературного осаждения буферного слоя и получение кристалла CaN p-типа с помощью допирования магнием и дальнейшего облучения низкоэнергетическим электронным пучком [Текст] / Х. Амано ; пер. с англ. А. Л. Чехова // Успехи физических наук. - 2016. - Т. 186, № 5. - С. 518-523 : 5 рис. - Библиогр.: с. 522-523 (62 назв.) . - ISSN 0042-1294
УДК
ББК 22.37
Рубрики: Физика
   Физика твердого тела. Кристаллография в целом

Кл.слова (ненормированные):
лауреаты Нобелевской премии -- нобелевские лекции -- синие светодиоды -- кристаллы -- нитриды -- нитрид галлия -- CaN -- CaN p-типа -- InGaN -- выращивание кристаллов -- сапфиры -- сапфировая подложка -- низкотемпературный буферный слой -- метод низкотемпературного осаждения -- допирование магнием -- низкоэнергетические электронные пучки
Аннотация: История разработки методов роста кристаллов нитрида галлия на сапфировой подложке, проложившей путь к развитию "умного" телевидения и систем отображения с использованием синих светодиодов. Предпосылки данной работы и процесс создания технологии, позволяющей выращивать кристаллы GaN и получать кристаллы GaN p-типа.


Доп.точки доступа:
Чехов, А. Л. \.\
Нет сведений об экземплярах (Источник в БД не найден)